低k1情况下的光刻方法技术

本发明专利技术公开了一种低k1情况下的光刻方法，所述其中R为光刻图形的分辨率，NA为光刻机的数值孔径，λ为曝光光源的波长，K1称为工艺因子或分辨率常数，低k1指k1＜0.4，所述方法采用的光刻胶的光酸产生率高，所述光酸产生率高是指(E-E0)/(E+E0)在1％～50％之间，其中E表示光刻胶中光酸产生的饱和能量，E0表示光刻胶中光酸产生的阈值能量；并且光刻胶在明场下的等效扩散长度＞光刻胶在暗场下的等效扩散长度，其中明场指透光率＞50％，暗场指透光率＜50％。本发明专利技术所述方法可以实现低成本的分辨率增强，并可大大降低生产、设备和材料成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制造中的光刻エ艺。
技术介绍
随着半导体制造的发展，集成度越来越高，単位面积所包含的晶体管个数也在飞速増加。在制造エ艺上衡量集成度的主要指标就是光刻エ艺的分辨率(resolution)，它用来区别硅片表面邻近的特征图形的能力。权利要求1.ー种低kl情况下的光刻方法，所述ki = 一一2，其中R为光刻图形的分辨率，NA为光刻机的数值孔径，、为曝光光源的波长，Kl称为エ艺因子或分辨率常数，其特征是，低 kl指kl < 0. 4，所述方法采用的光刻胶的光酸产生率高，所述光酸产生率高是指(E-EO)/ (E+E0)在1% 50%之间，其中E表示光刻胶中光酸产生的饱和能量，EO表示光刻胶中光酸产生的阈值能量；并且光刻胶在明场下的等效扩散长度 > 光刻胶在暗场下的等效扩散长度，其中明场指透光率> 50%，暗场指透光率< 50%。2.根据权利要求I所述的低kl情况下的光刻方法，其特征是，所述方法采用的光刻胶满足(E-EO)/(E+E0)在 5% 30%之间。3.根据权利要求I所述的低kl情况下的光刻方法，其特征是，所述方法采用的光刻胶满足在明场下的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：