分割溅镀靶及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种于接合多个靶构件所得的分割溅镀靶中，可有效地防止因被溅镀而造成支承板构成材料混入于要成膜的薄膜中的技术。本发明专利技术为通过低熔点焊料将多个靶构件接合于支承板上而形成的分割溅镀靶，其中，于接合的靶构件间所形成的间隙中充填有陶瓷材料或有机材料。此外，陶瓷材料较佳为与靶构件有相同组成的陶瓷粉或陶瓷纤维，有机材料优选为高电阻物质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及接合多個靶构件所得的分割溅镀靶，特别是涉及靶构件为由氧化物半导体所构成时所适合的分割溅镀靶。
技术介绍
近年来，于信息设备、AV设备、家电制品等各电子零件的制造时常使用溅镀法，例如液晶显示装置等显示装置中，薄膜晶体管(简称TFT)等半导体组件为通过溅镀法所形成。这是由于溅镀法作为以大面积且高精度形成构成透明电极层等的薄膜的制法时是极为有效的。另外，最近半导体组件中，为以IGZO(In-Ga-Zn-O)为代表的氧化物半导体取代非 晶娃(amorphous silicon)而受到瞩目。而涉及此氧化物半导体,为计画利用派镀法而成膜氧化物半导体薄膜。但是，溅镀所使用的氧化物半导体的溅镀靶的素材为陶瓷，故难以由一个靶构件来构成大面积靶。因此，准备多个具有一定程度大小的氧化物半导体靶构件，且接合于具有所求面积的支承板(backing plate)上,从而制造大面积的氧化物半导体派镀靶。此溅镀靶的支承板通常使用Cu制的支承板，此支承板与靶构件的接合使用热传导良好的低熔点焊料，例如In系金属。例如，于制造大面积板状的半导体氧化物溅镀靶时，准备大面积的Cu制支承板并将所述支承板表面区划本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.11.08 JP 2010-2497791.ー种分割溅镀靶，是通过低熔点焊料将多个靶构件接合干支承板上而形成的分割溅镀靶，其特征在于，于接合的靶构件间所形成的间隙中充填有陶瓷材料或有机材料。2.根据权利要求I所述的分割溅镀靶，其特征在干，陶瓷材料为与靶构件为相同组成的陶瓷粉。3.根据权利要求I所述的分割溅镀靶，其特征在于，有机材料为高电阻物质。4.根据权利要求2所述的分割溅镀靶，其特征在干，陶瓷粉的充填厚度为靶构件间所形成的间隙深度的...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保田高史，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：