一种提高硅太阳能电池光电转换效率的方法和装置制造方法及图纸

技术编号:7701004 阅读:253 留言:0更新日期:2012-08-23 07:39
本发明专利技术公开了一种提高硅太阳能电池光电转换效率的方法,其将太阳能电池片以多点固定的方式紧密固定在一磁致伸缩层上,然后在该磁致伸缩层的两端形成静磁场。还公开了一种提高硅太阳能电池光电转换效率的装置,包括太阳能电池片;它还包括一磁致伸缩层,磁致伸缩层和电池片的非受光面通过胶粘连成复合层状结构;磁致伸缩层的两端分别设有磁场N极和磁场S极。本发明专利技术的主要有益效果是:可提高硅太阳能电池的光电转换效率;可实现对太阳能电池电容、电阻的非触控式调节;结构简单,制造方便,成本低,可广泛用于晶体硅太阳能电池领域以提高其光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能发电
,特别涉及一种提高硅太阳能电池光电转换效率的方法和装置
技术介绍
太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源,也是清洁能源,不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中,太阳能光电利用是近些年来发展最快,最具活力的研究领域,是其中最受瞩目的项目之一。目前,硅太阳能电池的结构是单个硅片或串联、并联后的多个硅片。其原理是直接利用硅太阳能电池的光伏效应将光能转换成电能。由于硅太阳能电池自身的损耗、电路的连接方式、照射光的光谱、环境的温度等的原因,硅太阳能电池的效率一般在14-17%,可见现有技术的硅太阳能电池的光电装换效率较低。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决硅太阳能电池转换效率低的问题,提供一种提高硅太阳能电池光电转换效率的方法。本专利技术的另一目的是提供一种提高硅太阳能电池光电转换效率的装置。为实现第一个专利技术目的,所采用的技术方案是这样的提高硅太阳能电池光电转换效率的方法,其特征在于将太阳能电池片以多点固定的方式紧密固定在一磁致伸缩层上,然后在该磁致伸缩层的两端形成静磁场。所述的磁致伸缩层的组成材料为Terfenol-D合金。为实现第二个专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高硅太阳能电池光电转换效率的方法,其特征在于将太阳能电池片以多点固定的方式紧密固定在一磁致伸缩层上,然后在该磁致伸缩层的两端形成静磁场。2.如权利要求I所述的一种提高硅太阳能电池光电转换效率的方法,其特征在于所述的磁致伸缩层的组成材料为Terfenol-D合金。3.一种提高硅太阳能电池光电转换效率的装置,包括太阳能电池片;其特征在于它还包括一磁致伸缩层,磁致伸缩层和 电池片的非受光面通过胶粘连成复...

【专利技术属性】
技术研发人员:贾艳敏方聪高培杰何佳君武峥
申请(专利权)人:浙江师范大学
类型:发明
国别省市:

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