用于碳化硅表面处理的水冷却装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种用于碳化硅表面处理的水冷却装置，用于碳化硅晶片在碳化硅表面氢等离子体处理后的冷却，它有冷却室，冷却室内有环状的中空托架，中空托架与推臂固定在一起，中空托架内腔两端分别与推臂内的隔板分隔出的进水腔体、回水腔体的内腔相连通，进水腔体的一侧有阀门。这种水冷却装置，可在短时间内实现碳化硅晶片的冷却，降低了碳化硅被污染的几率，节省了时间，提高了工作效率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术提供 了 ー种冷却装置，尤其是ー种水冷却装置。
技术介绍
在利用ECR-PEM0CVD (碳化硅电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积碳化硅)系统进行碳化硅表面氢等离子体处理后，由于处理温度较高碳化硅1000°C以上碳化娃，若将碳化娃晶片直接取出，碳化娃表面容易在空气中被氧气氧化，影响碳化娃器件的性能。由于原来的系统支架部分缺乏冷却装置，若晶片自然冷却，需要12个小时以上，容易被空气污染且影响工作进度。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种用于碳化硅表面处理的水冷却装置，以实现碳化硅晶片的快速冷却。本技术是这样实现的，用于碳化硅表面处理的水冷却装置，它有冷却室，冷却室内有环状的中空托架，中空托架与推臂固定在一起，中空托架内腔两端分别与推臂内的隔板分隔出的进水腔体、回水腔体的内腔相连通，进水腔体的一侧有阀门。采用上述结构的水冷却装置，可在短时间内实现碳化硅晶片的冷却，降低了碳化硅被污染的几率，节省了时间，提高了工作效率。附图说明图I是本技术结构的主视图。图2是图I的俯视图。具体实施方式以下结合附图给出的实施例说明本技术的具体结构和使用方法。如附图所示，本技术之用于碳化硅表面处理的水冷却装置，它有冷却室碳化硅I碳化硅，冷却室内有环状的中空托架碳化硅2碳化硅，中空托架与推臂碳化硅9碳化硅固定在一起，中空托架内腔两端分别与推臂内的隔板碳化硅4碳化硅分隔出的进水腔体碳化娃6碳化娃、回水腔体碳化娃7碳化娃的内腔相连通,进水腔体的一侧有阀门碳化娃8碳化硅。使用时，将进水腔体与自来水管连通在一起，托盘碳化硅3碳化硅放置在中空托架上。待碳化硅晶片经过碳化硅表面氢等离子体处理后，推动推臂，使得中空托架进入冷却室，打开阀门碳化硅8碳化硅。自来水经进水腔体内腔、中空托架内腔、回水腔体内腔流动，可在30分钟内快速降低托盘温度，进而降低碳化硅晶片温度，实现快速降温的目的。显然，在冷却室上有中空托架的进出ロ碳化硅5碳化硅。权利要求1.用于碳化硅表面处理的水冷却装置，其特征在于，它有冷却室(I)，冷却室内有环状的中空托架(2)，中空托架与推臂(9)固定在一起，中空托架内腔两端分别与推臂内的隔板(4)分隔出的进水腔体(6)、回水腔体(7)的内腔相连通，进水腔体的一侧有阀门(8)。专利摘要本技术提供了一种用于碳化硅表面处理的水冷却装置，用于碳化硅晶片在碳化硅表面氢等离子体处理后的冷却，它有冷却室，冷却室内有环状的中空托架，中空托架与推臂固定在一起，中空托架内腔两端分别与推臂内的隔板分隔出的进水腔体、回水腔体的内腔相连通，进水腔体的一侧有阀门。这种水冷却装置，可在短时间内实现碳化硅晶片的冷却，降低了碳化硅被污染的几率，节省了时间，提高了工作效率。文档编号C23C16/32GK202401129SQ20112057662公开日2012年8月29日 申请日期2011年12月20日 优先权日2011年12月20日专利技术者王海波, 王雅玡, 袁媛 申请人:滨州职业学院本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王海波，袁媛，王雅玡，
申请(专利权)人：滨州职业学院，
类型：实用新型
国别省市：