【技术实现步骤摘要】
本技术涉及力敏传感器领域，尤其是涉及到用于力的分布探测的一种阵列力传感器。
技术介绍
力敏传感器就是探测力的传感器，利用材料的物理性质在力的作用下发生变化的现象而制备。力敏传感器的种类甚多、传统的测量方法是利用弹性元件的形变和位移来表示，随着微电子技术的发展，利用半导体材料的压阻效应和良好的弹性，研制出半导体力敏传感器，主要有硅压阻式和电容式两种，它们具有体积小、重量轻、灵敏度高等优点，因此半导体力敏传感器得到广泛应用。随着新材料的不断发展，力敏传感器进一步发展成基于压电材料、磁致伸缩材料等材料。以上的力敏传感器都是对于单一均与力的探测，但是，实际应用中，力往往是不均匀分布的。这时，就需要一种能探测力的分布的力传感器。
技术实现思路
本技术提供一种阵列力传感器，采用阵列的方式制备，可以用于探测力的分布，适合大面积不均匀力的测试。本技术所采取的技术方案为，一种阵列力传感器，包括底电极、顶电极、力敏材料层，其中，底电极、力敏材料层、顶电极为均匀分布的阵列；底电极为第一层，力敏材料层为第二层，顶电极为第三层，且，底电极、顶电极构成交叉结构；底电极、顶电极由导电材料构成，力敏材料层可以为金属或者半导体材料。本技术的有益效果是本技术的探测单元是阵列的方式，每一个阵列单元都可以感知力的大小，可以探测出不均匀力的分布。附图说明图I为本技术的结构示意图。图中1、底电极，2、顶电极，3、力敏材料层具体实施方式以下结合附图实施例对本技术作进一步详细描述。图I为本技术的结构示意图，底电极I、顶电极2、力敏材料层3，其中，底电极I、顶电极2为均匀分布的阵列；底电极I为第一层，力敏...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列力传感器，包括底电极、顶电极、力敏材料层，其特征在于所述的底电极、力敏材料层、顶电极为均匀分布的阵列；所述的底电极为第一层，力敏材料层为第二层，顶电极为...
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