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本发明公开了一种低k1情况下的光刻方法，所述其中R为光刻图形的分辨率，NA为光刻机的数值孔径，λ为曝光光源的波长，K1称为工艺因子或分辨率常数，低k1指k1＜0.4，所述方法采用的光刻胶的光酸产生率高，所述光酸产生率高是指(E-E0)/(E...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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