用于具有亚波长和超波长特征尺寸的光伏电池的有孔电极格栅制造技术

技术编号:7674791 阅读:226 留言:0更新日期:2012-08-12 13:29
公开了一种光伏电池和在光伏电池的光伏半导体基板上形成电极格栅的方法。在一个实施例中,所述光伏电池包含:光伏半导体基板;背电极,其电连接到所述基板的背表面;以及前电极,其电连接到所述基板的前表面。所述基板、所述背电极和所述前电极形成用于在所述基板吸收光时产生电流的电路。所述前电极包含界定众多孔的金属格栅。这些孔可为周期性的、非周期性的、或部分周期性的。所述前电极可通过以下步骤形成:将纳米球沉积在所述基板上;在所述纳米球周围在所述基板上形成金属层;以及去除所述纳米球,从而使界定众多孔的电极格栅存留在所述基板上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般而言涉及太阳能或光能,更具体而言,本专利技术涉及光伏电池。
技术介绍
太阳能长期以来已被视为对行星人口的日益增长的能量需求的解决方案的重要部分。开采化石燃料的増加的成本和对“温室”排放的増加的担忧已进一歩引起对开发替代能量策略(包括太阳能源)的关注。迄今为止,太阳能转换大体上依赖于例如在加热应用中或在热电转换中太阳热能的直接收获,或依赖于经由通过光伏电池的使用而将光子能量向电能的直接转换。已根据两种相异方法开发了光伏电池。初始操作电池使用经适当掺杂而产生平面 p-n结的单晶娃的矩阵。建立于p-n结处的内部(intrinsic)电场通过沿相反方向导引太阳光子产生的空穴与自由电子而产生电压。尽管具有良好转换效率和长期可靠性,但使用单晶硅电池的广泛能量收集受到单晶硅材料及互连处理的异常高成本的阻碍。用以产生光伏电池的第二种方法为将薄的光伏半导体膜沉积于支撑基板上。对材料的要求被最小化,且可提出技术以用于大規模生产。薄膜结构可根据掺杂同质结技术(例如,涉及硅膜的掺杂同质结技木)来设计,或可采用异质结方法,例如,使用CdTe或黄铜矿材料的异质结方法。尽管用于单晶体和薄膜方法两者本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:O·古纳万S·古哈
申请(专利权)人:国际商业机器公司
类型:发明
国别省市:

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