【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种金刚石膜生长装置，尤其涉及气体内循环型热丝CVD金刚石膜生长装置。
技术介绍
由于具有良好的光学、力学、电学和化学稳定等特性，金刚石涂层在工业以及日常生活领域有着广泛的应用。最初的金刚石合成主 要是高温高压法，虽然有制备条件苛刻、合成质量不高、成本较大等诸多劣势，但是其仍然是制备金刚石的首选方法。在过去的二十年间，低温低压化学气相沉积金刚石膜的研究，倍受世界各国研究者的关注。目前，常用的制备方法主要有微波CVD、热丝CVD、直流电弧等离子体、燃烧法等，其共性是稀释在过量氢气中的低分子碳烃气体在一定能量的激发下产生的等离子体，通过适宜的沉积条件在基片上沉积金刚石膜，但是生长速率低，生长面积小，成膜质量低仍是目前亟需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种大面积、高速率、廉价的气体内循环型热丝CVD金刚石膜生长装置。为解决上述问题，本专利技术所述的气体内循环型热丝CVD金刚石膜生长装置，其特征在于该装置包括内设反应腔的密闭真空室；所述反应腔内壁顶端设有风扇，该风扇的下方设有多根并排直钨丝构成的热丝阵列；所述热丝阵列的两端接直流电，其下方设有衬底盘，该衬底盘上设有热电偶；所述风扇的侧上方的所述真空室外壁设有进气口 ；所述真空室外壁侧下方设有抽气口。所述进气口的进气流量和所述抽气口的抽气流量均为(T200 seem。本专利技术与现有技术相比具有以下优点 I、由于本专利技术中设有多根并排直钨丝构成的热丝阵列，从而形成大面积均匀温度场，相对微波CVD来说，沉积的膜面积很大，因此，可以实现金刚石膜的大面积生长。2、由于本专利技...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.气体内循环型热丝CVD金刚石膜生长装置，其特征在于该装置包括内设反应腔的密闭真空室；所述反应腔内壁顶端设有风扇(4)，该风扇(4)的下方设有多根并排直钨丝构成的热丝阵列(I);所述热丝阵列(I)的两端接直流电，其下方设有衬底盘(2)，该衬底盘(2 )上设有热电...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢二庆，滕凤，龚成师，张鹏，张国志，
申请(专利权)人：兰州大学，
类型：发明
国别省市：
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