图像处理装置和图像处理方法制造方法及图纸

一种图像处理装置，包括：第一存储单元，用于存储从光电二极管输出的电荷；复位单元，用于对在该第一存储单元中存储的电压进行复位；转移单元，用于将从该光电二极管输出的电荷转移到该第一存储单元；切换单元，用于对从像素电源的供应线供应的DC电压进行切换；输出单元，用于向信号输出线输出在该第一存储单元中存储的电压；第二存储单元，用于存储通过该切换单元而供应的DC电压；以及驱动单元，用于通过接收作为电源的该第二存储单元所存储的DC电压而对该输出单元进行驱动。

【技术实现步骤摘要】
图像处理装置和图像处理方法
本公开涉及一种图像处理装置和图像处理方法，且具体地，涉及一种能够抑制在供电电压上的变化、以及抑制拖尾(streaking)的出现的图像处理装置和图像处理方法。
技术介绍
在数字相机中，通过CMOS图像传感器来对物体进行成像，并且存储或显示所拍摄的图像。当在CMOS图像传感器中噪声叠加在供电电压上时，从输出信号线读出的信号电平受到影响。相应地，提出了用于抑制这种电压变化的技术(例如，JP-A-2009-225021(专利文献1))。图1是示出了现有技术中的图像传感器的配置的图。在CMOS图像传感器1中仅仅示出了一个像素。从像素功率线25向RTS驱动器11和TRG驱动器12供应必要的功率。通过开关20来从连接到像素功率线25的SEL驱动器功率线26向SEL驱动器13供应必要的功率。为了防止变化，在刚刚复位之后，并且当在复位之后已经经过给定时间段时，读出光电二极管15的电压所传输到的电容器16的电压，并且电压差将是从光电二极管15输出的像素信号。当对电容器16的电压进行复位时，RST驱动器11在控制信号RST被输入并且在参考电压处对电容器16的电压进行箝制(clamp)时，导通FET(场效应晶体管)17。此时，SEL驱动器13根据控制信号SEL，通过SEL线27来驱动FET19，因此，通过FET18来对电容器16的电压进行放大，并且通过FET19而将它输出到信号输出线24。在此之后，光电二极管15生成与来自在光电二极管15上入射的物体的光接收量对应的电荷。当在给定定时处输入控制信号TRG时，TRG驱动器导通FET14，并且将光电二极管15的电荷传输到电容器16。此时，通过FET18来对电容器16的电压进行放大，并且通过FET19来将它输出到信号输出线24。在开关20处于接通状态中的情况下，当由于某些原因而导致在像素功率线25中出现电压变化时，该变化通过SEL驱动器13而传送到SEL线27，并且进一步通过寄生电容22而传送到电荷存储单元FE。然后，该变化通过FET18和19来输出到信号输出线24。还通过杂散电容23来传送该变化。该电压变化按照此方式来传送到信号输出线24。为了防止以上问题，在读出电容器16的电压时断开开关20。作为结果，SEL线27的电势处于高电平处的浮动状态中，并且可以抑制电压变化。即，可以改善PSRR(供电抑制比)。
技术实现思路
然而，当执行以上切换时，SEL线27处于浮动状态中，并且拖尾出现。即，当SEL线27的电压变化通过寄生电容22而传送到电荷存储单元FD时，在某一像素的电荷存储单元FD和信号输出线24中出现的电压变化被传送到通过SEL线27而连接到该像素的另一像素的电荷存储单元FD和信号输出线24，这对于另一像素的电荷存储单元FD和信号输出线24的原始电压造成误差。即，由于切换而出现了电压变化，因此，出现拖尾。有鉴于以上问题，期望抑制供电电压上的变化，以及抑制拖尾的出现。本公开的实施例针对一种图像处理装置，包括：第一存储单元，用于存储从光电二极管输出的电荷；复位单元，用于对在该第一存储单元中存储的电压进行复位；转移单元，用于将从该光电二极管输出的电荷转移到该第一存储单元；切换单元，用于对从像素电源的供应线供应的DC(直流电)电压进行切换；输出单元，用于向信号输出线输出在该第一存储单元中存储的电压；第二存储单元，用于存储通过该切换单元而供应的DC电压；以及驱动单元，用于通过接收作为电源的该第二存储单元所存储的DC电压而对该输出单元进行驱动。可以当在存储从该像素电源的供应线供应的DC电压的状态中通过该复位单元来执行该复位之前，断开该切换单元，并且可以在通过该输出单元来完成该第一存储单元所存储的电压到该信号输出线的输出之后，接通该切换单元。该图像处理装置可以是CMOS图像传感器。本公开的另一实施例针对一种图像处理方法，包括：允许第一存储单元存储从光电二极管输出的电荷，允许复位单元对在该第一存储单元中存储的电压进行复位，允许转移单元将从该光电二极管输出的电荷转移到该第一存储单元，允许切换单元对从像素电源的供应线供应的DC电压进行切换，允许输出单元向信号输出线输出在该第一存储单元中存储的电压，允许第二存储单元存储通过该切换单元而供应的DC电压，以及允许驱动单元通过接收作为电源的该第二存储单元所存储的DC电压而对该输出单元进行驱动。根据本公开实施例的图像处理方法是与根据本公开实施例的图像处理装置对应的图像处理方法。如上所述，根据本公开的实施例，可能抑制供电电压上的变化，以及抑制拖尾的出现。附图说明图1是示出了现有技术中的图像传感器的配置的图；图2是示出了根据本公开实施例的CMOS图像传感器的配置的图；图3是示出了像素阵列单元和垂直驱动单元的配置的图；图4A到4D是用于解释操作的时序图；图5是用于解释拖尾的抑制的图；图6是用于解释表达式的图；以及图7是用于解释表达式的图。具体实施方式在下文中，将解释用于实行该技术的模式(在下文中，被称作实施例)。图2是示出了CMOS图像传感器101的配置的图。CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器101包括像素阵列单元111、垂直驱动单元112、列处理单元113、水平驱动单元114、控制单元115和信号处理单元116。像素阵列单元111包括在水平方向中以及在垂直方向中安排的多个像素。通过这些像素对来自物体的光进行光电转换。垂直驱动单元112选择并且驱动每条线，在该每条线中安排了多个像素。水平驱动单元114在每条线的垂直方向中选择并驱动规定的像素。列处理单元113保持从所选择的像素中读出的像素数据，并且将该数据供应到信号处理单元116。控制单元115控制各单元的操作。信号处理单元116对从列处理单元113中读出的像素数据进行处理。垂直驱动单元112进行在下文中描述的SEL驱动器163的控制。图3是示出了像素阵列单元111和垂直驱动单元112的配置的图。在像素阵列单元111，安排了m×n个像素171-ij(i＝1、2、...、m，j＝1、2、...、n)。即，在第一行中安排像素171-11、171-12、...、和171-1n，以及在第二行中安排像素171-21、171-22、...、和171-2n。按照相同的方式，在第m行中安排像素171-m1、171-m2、...、和171-mn。在图3中，仅仅示出了2×2个像素。在其中不必单独地对像素171-ij进行区分的情况下，将把像素仅仅写为像素171。相同的规则适用于其他组件。在像素171-11中，做出连接，使得光电二极管183-11中的电荷通过作为转移单元的FET182-11而转移到电容器184-11。作为存储单元的电容器184-11的电荷存储单元FD通过作为复位单元的FET181-11而连接到像素功率线192，以及连接到FET185-11的栅极。FET185-11的一个端子连接到像素功率线192，而另一端子通过作为输出单元的FET186-11而连接到信号输出线191-1。从供电单元141向像素功率线192供应DC功率。供电单元141包括电池、或用于对AC功率进行整流和平滑化的电路以及用于使得电压稳定化的电容器。RST驱动器161-1的输出通过RST线201-1而连接到FET本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.24 JP 2011-0658251.一种图像处理装置，包括：第一存储单元，用于存储从光电二极管输出的电荷；复位单元，用于对在该第一存储单元中存储的电压进行复位；转移单元，用于将从该光电二极管输出的电荷转移到该第一存储单元；切换单元，用于对从像素电源的供应线供应的DC电压进行切换；输出单元，用于向信号输出线输出在该第一存储单元中存储的电压；第二存储单元，用于存储通过该切换单元而供应的DC电压；以及驱动单元，用于通过接收作为电源的该第二存储单元所存储的DC电压而对该输出单元进行驱动；其中，在断开切换单元之后，开启复位单元并且通过从像素电源的供应线供应的DC电压的电压对第一存储单元进行复位，然后在通过输出单元完成第一存储单元所存储的电压到信...

【专利技术属性】
技术研发人员：安河内诚，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：