量子点防伪标识方法技术

本发明专利技术涉及一种量子点防伪标识方法，其包括以下步骤：量子点油墨的制备：将不同结构和/或尺寸的量子点分散于有机溶剂中，加入透明油墨，混合均匀后制得能发射不同波长的量子点油墨；防伪标识的载入：将上述制得的量子点油墨载入到待标记目标产品上，形成防伪标识，使所述防伪标识的各组成部分中至少部分区域含有一种以上的量子点；防伪标识的检测及转换：通过光谱检测仪器读取各个组成部分中各个量子点的中心波长及各个量子点的发光强度的比值；将各量子点的中心波长及各量子点的发光强度的比值通过编码规则进行转换，得到一组特定的标识信息，并利用该信息来判断标识。本发明专利技术的防伪标识方法不易被仿制、信息容量大、稳定性好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于防伪标识领域，具体涉及ー种利用量子点进行防伪标识的方法，更具体的涉及ー种根据各量子点的发射的波长及发射峰強度的差异来进行防伪标识的方法。
技术介绍
在信息量激増的今天，信息的安全和准确识别已经成为社会广泛关注的话题。特别是随着商品经济的日益繁荣和科学技术的不断发展，防 伪已成为ー个崭新的、不断发展的领域。目前现有的安全识别技术普遍存在制作流程复杂、价格昂贵、精度差、易破解、不稳定和易受外界因素干扰等多种技术缺陷，已不能满足当今社会信息安全发展的需要。因此，迫切需要开发新的安全识别技术以用于防伪领域。虽然目前市面存在一些编码密度高，信息含量大的防伪标识，如常见的黑色ニ维条形码，但是其印制的内容可被直观的看见，且使用易得的台式复印机或印刷机就可以很容易复制，而现有的荧光油墨、防伪纤维虽能够做到信息的隐蔽式传递，但是它们的信息含量较少，无法满足大容量的信息需求。“量子点”，又可称为半导体纳米晶，是ー种由II-VI族或III-V族元素组成的纳米颗粒。量子点的粒径一般介于I IOnm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构，受激后可以发射荧光。量子点应用于防伪已有实例，如中国专利CN 102296486 A《防伪安全带及施加该防伪安全带的防伪纸》、CN 102002365A《透明纳米荧光材料组合物及其在隐形防伪产品中的应用》，都使用了量子点作为主要的防伪材料。但专利CN102296486A将包含量子点材料的光致发光材料、磁性材料、压敏材料和生物防伪材料组合仅应用于防伪纸，防伪范围相对比较窄；而专利CN 102002365A将量子点与包含稀土元素的无机纳米氧化物荧光粉、包含不饱和键的有机染料和有机发光小分子以及包含稀土元素的有机金属络合物分子组合用于隐形防伪领域，其主要通过荧光顔色及光谱扫描仪来鉴别，但是由于其包含多种的荧光材料，需要通过光学过滤器或光栅测量其荧光发射強度及特征光谱，相对流程复杂、精度不高，且防伪信息量不够丰富。
技术实现思路
为了克服上述现有技术中存在的问题和缺点，本专利技术提供ー种不易被仿制、信息容量大、稳定性好的。本专利技术的目的通过以下技术方案来实现ー种，其包括以下步骤量子点油墨的制备将不同结构和/或尺寸的量子点分散于有机溶剂中，加入透明油墨，混合均匀后制得能发射不同波长的量子点油墨；防伪标识的载入将上述制得的量子点油墨载入到待标记目标产品上,形成防伪标识，使所述防伪标识的各组成部分中至少部分区域含有ー种以上的量子点；防伪标识的检测及转换通过光谱检测仪器读取各个组成部分中各个量子点的中心波长及各个量子点的发光强度的比值；将各量子点的中心波长及各量子点的发光强度的比值通过编码规则进行转换，得到ー组特定的标识信息，并利用该信息来判断标识。优选地，所述的量子点为元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、或IV族半导体化合物制得的量子点或其对应的核壳结构量子点；优选地，所述的元素周期表II-VI族半导体化合物，为ニ元化合物例如CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，ZnO，HgS，HgSe，HgTe，或三元化合物例如 CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS,CdZnSe，CdZnTe，CdHgS，CdHgSe，CdHgTe，HgZnS，HgZnSe ;或四元化合物例如 CdZnSeS，CdZnSeTe，CdZnSTe，CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe，HgZnSeS，HgZnSeTe，HgZnSTe ;所述元素周期表III-V族半导体化合物，为ニ元化合物例如GaN，GaP, GaAs, GaSb, AIN, AlP, AlAs,AlSb, InN, InP，InAs, InSb，或三元化合物例如 GaNP，GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP，AlNAs，AlNSb，AlPAs，AlPSb，InNP，InNAs，InNSb，InPAs，InPSb，GaAlNP ;或四元化合物例如 GaAlNAs，GaAlNSb，GaAlPAs，GaAlP Sb, GaInNP， GaInNAs，GaInNSb，GaInPAs，GaInPSb，InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb ;所述元素周期表IV-VI族半导体化合物为ニ元化合物例如 SnS，SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe，或三元化合物例如 SnSeS，SnSeTe, SnSTe,PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 或四元化合物例如 SnPbSSe, SnPbSeTe,SnPbSTe ;所述元素周期表IV族半导体化合物为Si，Ge或ニ元化合物例如SiC，SiGe ;所述核壳结构为以前面所述的元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、IV族半导体化合物为核，以CdSe，CdS, ZnSe, ZnS, CdO, ZnO, Si02中的一种或多种为壳的核壳结构量子点。优选地，所述的透明油墨为未添加顔料的油墨产品，所述未添加顔料的油墨产品为环氧丙烯酸酯类油墨、聚氨酯丙烯酸酯类油墨、聚酯丙烯酸酯类油墨、聚醚丙烯酸酯类油墨、聚丙烯酸丙酯或不饱和聚酯类油墨中的ー种或多种。优选地，所述量子点油墨通过印刷、喷绘、涂布浸溃或转移的方式载入到所述目标女ロ)PR ο优选地，所述有机溶剂为甲苯、氯仿或正己烷。优选地，所述目标产品可以是空腔的膜材、可印刷产品或纺织品，该可印刷产品可以是纸、薄膜等。若目标产品为纺织品，则量子点油墨先载入到纤维、丝或纱上，在将所述纤维、丝或纱通过已知的纺织方法，如机织或者编织，制成目标产品。ー种，其包括以下步骤量子点防伪载体的制备将不同结构和/或尺寸的量子点与高分子化合物混合，制成能发射不同波长的量子点防伪载体；或将高分子树脂制成载体后浸溃到含有不同结构和/或尺寸的量子点溶液中，干燥后制得能发射不同波长的量子点防伪载体；防伪标识的制作与载入以上述量子点防伪载体制作防伪标识，然后将防伪标识载入待标记防伪的目标产品上；防伪标识的检测及转换通过光谱检测仪器读取各个组成部分中各个量子点的中心波长及各个量子点的发光强度的比值；将各量子点的中心波长及各量子点的发光强度的比值通过编码规则进行转换，得到ー组特定的标识信息，并利用该信息来判断标识。优选地，所述的量子点为元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、或IV族半导体化合物制得的量子点或其对应的核壳结构量子点；优选地，所述的元素周期表II-VI族半导体化合物，为ニ元化合物例如CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，ZnO，HgS，HgSe，HgTe，或三元化合物例如 CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS,CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe ;或四元化合物例如 CdZnSeS,CdZnSe本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种量子点防伪标识方法，其包括以下步骤 量子点油墨的制备将不同结构和/或尺寸的量子点分散于有机溶剂中，加入透明油墨，混合均匀后制得能发射不同波长的量子点油墨； 防伪标识的载入将上述制得的量子点油墨载入到待标记目标产品上，形成防伪标识，使所述防伪标识的各组成部分中至少部分区域含有ー种以上的量子点； 防伪标识的检测及转换通过光谱检测仪器读取各个组成部分中各个量子点的中心波长及各个量子点的发光强度的比值；将各量子点的中心波长及各量子点的发光强度的比值通过编码规则进行转换，得到ー组特定的标识信息，并利用该信息来判断标识。2.根据权利要求I所述的量子点防伪标识方法，其特征在于所述的量子点为元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、或IV族半导体化合物制得的量子点或其对应的核壳结构量子点；所述 II-VI 族半导体化合物为 CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，ZnO，HgS，HgSe，HgTe，CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe,HgSeS,HgSeTe,HgSTe,CdZnS,CdZnSe,CdZnTe,CdHgS，CdHgSe，CdHgTe，HgZnS，HgZnSe CdZnSeS，CdZnSeTe，CdZnSTe，CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 或 HgZnSTe ;所述 III-V 族半导体化合物为 GaN，GaP, GaAs,GaSb，AIN, AlP，AlAs，Al Sb，InN, InP，InAs, InSb，GaNP, GaNAs，GaNSb，GaPAs，GaPSb，AlNP，AlNAs，AlNSb，AlPAs，AlPSb，InNP，InNAs，InNSb，InPAs，InPSb，GaAlNP GaAlNAs，GaAlNSb，GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs,InAlNSb, InAlPAs 或 InAlPSb ;所述 IV-VI 族半导体化合物为 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe,PbTe, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe SnPbSSe,SnPbSeTe或SnPbSTe ;所述IV族半导体化合物为Si，Ge，SiC或SiGe ;所述核壳结构量子点为以所述的II-VI族、III-V族、IV-VI族、IV族半导体化合物为核，以CdSe，CdS, ZnSe,ZnS, CdO, ZnO, SiO2中的一种或多种为壳的核壳结构量子点。3.根据权利要求I所述的量子点防伪标识方法，其特征在于，所述的有机溶剂为甲苯、氯仿和正己烷。4.根据权利要求I所述的量子点防伪标识方法，其特征在于所述的透明油墨为未添加顔料的油墨产品，所述未添加顔料的油墨产品为环氧丙烯酸酯类油墨、聚氨酯丙烯酸酯类油墨、聚酯丙烯酸酯类油墨、聚醚丙烯酸酯类油墨、聚丙烯酸丙酯和不饱和聚酯类油墨中的ー种或多种。5.根据权利要求1-4任一项所述的量子点防伪标识方法，其特征在于所述量...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘江国，廖杰进，
申请(专利权)人：广东普加福光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：