本发明专利技术提供记录特性优异的光信息记录介质用记录层、具备该记录层的光信息记录介质及对上述记录层的形成有用的溅射靶。该光信息记录介质用记录层是通过激光的照射进行记录的记录层，其特征在于，含有氧化物相对于1mol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的金属(以下，称为X金属)的氧化物和氧化Pd，该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd，且Pd原子相对于记录层中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4～85原子％。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光信息记录介质用的记录层、光信息记录介质及对该记录层的形成有用的溅射靶。
技术介绍
光信息记录介质(光盘)以⑶、DVD、BD等光盘为代表，根据记录再生方式，大致分为再生专用型、追记型及重写型这3种。其中，追记型光盘的记录方式主要分为使记录层发生相变化的相变化方式、使多个记录层发生反应的层间反应方式、使构成记录层的化合物分解的方式、在记录层上局部形成孔及坑等记录标记的开孔方式。在所述相变化方式中，作为记录层的材料提出了一种利用了基于记录层的结晶化的光学特性的变化的材料。例如在专利文献I中，提出了含有Te-0-M(M是从金属元素、半金属元素及半导体元素中选出的至少I种元素)的记录层，在专利文献2中提出了含有Sb及Te的记录层。作为所述层间反应方式的光信息记录介质的记录层，例如在专利文献3中提出了如下记录层，其中，第一记录层为由含有In-O-(Ni、Mn、Mo)的合金构成的层，且第二记录层为由含有Se及/或Te元素、0(氧)、及从Ti、Pd、Zr中选出的一个元素的合金构成的层。另外，在专利文献4中提出了层叠第一记录层以In为主成分的金属、以及第二记录层含有属于5B族或6B族的至少I种元素的氧化物以外的金属或非金属，通过基于加热的反应或合金化来进行记录。作为使构成所述记录层的化合物分解的方式的记录层，例如在专利文献5中示出了以氮化物为主成分的记录层，并研讨了通过加热使该氮化物分解而进行记录的材料及有机色素材料。作为所述开孔方式的记录层，研讨了由低熔点金属材料构成的记录层。例如在专利文献6中提出了由在Sn合金中添加了 3B族、4B族、5B族的元素的合金构成的记录层。另夕卜，在专利文献7中提出了由含有I 50原子％的范围的Ni及/或Co的Sn基合金构成的记录层。此外，在专利文献8中示出了由含有20 65原子％的Co的In合金、以及在此基础上还含有19原子％以下的从Sn、Bi、Ge、Si中选出的I种以上的元素的In合金构成的记录层。在先技术文献专利文献专利文献I :日本国特开2005-135568号公报专利文献2 :日本国特开2003-331461号公报专利文献3 :日本国特开2003-326848号公报专利文献4 :日本国专利第3499724号公报专利文献5 :国际公开第2003/101750号文件专利文献6 :日本国特开2002-225433号公报、专利文献7 :日本国特开2007-196683号公报专利文献8 :日本国专利第4110194号公报作为光信息记录介质所追求的要求特性，主要追求具有足以再生的反射率、能够以实用性的记录激光功率进行记录(具有高记录灵敏度)、记录信号具有足以再生的信号振幅(闻调制度)及/[目号强度闻(闻C/N比)等。但是，作为现有技术而公开的记录材料，难以由记录材料单体满足这些要求特性，在所述相变化方式中，由于单独记录层 的反射率低，所以为了提高光盘状态下的反射率需要设置反射膜，且为了增加调制度，在记录层上下还需要设置ZnS-SiO2等电介质层，从而构成光盘的层数增多。另外，在所述层间反应方式中也需要设置多个记录层，所以构成光盘的层数增多。因此存在膜层数增多而使得生产率下降的问题。与此相对，在所述开孔方式中，记录层自身的反射率高，而且还能够确保大的调制度，所以能够减少构成光盘的层的数目，但为了达到更高的记录灵敏度还需要进一步的研讨。另外，还要求上述记录层的耐久性(特别是对高温高湿的耐久性)。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而实现的，其目的在于提供在减少光盘层数的同时满足上述要求特性，从而能够提高光信息记录介质的生产率的光信息记录介质用记录层、具备该记录层且记录层的耐久性(特别是，对高温高湿的耐久性)优异的光信息记录介质、及对该记录层的形成有用的溅射靶。本专利技术包括以下方式。(I) 一种光信息记录介质用记录层，其通过激光的照射进行记录，其特征在于，是如下的记录层含有氧化物相对于Imol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的X金属的氧化物和氧化Pd，该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd，且Pd原子相对于记录层中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4 85原子％。(2)根据上述(I)所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于，所述X金属是从由Sn、Zn、Bi、Ge、Co、W、Cu及Al构成的群中选择的I种以上。(3)根据上述(I)或(2)所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于，二氧化Pd相对于所述一氧化Pd和二氧化Pd的合计的比率为5 70摩尔％。(4)根据上述(I) (3)中任一项所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于，膜厚为5 IOOnm。(5)根据上述(I) (4)中任一项所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于，在照射激光的部分生成气泡，发生体积变化而进行记录。(6) 一种光信息记录介质，其具备通过激光的照射进行记录的记录层，其特征在于，所述记录层含有氧化物相对于Imol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的X金属的氧化物和氧化Pd，该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd，且Pd原子相对于记录层中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4 85原子％。(7)根据上述(6)所述的光信息记录介质，其特征在于，还具备与该记录层邻接而形成的电介质层。(8)根据上述(6)或(7)所述的光信息记录介质，其特征在于，所述记录层中所含的X金属是从由Sn、Zn、Bi、Ge、Co、W、Cu及Al构成的群中选择的I种以上。 (9)根据上述(6) (8)中任一项所述的光信息记录介质，其特征在于，二氧化Pd相对于所述记录层中所含的一氧化Pd和二氧化Pd的合计的比率为5 70摩尔％。(10)根据上述(7) (9)中任一项所述的光信息记录介质，其特征在于，所述电介质层含有氧化物、氮化物、硫化物、碳化物或它们的混合物。其中，上述(10)的光信息记录介质优选是，所述电介质层由氧化物、氮化物、硫化物、碳化物或它们的混合物实质性构成的(7) (9)中任一项所述的光信息记录介质，更优选是，所述电介质层由氧化物、氮化物、硫化物、碳化物或它们的混合物构成的(7) (9)中任一项所述的光信息记录介质。(11)根据上述(10)所述的光信息记录介质，其特征在于，构成所述电介质层的所述氧化物是从由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi及Mg构成的群中选择的I种以上元素的氧化物，所述氮化物是从由Si、Ge及Ti构成的群中选择的I种以上元素的氮化物，所述硫化物是Zn硫化物，所述碳化物是从由Si、Ti及W构成的群中选择的I种以上元素的碳化物。(12)根据上述(7) (11)中任一项所述的光信息记录介质，其特征在于，所述电介质层的膜厚为2 40nm。(13)根据上述(6) (12)中任一项所述的光信息记录介质，其特征在于，所述记录层的膜厚为5 lOOnm。(14)根据上述(6) (13)中任一项所述的光信息记录介质，其特征在于，在所述记录层中照射激光的部分生成气泡，发生体积变化而进行记录。(15) 一种溅射靶，其是上述⑴ (14)中任一项所述的记录层形成用的溅射靶，其特征在于，含有X金属的氧化物和Pd，且Pd原子相对于溅射靶中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4 85本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：田内裕基，志田阳子，三木刚，曾根康宏，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：
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