【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及曝光
，特别是涉及一种曝光工艺和装置。
技术介绍
现有的利用曝光装置对光刻胶曝光的工艺流程为首先将玻璃基板投入曝光流程中，将玻璃基板装载在基板载台上，进行预对位，然后通过抽真空处理将玻璃基板吸附在基板载台上，调整玻璃基板与掩膜版之间的间隙，并实现玻璃基板与掩膜版之间的精确对位，对位完成之后，利用紫外光对玻璃基板上的光刻胶曝光，然后解除玻璃基板与基板载台之 间的真空，将玻璃基板从基板载台上卸载。现有的曝光工艺中，玻璃基板和掩膜版均水平设置，由于掩膜版自身重力的作用，掩膜版很容易发生变形，导致曝光之后图形整体发生形变，影响产品良率。下面以彩膜基板制程为例，描述现有曝光工艺所存在的弊端。图I示出了利用现有曝光工艺对彩膜基板上光刻胶曝光的示意图，涂布有光刻胶3的玻璃基板2被吸附在基板载台I上，掩膜版5固定在掩膜版载台4上，位于玻璃基板2上方一定距离，紫外光6通过掩膜版5对玻璃基板2上的光刻胶3曝光。在图不的曝光方式条件下,掩膜版5放置在掩膜版载台4上的表面状态如图I中所示，虽然掩膜版较厚(通常约8_)，但是由于自重的影响，可以看出掩膜版5表面仍然会有...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：隆清德，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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