【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其是涉及ー种基于逐步近似法的TE模式的硅基微环谐振器耦合损耗的计算方法。
技术介绍
在过去的几十年，光子器件，例如波分复用器、光调制器和片上网络光互联，已经广泛的应用在大規模光子集成系统中。而这些光子器件已经逐渐用硅基微环谐振器来实现，因为其具有高折射率对比度和兼容于CMOSエ艺的优点，硅基微环谐振器可以实现微米量级的尺寸，推动了高度集成光子芯片的发展。在硅基超紧凑型微环谐振器中，光波导的横截面尺寸最小为220nmX445nm，可以实现单模传输。在微环谐振器中，包含两种类型的光波导，一种是直线型光波导，另ー种是 环形光波导。直线型波导和环形波导，通过耦合间隙耦合在一起。当基模光信号，沿直线型波导传输到耦合区域时，根据光信号的耦合原理，一部分光信号会穿过耦合间隙进入环形波导之中。而另一部分会沿着直线型波导继续传播。在这个过程中，尽管光波会从直波导耦合到环形波导中，但由于耦合间隙沿直线型波导方向的不均匀性，在耦合区域会发生模式转换，从基模转换成高阶模式。根据超紧凑型波导的单模传输特性，高阶模式在波导中是截止的。因此，耦合到高阶模式的光能量就会损失到波导之外，造成损耗。也就是，因为在率禹和区域存在模式转换效应，产生了ー种额外的光学损耗，称之为稱合损耗(參见文献[I」 Y. A. Vlasov and b. J. McNab, Losses in single-mode silicon-on-insulatorstrip waveguides and bends, Optics Express ； [2] F. N. Xia, L. Sek...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.硅基微环谐振器中耦合损耗的计算方法，其特征在于所述计算方法如下 首先，利用逐步近似方法，将微环谐振器的环形波导近似为多个相互平行的直线型波导组； 然后，利用波导方程和TE模式的边界条件，对波导组分别计算光波在其中的模式转换系数和透射系数，计算在每个波导组由于模式转换效应造成的能量损耗； 最終，整个耦合区域的耦合损耗就是每个波导组能量损耗的总和。2.根据权利要求I所述的硅基微环谐振器中耦合损耗的计算方法，其特征在于所述微环谐振器为娃基超紧凑型微环谐振器，光波导的横截面尺寸最小为220nmX445nm,光波长为 I. 55 I. 70 μ m。3.根据权利要求I所述的硅基微环谐振器中耦合损耗的计算方法，其特征在于所述环形波导的弯曲半径/ 小于5 μ m。4.根据权利要求I所述的硅基微环谐振器中耦合损耗的计算方法，其特征在于所述逐步近似方法为将微环谐振器分成同样的四部分，每小部分的直波导长度为ん在直波导上取#个节点...
【专利技术属性】
技术研发人员：左宝君，胡海力，范志刚，陈守谦，刘建军，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：
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