宽频带低插损定向耦合器制造技术

本发明专利技术宽频带低插损定向耦合器是目前使用磁性材料制造的集中参数定向耦合器的一种改进。通过选用不同形状的磁性材料及特殊的绕制方法，可以突破制做超宽频带变量器之限制。从而可以获得５ＭＨｚ～１０００ＭＨｚ超宽频带宽度低插损，高隔离度的定向耦合器。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
本专利技术宽带低插损定向耦合器是由利用磁性元件制作相互交连的两个变量器构成的。其特征在于：每个变量器各使用一个双孔磁芯，变量器的主、副线圈均迂回穿过该双孔磁芯的两个孔，主、副线圈的首尾均在双孔磁芯的同一侧引出，两个这种变量器相互交连而成一个完整的宽频带低插入损耗定向耦合器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张萍，张九庸，
申请(专利权)人：张萍，张九庸，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]