一种太阳能电池模块、电子装置及太阳能电池的制造方法，该太阳能电池模块包含第一太阳能电池与第二太阳能电池。第一太阳能电池包含第一金属基板、第一光电转换层、第一上电极层、第一P-N接合半导体与第一下电极层。第二太阳能电池包含第二金属基板、第二光电转换层、第二上电极层、第二P-N接合半导体与第二下电极层。第一光电转换层与第一P-N接合半导体分别位于第一金属基板的第一表面与第二表面上。第二光电转换层与第二P-N接合半导体分别位于第二金属基板的第一表面与第二表面上。第二下电极层位于第二P-N接合半导体相对于第二金属基板的对侧，且电性耦接第一金属基板。本发明专利技术可避免阴影效应导致电力无法输出，使太阳能电池模块能持续工作而不损坏。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关ー种太阳能电池模块，且特别有关ー种具有ニ极管旁通电路的太阳能电池模块。
技术介绍
近年来，太阳能电池模块已广泛地应用于可携式电子装置与大楼的屋顶及外墙。太阳能电池模块通常具有复数个太阳能电池。当太阳能电池模块中的其中一个太阳能电池被遮蔽吋，由于阴影效应会导致电カ无法正常输出。此外，受遮蔽的太阳能电池还有可能产生高热，而造成太阳能电池模块损坏。习知解决太阳能电池阴影效应的方法，是在每一太阳能电池旁加装ニ极管，在太阳能电池无法提供正常电カ的时候，提供另ー个通过ニ极管的电流路径，使太阳能电池模块能持续工作而不损坏。图I绘示现有太阳能电池模块100未被遮蔽时的示意图。太阳能电池模块100包含太阳能电池110与ニ极管130。导线120电性耦接于所有太阳能电池110，且ニ极管130通过导线132与太阳能电池110并联。当太阳140照射太阳能电池模块100吋，由于太阳能电池110未被遮蔽，因此电流Il可沿导线120流动。图2绘示图I的现有太阳能电池模块100部分被遮蔽时的示意图。当其中ー个太阳能电池Iio被乌云150遮蔽吋，由于被遮蔽的太阳能电池110无法提供正常电力，此时电流12可不经被遮蔽的太阳能电池110而通过导线132通过ニ极管130，使太阳能电池模块100能持续工作而不损坏。然而，由于ニ极管130占有太阳能电池模块100的面积，因此在太阳能电池模块100设计上，设计者可能会为了设置ニ极管130而设置较小面积的太阳能电池110，使输出的电カ降低。或者，增加太阳能电池模块100的面积，而提高材料的成本。此外，由于ニ极管130具有至少Imm的厚度，设计者可能为了提高太阳能电池模块100的平整度，而增加整体太阳能电池模块100的厚度。因此，现有太阳能电池模块100不利于可携式电子装置的应用。另ー方面，ニ极管130设置于太阳能电池模块100的エ艺并无法省略，而增加了制造的成本。
技术实现思路
本专利技术的一技术态样为ー种太阳能电池模块。根据本专利技术ー实施方式,ー种太阳能电池模块包含第一太阳能电池与第二太阳能电池。第一太阳能电池包含第一金属基板、第一光电转换层、第一上电极层、第一 P-N接合半导体与第一下电极层。第二太阳能电池包含第二金属基板、第二光电转换层、第二上电极层、第二 P-N接合半导体与第二下电极层。第一金属基板具有分别位于相反侧的第一表面 与第二表面。第一光电转换层位于第一金属基板与第一表面相同的ー侧。第一上电极层位于第一光电转换层上。第一 P-N接合半导体位于第一金属基板与第二表面相同的ー侧。第一下电极层位于第一 P-N接合半导体相对于第一金属基板的对侧。第二金属基板具有分别位于相反侧的第一表面与第二表面。第二光电转换层位于第二金属基板与第一表面相同的ー侧。第二上电极层位于第二光电转换层上，且电性耦接第一金属基板。第二 P-N接合半导体位于第二金属基板与第二表面相同的ー侧。第二下电极层位于第二 P-N接合半导体相对于第二金属基板的对侧，且电性耦接第一金属基板。其中，该第一光电转换层包含一第一 P型半导体层，位于该第一金属基板的该第一表面上；一第一 I型半导体层，位于该第一 P型半导体层上；以及ー第一 N型半导体层，位于该第一 I型半导体层上。其中，该第一 P-N接合半导体包含一第二 N型半导体层，位于该第一金属基板与该第二表面相同的ー侧；以及一第二 P型半导体层，位于该第二 N型半导体层上，且位于该第二 N型半导体层与该第一下电极层之间。其中，该第二光电转换层包含一第三P型半导体层，位于该第二金属基板与该第一表面相同的ー侧;一第二 I型半导体层，位于该第三P型半导体层上；以及ー第三N型半 导体层，位于该第二 I型半导体层上。其中，该第二 P-N接合半导体包含一第四N型半导体层，位于该第二金属基板与该第二表面相同的ー侧；以及一第四P型半导体层，位于该第四N型半导体层上，且位于该第四N型半导体层与该第二下电极层之间。其中，该第一 P-N接合半导体包含一第二 N型半导体层，位于该第一金属基板与该第二表面相同的ー侧；一第一绝缘体，位于该第一金属基板与该第二表面相同的ー侧且紧邻该第二 N型半导体层；以及ー第二 P型半导体层，位于该第一绝缘体上，且位于该第一绝缘体与该第一下电极层之间。其中，该第二 P-N接合半导体包含一第四N型半导体层，位于该第二金属基板与该第二表面相同的ー侧；一第二绝缘体，位于该第二金属基板与该第二表面相同的ー侧且紧邻该第四N型半导体层；以及一第四P型半导体层，位于该第二绝缘体上，且位于该第二绝缘体与该第二下电极层之间。其中，该第一金属基板与该第二金属基板的材质选自由金、银、铜、铁、锡、铟、铝及钼所组成的群组中的ー种材质；该第一光电转换层欧姆接触该第一金属基板的该第一表面，该第一 P-N接合半导体欧姆接触该第一金属基板的该第二表面；该第二光电转换层欧姆接触该第二金属基板的该第一表面，该第二 P-N接合半导体欧姆接触该第二金属基板的该第二表面；该第一上电极层、该第一下电极层、该第二上电极层与该第二下电极层的材质包含铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物或铟锗锌氧化物；该第一光电转换层与该第二光电转换层的材质包含非晶硅、多晶硅、碲化镉、铜铟镓硒、神化镓或聚合物；该第一 P-N接合半导体与该第二 P-N接合半导体的材质包含非晶硅、多晶硅、碲化镉、铜铟镓硒或砷化镓。本专利技术的一技术态样为ー种电子装置。根据本专利技术ー实施方式，一种电子装置包含显示器、输入接收单元、控制单元与上述太阳能电池模块。显示器用以显示影像。输入接收单元用以接受输入命令。控制单元电性耦接显示器与输入接收单元，用以根据输入接收单元接收的输入命令控制显示器显示对应的影像。太阳能电池模块电性耦接显示器、输入接收单元及控制单元，用以提供显示器、输入接收单元及控制单元电源。本专利技术的一技术态样为ー种太阳能太阳能电池的制造方法。根据本专利技术ー实施方式，一种太阳能电池的制造方法，包含下列步骤提供第一金属基板，其具有分别位于相反侧的第一表面与第二表面。在第一表面上沉积或涂布第一 P型半导体层。在第一 P型半导体层上沉积或涂布第一 I型半导体层。在第一 I型半导体层上沉积或涂布第一 N型半导体层。 在第一 N型半导体层上形成第一上电极层。在第二表面上沉积或涂布第二 N型半导体层。在第二 N型半导体层上沉积或涂布第二 P型半导体层。在第二 P型半导体层上形成第一下电极层。在本专利技术上述实施方式中，第二上电极层位于第二光电转换层上且电性耦接第一金属基板。第二 P-N接合半导体位于第二金属基板的第二表面上。此外，第二下电极层位于第二 P-N接合半导体相对于第二金属基板的对侧，且电性耦接第一金属基板。当使用此太阳能电池模块时，第二太阳能电池并未被遮蔽，电流可从第一金属基板经由第二上电极层流入，并经过第二光电转换层后从第二金属基板流出。当第二太阳能电池被遮蔽吋，电流可从第一金属基板经由第二下电极层流入，并经过第二 P-N接合半导体后从第二金属基板流出。也就是说，太阳能电池模块的太阳能电池虽未电性耦接ニ极管，但仍可具有ニ极管等效电路，以避免阴影效应导致电カ无法输出，使太阳能电池模块能持续工作而不损坏。此外，第二 P-N接合半导体与第二下电极层可在制本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.ー种太阳能电池模块，其特征在于，包含 一第一太阳能电池，包含 一第一金属基板，具有分别位于相反侧的ー第一表面与一第二表面； 一第一光电转换层，位于该第一金属基板与该第一表面相同的一侧； 一第一上电极层，位于该第一光电转换层上； 一第一 P-N接合半导体，位于该第一金属基板与该第二表面相同的ー侧；以及 一第一下电极层，位于该第一 P-N接合半导体相对于该第一金属基板的对侧；以及 一第二太阳能电池，包含 一第二金属基板，具有分别位于相反侧的ー第一表面与一第二表面； 一第二光电转换层，位于该第二金属基板与该第一表面相同的ー侧； 一第二上电极层，位于该第二光电转换层上，且电性耦接该第一金属基板； 一第二 P-N接合半导体，位于该第二金属基板与该第二表面相同的ー侧；以及一第二下电极层，位于该第二 P-N接合半导体相对于该第二金属基板的对侧，且电性耦接该第一金属基板。2.根据权利要求I所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第一光电转换层包含 一第一 P型半导体层，位于该第一金属基板的该第一表面上； 一第一 I型半导体层，位于该第一 P型半导体层上；以及 一第一 N型半导体层，位于该第一 I型半导体层上。3.根据权利要求I所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第一P-N接合半导体包含 一第二 N型半导体层，位于该第一金属基板与该第二表面相同的ー侧；以及 一第二 P型半导体层，位于该第二 N型半导体层上，且位于该第二 N型半导体层与该第一下电极层之间。4.根据权利要求I所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第二光电转换层包含 一第三P型半导体层，位于该第二金属基板与该第一表面相同的ー侧； 一第二 I型半导体层，位于该第三P型半导体层上；以及 一第三N型半导体层，位于该第二 I型半导体层上。5.根据权利要求I所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第二P-N接合半导体包含 一第四N型半导体层，位于该第二金属基板与该第二表面相同的ー侧；以及 一第四P型半导体层，位于该第四N型半导体层上，且位于该第四N型半导体层与该第ニ下电极层之间。6.根据权利要求I所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第一P-N接合半导体包含 一第二 N型半导体层，位于该第一金属基板与该第二表面相同的ー侧； 一第一绝缘体，位于该第一金属基板与该第二表面相同的ー侧且紧邻该第...
【专利技术属性】
技术研发人员：涂峻豪，龚国森，詹仁宏，萧雅之，林亭均，吴唯诚，曾任培，张钧杰，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。