双向开关制造技术

本发明专利技术公开了一种双向开关。双向开关包括半导体元件(101)和衬底电位稳定化部(103)。半导体元件(101)具有第一欧姆电极和第二欧姆电极以及第一栅电极和第二栅电极，该第一栅电极和该第二栅电极从第一欧姆电极一侧依次形成在第一欧姆电极和第二欧姆电极之间。衬底电位稳定化部(103)使衬底的电位成为比第一欧姆电极的电位和第二欧姆电极的电位中校高的电位低的电位。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种双向开关，特别是涉及一种形成在导电性衬底上且由氮化物半导体形成的双向开关。
技术介绍
双向开关，是一种双向地通电、对正负两极性电压都具有耐压性的开关，用作能够高效地转换功率的矩阵交-交转换器的主开关和固态继电器的主开关等。在双向开关中，使以开关时过渡的电压和电流之乘积表示的开关损耗减小、以及使在处于导通状态时由于半导体元件本身的电阻(称其为通态电阻)而产生的导通损耗减小是很重要的。然而，当用以硅(Si)为材料的半导体元件形成双向开关时，由于硅材料本身的限制而难以从现有技术的水平上进一步降低通态电阻。为克服材料上的限制以降低导通损耗，正在研究引入由以GaN(氮化镓)为代表的氮化物类半导体或碳化硅(SiC)等宽带隙半导体形成的半导体元件。宽带隙半导体的击穿电场强度比硅约高十倍，特别是在氮化铝镓(AlGaN)和氮化镓(GaN)的异质结界面上由于自发极化和压电极化而产生电荷。因此，即使是在非掺杂时，也会形成具有 lX1013cm_2以上的面载流子浓度和1000cm2V/sec以上的高载流子迁移率的二维电子气 (2DEG !two-dimensional electron 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：森田竜夫，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：