相变化材料及相变化型存储元件制造技术

具有高结晶温度且非晶相的热稳定性良好的相变化材料，具有一般化学式GexMyTe100-x-y所示的组成，式中，M表示选自Al、Si、Cu、In及Sn构成的群的1种元素，x在5.0～50.0(at.％)、y在4.0～45.0(at.％)范围内进行选择，并满足40(at.％)≤x+y≤60(at.％)。该相变化材料以GexMyLzTe100-x-y-z表示，还含有选自N、O、Al、Si、P、Cu、In及Sn构成的群的至少1种元素L作为追加元素L。此处，z选择为满足40(at.％)≤x+y+z≤60(at.％)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及适用于相变化型存储元件的相变化材料及使用了该材料的相变化型存储元件。
技术介绍
近年来，随着手机等便携型电子机器市场的急速扩大，作为替代闪存(Flash Memory)的新一代不挥发性存储,广泛研究开发的有磁电阻存储(MRAM Magnetoresistive RandomAccess Memory)、铁电存储(FeRAM Ferroelectric Random Access Memory)、相变化型存储(PCRAM :￡hase Change Random Access Memory)等。其中，由于 PCRAM 的存储单元结构简单，因此除了制造成本外，在集成度方面也优于其他存储。PCRAM的信息记录层使用了相变化材料，其利用相变化材料的非晶相(高电阻)与结晶相(低电阻)间的相变化所伴随的电阻变化而记录信息。非晶相与结晶相间的电阻比，为提高数据读取精度，必须在IO2以上。非晶相状态的相变化材料，通过加热至结晶温度Tc以上而变化为结晶相状态，此外，结晶相状态的相变化材料，通过加热至高于结晶温度Tc的熔点Tm以上后急冷，变化为非晶相状态。相变化材料的非晶相与结晶相间的相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：须藤祐司，小池淳一，齐藤雄太，镰田俊哉，
申请(专利权)人：国立大学法人东北大学，
类型：发明
国别省市：