光学信息记录介质以及光学信息记录介质记录层制造技术

本发明专利技术公开了光学信息记录介质以及光学信息记录介质记录层。该光学信息记录介质包括：基板；设置在基板上的两个以上记录层；和设置在记录层上的保护层，其中，基板和保护层侧的其中一个表面为光照射面，除位于距离光照射面最深位置处的记录层之外的记录层中的至少一层包括W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物作为主要成分，并且分别包括在W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系0.17≤x1，其中，x1＝a/(b+0.8c)，式中，a为W相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)，b为Pd相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)以及c为Cu相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光学信息记录介质、其制造方法以及光学信息记录介质记录层。详细地，本专利技术涉及具有两个以上记录层的光学信息记录介质。
技术介绍
迄今为止，光学信息记录介质的市场由CD (紧凑型光盘)、DVD (数字多功能光盘)等引领。然而，近年来，随着高清晰度电视的迅速增加以及由PC(个人电脑)处理的数据剧增，需要进ー步増加光学信息记录介质的容量。为了满足这种需要，与诸如BD (蓝光光盘(注册商标))的蓝色激光兼容的大存储光学信息记录介质已经出现，并且新的大存储信息记录介质的市场正在建立。尽管存在以⑶-RW(可重写紧凑型光盘)和DVD土RW(可重写数字多功能光盘)为代表的可重写光学信息记录介质以及以CD-R(可记录紧凑型光盘)和DVD-R(可记录数字多功能光盘)为代表的一次写入型光学信息记录介质作为可记录光学信息记录介质，但是后者作为低成本介质特别明显有利于市场扩大。因此，为了扩大市场，利用与蓝色激光兼容的大存储光学信息记录介质，降低一次性写入型光学信息记录介质的成本同样视为很重要。此外，一般而言，与硬盘驱动器(HDD)或者闪存存储器相比，光学信息记录介质由于其记录和再生原理而具有高存储可靠性，并且需要作为档案介质(archival media)使用，从而开始用于关键信息的存储。作为用于一次写入型光学信息记录介质的记录材料，存在无机材料和有机颜料材料。尽管有机顔料材料一直被主要考虑为现有技术的一次写入型光学信息记录介质的记录材料，但对于近年来的大存储光学信息记录介质，无机材料也正在被广泛考虑为用作记录材料。例如，在日本未审查专利申请公开第2010-137545号中提出包括In氧化物和Pd氧化物的无机记录层，其中，Pd氧化物包括一氧化钯和ニ氧化钯，以及Pd原子相对于In原子和Pd原子的总量之比为6原子百分比至60原子百分比。此外，在日本未审查专利申请公开第2010-218636号中提出了包括In和Sn的一种或者两种、Pd和O的无机记录层。顺便提及，近年来，为了进一歩增加诸如DVD和BD的可记录高密度光学信息记录介质中的记录容量，已经广泛采用了増加记录层数的技木。对于多层光学信息记录介质，使用穿过记录层透射到位于最深位置处的记录层的前侧的激光，来执行信息信号相对于定位在距离信息读取面侧最深位置处的记录层的记录和再生。因此，记录层越多，激光在到达定位于最深位置处的记录层之前所透过的记录层越多，并且期望除了定位在距离信息读取面侧最深位置处的记录层之外的记录层具有高透射率。对于一次写入型光学信息记录介质，通过增加记录层数来进ー步増大记录容量的需求也正在増加，并且无机记录层的透射率的提高是满足这种需求的重要技木。专利技术内期望提供ー种具有优良透射率特性的光学信息记录介质及其制造方法以及光学信息记录介质记录层。根据本专利技术的第一实施方式，提供ー种光学信息记录介质，包括基板；设置在基板上的两个以上记录层；以及设置在记录层上的保护层，其中，基板和保护层的其中一侧的表面为其上照射有用于将信息信号记录在两个以上记录层上的光的光照射面，除位于距离所述光照射面最深位置处的记录层之外的记录层中的至少ー层包括W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物作为主要成分，以及分别包括在W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系O. 17彡X1，其中，X1 = a/(b+0. 8c)，式中，a为W相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)，b为Pd相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)以及c为Cu相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)。根据本专利技术的第二实施方式，提供ー种光学信息记录介质记录层，包括作为主要成分的W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物，其中，分别包括在W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系O. 17 ( X1，其中，X1 = a/(b+0. 8c)，式中，a为W相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)，b为Pd相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)，以及c为Cu相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)。根据本专利技术的第三实施方式，提供ー种光学信息记录介质制造方法，该方法包括以下步骤使用光学信息记录介质靶材通过至少与氧气反应溅射来形成金属氧化物记录层，其中，光学信息记录介质靶材包括W、Pd和Cu作为主要成分，以及W、Pd和Cu之比满足关系0.17彡X1，其中，X1 = a/(b+0. 8c)，式中，a为W相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)，b为Pd相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比),以及c为Cu相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)。根据本专利技术的第一实施方式，保护层的厚度没有特别限制，并且保护层包括基板、薄片和涂覆层。作为高密度光学信息记录介质，其中采用诸如薄片或者涂覆层的薄光透射层作为保护层并且通过从光透射层侧照射光来执行信息信号的记录和再生的构造是优选的。在该情况下，采用非透明基板也是可行的。根据光学信息记录介质的格式，用于记录或者再生信息信号的光入射面被适当地设定为保护层侧和基板侧的表面中的至少ー个表面。根据本专利技术的第一实施方式和第二实施方式，分别包括在所述W氧化物、所述Pd氧化物和所述Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系O. 37 ^ X1是优选的。根据本专利技术的第三实施方式，W、Pd和Cu之比满足关系O. 37彡X1是优选的。根据本专利技术的第一实施方式和第二实施方式，分别包括在W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系O. 37彡X1彡I. 26是优选的。根据本专利技术的第三实施方式，W、Pd和Cu之比满足关系O. 37 ^ X1 ^ I. 26是优选的。根据本专利技术的第一实施方 式，优选的是，除位于距离所述光照射面最深位置处的记录层之外的所有记录层均包括W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物作为主要成分，以及分别包括在W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系O. 17 < Xl。在该情况下，X1值对于接近光照射面的记录层更大是优选的。根据本专利技术的第一实施方式，优选的是，满足分别包括在W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比X1对于接近所述光照射面的记录层为更大的关系。根据本专利技术的第一实施方式至第三实施方式，原子比a、原子比b和原子比c分别满足关系10≤a≤70,2≤b≤50和10≤C≤70是优选的。根据本专利技术的第一实施方式和第二实施方式，优选的是，除位于距离光照射面最深位置处的记录层之外的记录层中的至少ー层包括W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物作为主要成分，以及分别包括在W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物中的W、Pd、Cu和Zn之比满足关系O. 17彡X2，其中，X2 = (O. ld+a)/(b+0. 8c)，式中，a为W相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)，b为Pd相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)，c为Cu相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)以及d为Zn相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)。根据本专利技术的第三实施方式，优选的是，光学信息记录介质靶材包括W本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：田畑浩，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：