滤波范围430～630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器及其制作方法技术

滤波范围430~630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，滤波器包括光子晶体层和镜头玻璃，光晶晶体层设置在镜头玻璃表面，光子晶体层由10层A介质层和10层B介质层相互交替叠加构成（AB）5（BA）5型复合结构，用传输矩阵法仿真了一维光子晶体的传输特性曲线，在理论分析的基础上设计了一种无掺杂结构的光子晶体光学滤波器，采用简单的无掺杂光子晶体结构，只是改变了一次光子晶体镀膜顺序，大大降低了加工难度和对精度的要求。根据需要透过的单色光频率选择合适的光子晶体结构参数，实现单色光透过的滤波器，该一维光子晶体光学滤波器对选定频率单色光透过率达到100%。成熟的镀膜技术可以方便地将一维光子晶体膜系加工在光学透镜表面，该发明专利技术可广泛应用于需要各种需要单色光透过的光学仪器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光子晶体领域，具体涉及实现对选定频率単色光高透过的ー维光子晶体光学滤波器及其该滤波器的制作方法。
技术介绍
自1987年E. Yablonovitch在研究如何抑制自发辐射时和S. John在研究光子局域时分别独立提出光子晶体的概念以来，光子晶体的结构、制备和量子电动力学特性研究开始备受人们关注并得到广泛的研究。早期大部分的研究工作都是集中在ニ維和三维光子晶体，直到1998年Fink，Winn，Chigrin等人的工作才开始了ー维光子晶体的研究。一维光子晶体结构简单，易于制造，同时也具备高维光子晶体的性质，得到了广泛的应用。光子晶体禁带形成是因为其折射率严格周期性分布，这种严格的周期性结构一旦受到破坏，光子晶体的传输特性将发生改变。常见的ー维光子晶体滤波器都是采用掺杂结构的光子晶体，有意地引入特定的掺杂缺陷改变光子晶体严格周期结构，由此种光子晶体制成的滤波器结构不稳定，滤波器效果不明显，不能够广泛制作，并加以推广。
技术实现思路
本专利技术为解决上述技术问题，提供采用简单的无掺杂光子晶体结构，只是改变了一次镀膜顺序，大大降低了加工难度和对精度的要求。根据需要透过的単色光频本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.滤波范围43(T630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器,其特征在于滤波器包括光子晶体层(I)和镜头玻璃(2)，光晶晶体层(I)设置在镜头玻璃(2)表面，光子晶体层(I)由10层A介质层和10层B介质层相互交替叠加构成(AB)5 (BA)5型复合结构，所述的A为砷化镓，B为ニ氧化娃，其中(AB)5表示5层A介质和B介质交替叠加构成的复合介质层,其中A介质层的厚度为38. 118nm, B介质层的厚度为59. 9nm,该复合介质层设置在光子晶体层(I)的内侧，并与镜头玻璃连接；其中(AB)5表示5层A介质和B介质交替叠加构成的复合介质层，其中A介质层的厚度为38. 118nm,B介质层的厚度为59. 9nm,该复合介质层设置在光子晶体层(2)外側。2.如权利要求I所述的滤波范围43(T630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，其特征在干所述的A介质层的折射率为 = ，B介质层的折射率为ち= 2.22 ,A介质层的厚度为，B介质层的厚度为b = Af Ans，中心波长取532nm。3.如权利要求I所述的滤波范围43(T630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器的制作方法，其特征在干 步骤一、取一个镜头玻璃作为基板，将基板双面抛光，备用； 步骤ニ、将加工好的基板表面进行清洁化处理，采用酸性清洗液和去离...

【专利技术属性】
技术研发人员：李萍，胡志刚，雷万军，杨晓利，宋霄薇，乔晓岚，娄丽敏，张瑞，
申请(专利权)人：河南科技大学，
类型：发明
国别省市：