具有多个读传感器的换能器头制造技术

技术编号:7700699 阅读:229 留言:0更新日期:2012-08-23 06:56
为了改善在写至存储介质过程中一致的数据磁道,将多个读传感器固定于换能器头。在一种实现中,换能器头包括位于写磁极上行磁道的多个读传感器。在另一实现中,换能器头包括位于写磁极上行磁道的至少一个读传感器以及位于写磁极下行磁道的至少一个读传感器。多个读传感器相对于写磁极的各个位置可以是独特的。所选择的读传感器的一个或多个读信号用来确定读位置,并因此确定写磁极相对于存储介质的位置。

【技术实现步骤摘要】
具有多个读传感器的换能器头
技术实现思路
ー种换能器头,其包括写磁极和所处位置离开写磁极具有偏移的多个读传感器。偏移可代表沿数据磁道方向的距离和/或沿横越数据磁道方向的距离。提供本
技术实现思路
以便以简化的形式介绍将在以下具体实施方式中进ー步描述的ー些概念。本
技术实现思路
并不g在标识所要求保护主题的关键特征或必要特征,也不g在用于限制所要求保护主题的范围。所要求保护主题的其它特征、细节、用途以及优势将从下面更具体的对各种实现的书面描述以及如附图中进ー步示出和在所附权利要求书中进一歩定义的实现中清楚地知道。附图简沭 所描述的技术可从下面结合附图对各种实现的详细说明中得到最好的理解。图I示出具有多个读传感器的示例性换能器头的平面图。图2示出具有多个读传感器的示例性换能器头的透视图,所述读传感器位于写磁极的上行磁道。图3A和3B示出在读传感器组中具有多个读传感器的示例性换能器头的两个示图,所述读传感器组位于写磁极的上行磁道。图4A和4B示出具有多个读传感器组的示例性换能器头的两个示图,所述读传感器组中的每ー个组具有多个读传感器并位于写磁极的下行和上行磁道。图5A和5B示出具有多个读传感器组和多个读屏蔽物的示例性换能器头的两个示图,所述读传感器组位于写磁极的上行磁道。图6示出一流程图,该流程图示出了使用多个读传感器以适应换能器头与存储介质的各种对准从而在写过程中維持一致的数据磁道的示例性操作。具体实施例方式在通过换能器头对硬盘驱动器作写操作的过程中,换能器头可使用读传感器对包含位置信息的基准磁道进行读取。基于由读传感器从存储介质检测到的读信号,存储系统(例如硬盘驱动器)可确定读传感器相对于存储介质的位置,并因此确定写磁极相对于换能器头上的读传感器定位的位置。如此,读传感器有益于维持写磁极与存储介质上的目标数据磁道的对准。在一些实现中,基准磁道与目标数据磁道是同一磁道并存储位置信息,该位置信息由读传感器读出以确定写磁极在目标数据其它地方的位置。在ー种替代实现中,基准磁道与目标数据磁道(例如专用基准磁道或另ー数据磁道)隔开并存储由读传感器读出的位置信息以确定写磁极相对于目标数据磁道的位置。在两种实现中,由读传感器读出的位置信息可用来管理由写磁极产生的写信号的位置和时序。然而,在某些情况下,数据磁道和换能器头之间的夹角可改变写磁极和特定读传感器之间相对于存储介质上的ー个或多个磁道的对准。如果当头跨越存储介质的表面从内径(ID)向外径(OD)移动时读传感器/写磁极的对准没有实质变化,则认为读传感器和写磁极保持着相对一致的磁道。相反,即使对准中的微小变化也能造成不一致的循迹并因此妨碍在具有高磁道密度的磁性记录盘上读写数据。然而,被描述的技术为单个换能器头提供了多个读传感器,由此显著増加了在任何操作角的情况下多个读传感器中的ー个或多个将对准在对于写磁极合适的基准磁道上的可能性。位图案化介质(BPM)被构想成为用于显著增加面密度的一个选项,该种介质涉及一种用于将数据记录在被结构性地形成在存储介质中的磁性単元一致性阵列中的磁存储技木。BPM単元可通过各种过程被预图案化,例如但不局限于,光刻法、离子铣削等。例如,每个磁性単元可使用光刻法预布图在存储介质中,通过光刻法使用高分辨率电子束来记录掩模图案。掩模图案用来对沉积在存储介质表面上的磁性材料选择性地蚀刻磁性単元。在一种实现中,每个磁性単元存储单个位并通过存储介质一有限的非磁性区与所有其它单元隔开。随着面密度的増加,使换能器头的读传感器和写磁极保持对准在目标数据磁道上 会变得更具挑战性,尤其对于BPM所提供的尺寸而言。例如,写磁极和读传感器在数据磁道方向上的距离可以比BPM上的相应距离大ー个数量级。然而,包含多个读传感器的换能器头增加了来自至少ー个读传感器的读信号将返回与写磁极位置对应的有益基准磁道信息的可能性。当对盘进行写操作吋,具有多个读传感器的换能器头能更好地保持写磁极与所要求的目标磁道的对准。例如,多个读传感器增加了读传感器中的至少ー个处在对于写磁极合适的基准磁道上的可能性。处理读传感器在所述合适基准磁道中的位(例如,记录在単元或岛中)上获得的读信号可允许写磁极在写的过程中保持一致的磁道。在一种实现中,换能器头包括相对于写磁极位于上行磁道的多个读传感器。在另ー种实现中,换能器头包括相对于写磁极位于上行磁道的多个读传感器,其中一些读传感器由读屏蔽物隔开。在又ー实现中,换能器头包括相对于写磁极位于上行磁道的至少ー个读传感器以及相对于写磁极位于下行磁道的至少ー个读传感器。图I示出具有多个读传感器116的示例性换能器头120的平面附图说明图100。盘108在操作中绕盘着转轴112旋转。此外,盘108包括外径102和内径104,在两者之间有许多同心的数据磁道106,在附图中以环形虚线表示。数据磁道106基本为环形并由规则间隔的图案化位122构成,这些位被图示为盘108上的点或椭圆并示出在局部放大图123中。然而应当理解,所述技术可与其它类型的存储介质一起使用,包括连续磁性介质和离散磁道(DT)介质。可将信息写至盘108上不同数据磁道106中的图案化位122并可从所述图案化位中读出信息。换能器头120安装于致动器组件110上,位于致动器转轴114的远端,并在盘工作过程中贴近盘108的表面在上方飞行。致动器组件110在寻道操作过程中绕位于盘108附近的致动器转轴114转动。寻道操作将换能器头120定位在目标数据磁道之上。局部放大图123示出具有相对于数据磁道106位于写入器118 (图示为写磁极)上行磁道的一排三个读传感器116的换能器头(致动器组件110被省略)。在一种实现中,当盘108沿基本圆形的方向124转动时,换能器头120沿目标数据磁道前迸。在换能器头120位于目标数据磁道上的时候,换能器头的轴140(例如由贯穿中央读传感器和写入器118的直线界定)相对于目标数据磁道在换能器头120处的切线142成一角度(见夹角144)。通过将多个读传感器116引入到换能器头120上,存储系统可监视来自读传感器116中的每ー个的读信号,使用这些读信号中的一个或多个来确定写入器118相对于目标数据磁道的位置。在一种实现中,读传感器116中的一个或多个将有可能被对准在与写入器118相同的数据磁道(例如基准磁道)上,从而获得准确的定位信息。在另ー实现中,读传感器116中的一个或多个将有可能被对准在分开的基准磁道(例如专用基准磁道或包含与目标数据磁道相关的位置信息的另ー数据磁道)上。此外,在一种实现中,换能器头120在写过程之前执行读操作,以将换能器头120保持在目标数据磁道上,尽管也可采用其它写过程。为解说目的,数据磁道方向代表沿数据磁道的圆周或切线的方向,而横越磁道方向代表横越过磁道宽度的方向(例如沿半径)。“上行磁道”指头相对于磁道行进的方向。通过配置换能器头,使多个读传感器布置在离开写磁极具有独特的数据磁道方向偏移和横越磁道方向偏移的位置,増加了读传感器中的至少ー个充分对准于与写磁极相同的数据磁道的可能性。图2示出具有位于写磁极215上行磁道的多个读传感器225的示例性换能器头200的透视图。标明为X、Y、Z的轴仅g在解说目的并且不对本专利技术的范围构成限制。在图2中,X轴表示换能器头200的长本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.02.16 US 13/028,9151.ー种方法,包括 使用固定于换能器头的多个读传感器中的至少ー个来检测来自存储介质数据磁道的读信号。2.如权利要求I所述的方法,其特征在于,还包括 基于所述读信号,确定固定于所述换能器头的写磁极的位置。3.如权利要求I所述的方法,其特征在于,还包括 基于所述读信号,调整所述换能器头的径向定位。4.如权利要求I所述的方法,其特征在于,所述读传感器中每ー个读传感器的位置相对于写磁极具有沿所述数据磁道方向的独特偏移,其中所述写磁极固定于所述换能器头。5.如权利要求I所述的方法,其特征在于,所述读传感器中每ー个读传感器的位置相对于写磁极具有数据磁道方向偏移和横越磁道方向偏移的独特组合,其中所述写磁极固定于所述换能器头。6.如权利要求I所述的方法,其特征在于,所述存储介质数据磁道设置在存储介质的表面上,所述方法还包括 基于所述换能器头相对于所述存储介质表面的径向定位,选择所述多个读传感器中的至少ー个。7.如权利要求I所述的方法,其特征在于,还包括 在所述多个读传感器中选择至少ー个相比所述多个读传感器中ー个或多个未被选择的读传感器具有相对较高信噪比的读传感器。8.如权利要求I所述的方法,其特征在于,所述多个读传感器中的至少ー个个体的读传感器位于写磁极的上行磁道,并且所述多个读传感器中的至少ー个其它的个体读传感器位于所述写磁极的下行磁道,其中所述写磁极固定于所述换能器头。9.如权利要求I所述的方法,其特征在于,还包括 在回读操作过程中,将来自所述多个读传感器中的至少两个读传感器的读信号組合,所述组合提高了所述回读操作过程中由所述换能器头检测到的读数据的信噪比。10.一种系统,包括 换能器头;以及 固定于所述换能器头的多个读传感器。11.如权利要求10所述的系统,其特征在于,所述读传感器被配置成检测来自存储介质...

【专利技术属性】
技术研发人员:高凯中O·赫诺尼恩陈永华
申请(专利权)人:希捷科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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