LLC电路及LLC电源制造技术

技术编号:7751860 阅读:658 留言:0更新日期:2012-09-11 03:38
本实用新型专利技术公开一种LLC电路,包括整流电路、电源芯片、半桥变换电路及变压器,变压器包括第一初级输入端和第二初级输入端,其中,电源芯片的外围还设有共振偏离检测电路及死区时间检测电路,电源芯片根据共振偏离检测电路的检测信号控制半桥变换电路工作,自动校正LLC电路的共振偏离;电源芯片根据死区时间检测电路的检测信号控制半桥变换电路工作,自动调节LLC电路的死区时间以减小LLC电路的开关损耗。本实用新型专利技术解决了LLC电路采用低K值变压器时易产生共振偏离及开关损耗加大的问题,提高了LLC电路的宽范围电压输入的适应性,并且消除了PFC电路的应用,降低了LLC电路的成本。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电源
,尤其涉及ー种LLC电路及LLC电源
技术介绍
LLC电路相对于目前普遍应用的硬半桥电路,具有可省次级电感、优化变压器的设计及应用软开关技术以降低功率MOS管等级等的优势。但是现有传统的LLC电路的工作频率接近其谐振频率吋,其转换效率才能达到最大值。然而,根据此要求设计的变压器,在全电压的输入条件下,其工作频率会大大偏离其谐振频率,从而造成转换效率的下降。因此,现有传统的LLC电路只能在稳定的窄电压输入条件下工作。由于PFC(Power FactorCorrection,功率因数校正)电路具有将宽电压输入转换为窄电压输出的功能,所以现有传统的LLC电路必须增加PFC电路才能在全电压范围输入条件下工作。然而,增加PFC电路,会引起成本增加、电源体积变大、EMC (Electromagnetic Compatibility,电磁兼容性)设计难度増加等问题,从而极大地限制了现有传统LLC电路的发展和应用。
技术实现思路
本技术的主要目的是提供ー种LLC电路,g在克服现有传统LLC电路必须附带PFC电路才能适应宽电压输入条件的缺陷,以降低LLC电路的成本以及提高LLC电路的宽范围电压输入的适应性。为了达到上述目的,本技术提出ー种LLC电路,包括整流电路、电源芯片、半桥变换电路及变压器,所述变压器包括第一初级输入端和第二初级输入端,所述电源芯片的外围还设有共振偏离检测电路及死区时间检测电路,所述共振偏离检测电路输出检测信号至电源芯片,电源芯片根据所述检测信号控制所述半桥变换电路工作,并自动校正所述LLC电路的共振偏离;所述死区时间检测电路输出检测信号至电源芯片,所述电源芯片根据所述检测信号控制所述半桥变换电路工作,并自动调节所述LLC电路的死区时间。优选地,所述电源芯片为SSC9512S电源芯片。优选地,所述共振偏离检测电路包括第一电容、第二电容及第ー电阻,所述第一电容的一端与所述SSC9512S电源芯片的RC引脚连接,所述第一电容的另一端接地,所述第二电容的一端与所述SSC9512S电源芯片的RC引脚连接并经所述第一电阻接地,所述第二电容的另一端与所述半桥变换电路连接。优选地,所述死区时间检测电路包括第三电容,所述第三电容的一端与所述SSC9512S电源芯片的RV引脚连接,所述第三电容的另一端与所述半桥变换电路连接。优选地,所述半桥变换电路包括第一ニ极管、第一 MOS管、第二电阻、第三电阻及第四电阻,所述第一ニ极管的阴极与所述SSC9512S电源芯片的VGH引脚连接,其阳极经所述第二电阻与所述第一 MOS管的栅极连接,所述第四电阻并联于所述第一ニ极管的两端,所述第一 MOS管的栅极还经所述第三电阻与所述SSC9512S电源芯片的VS引脚连接,所述第一 MOS管的漏极与所述整流电路的输出端连接,所述第一 MOS管的源极与所述SSC9512S电源芯片的VS引脚连接且与所述变压器的第一初级输入端连接。优选地,所述半桥变换电路还包括第二ニ极管、第二 MOS管、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第四电容及第五电容,所述第二ニ极管的阴极与所述SSC9512S电源芯片的VGL引脚连接,其阳极经所述第五电阻与所述第二 MOS管的栅极连接,所述第七电阻并联于所述第二ニ极管的两端,所述第二 MOS管的栅极还经所述第六电阻接地,所述第二 MOS管的漏极与所述第一 MOS管的源极连接且与所述变压器的第一初级输入端连接,所述第二 MOS管的源极接地,所述第四电容的一端与所述第二 MOS管的漏极连接且与所述变压器的第一初级输入端连接,所述第四电容的另一端与所述第二 MOS管的源极连接并接地,所述第五电容的一端与所述变压器的第二初级输入端连接,其另一端接地。优选地,所述第二电容的另一端经所述半桥变换电路中的第五电容接地。 优选地,所述第三电容的另一端与所述半桥变换电路中第一 MOS管的源极连接且与所述半桥变换电路中第二 MOS管的漏极连接。优选地,所述整流电路为倍压整流电路,所述变压器为可组合线轴结构变压器,所述变压器的K值为3. 2-4.8。本技术还提出一种LLC电源,所述LLC电源包括LLC电路,所述LLC电路包括整流电路、电源芯片、半桥变换电路及变压器,所述变压器包括第一初级输入端和第二初级输入端,所述电源芯片的外围还设有共振偏离检测电路及死区时间检测电路,所述共振偏离检测电路输出检测信号至电源芯片,电源芯片根据所述检测信号控制所述半桥变换电路工作,并自动校正所述LLC电路的共振偏离;所述死区时间检测电路输出检测信号至电源芯片,所述电源芯片根据所述检测信号控制所述半桥变换电路工作,并自动调节所述LLC电路的死区时间。本技术提出的LLC电路,在SSC9512S电源芯片的外围增设了共振偏离检测电路以及死区时间检测电路,SSC9512S电源芯片能根据共振偏离检测电路的检测信号控制半桥变换电路的工作,自动校正了 LLC电路的共振偏离,以及能根据死区时间检测电路的检测信号控制半桥变换电路的工作,自动调节了 LLC电路的死区时间,减小了 LLC电路的开关损耗。本技术降低了 LLC电路的成本,克服了现有传统LLC电路必须附带PFC电路才能适应宽电压输入条件的缺陷。附图说明图I是本技术LLC电路较佳实施例的电路原理框图;图2是本技术LLC电路较佳实施例的电路结构示意图。本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,參照附图做进ー步说明。具体实施方式以下结合说明书附图及具体实施例进ー步说明本技术的技术方案。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。參照图1,图I是本技术LLC电路较佳实施例的电路原理框图,本技术LLC电路包括整流电路1、SSC9512S电源芯片2、半桥变换电路3及变压器4,其中SSC9512S电源芯片2的外围还设有共振偏离检测电路5及死区时间检测电路6。具体的,共振偏离检测电路5与SSC9512S电源芯片2的RC引脚(第7脚)连接,死区时间检测电路6与SSC9512S电源芯片2的RV引脚(第9脚)连接。共振偏离检测电路5输出检测信号至SSC9512S电源芯片2,SSC9512S电源芯片2根据共振偏离检测电路5的检测信号控制半桥变换电路3工作,自动校正LLC电路的共振偏离;死区时间检测电路6输出检测信号至SSC9512S电源芯片2,SSC9512S电源芯片2根据死区时间检测电路6的检测信号控制半桥变换电路3工作,自动调节LLC电路的死区时间,以减小LLC电路的开关损耗。本技术实施例中的整流电路I为倍压整流电路,变压器4为可组合线轴结构的变压器,其K值为3. 2-4.8。本技术是基于Sanken公司SSC9512S电源芯片的LLC电路设计方案,通过调 节LLC电路中变压器4的參数,使LLC电路适应宽电压输入的工作条件,并通过与SSC9512S电源芯片2的RC引脚(第7脚)连接的共振偏离检测电路5以及通过与SSC9512S电源芯片2的RV引脚(第9脚)连接的死区时间检测电路6解决调节变压器4的參数后所产生的负面影响(变压器的K值较低时,在低电压输入条件下易产生共振偏离及开关损耗加大的问题)。同时,本技术结合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种LLC电路,包括整流电路、电源芯片、半桥变换电路及变压器,所述变压器包括第一初级输入端和第二初级输入端,其特征在于,所述电源芯片的外围还设有共振偏离检测电路及死区时间检测电路,所述共振偏离检测电路输出检测信号至电源芯片,所述电源芯片根据所述共振偏离检测电路输出的检测信号控制所述半桥变换电路工作,并自动校正所述LLC电路的共振偏离;所述死区时间检测电路输出检测信号至电源芯片,所述电源芯片根据所述死区时间检测电路输出的检测信号控制所述半桥变换电路工作,并自动调节所述LLC电路的死区时间。2.根据权利要求I所述的LLC电路,其特征在于,所述电源芯片为SSC9512S电源芯片。3.根据权利要求I或2所述的LLC电路,其特征在于,所述共振偏离检测电路包括第ー电容、第二电容及第ー电阻,所述第一电容的一端与所述SSC9512S电源芯片的RC引脚连接,所述第一电容的另一端接地,所述第二电容的一端与所述SSC9512S电源芯片的RC引脚连接并经所述第一电阻接地,所述第二电容的另一端与所述半桥变换电路连接。4.根据权利要求3所述的LLC电路,其特征在于,所述死区时间检测电路包括第三电容,所述第三电容的一端与所述SSC9512S电源芯片的RV引脚连接,所述第三电容的另一端与所述半桥变换电路连接。5.根据权利要求4所述的LLC电路,其特征在于,所述半桥变换电路包括第一ニ极管、第一 MOS管、第二电阻、第三电阻及第四电阻,所述第一ニ极管的阴极与所述SSC9512S电源芯片的VGH引脚连接,其阳极经所述第二电阻与所述第一 MOS管的栅极连接,所述第四电阻并联于所述第一ニ极管的两端,所述第一 MOS管的...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘志成陈成辉
申请(专利权)人:TCL通力电子惠州有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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