超高频传感器安装法兰制造技术

本实用新型专利技术属于一种超高频传感器安装法兰，主要由电器体和高频传感器所组成，在呈圆环体型的法兰盘体中部设有供高频传感器置入的传感器置入孔，传感器置入孔周边的法兰盘体上设有固定传感器的安装孔和密封环凹槽，法兰盘体周边设固定孔，电器体上设接入口，法兰盘体通过螺栓与接入口法兰盘密封固定为一体，高频传感器位于传感器置入孔内并从接入口置入电器体内，高频传感器外侧的法兰盘体中部设传感器接线罩。本实用新型专利技术能方便地将超高频传感器直接安装在绝缘设备内部，具有结构简单，体积小，操作方便，省时省力，监测成本低，提高检测效率和使用效果好的优点。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于一种超高频传感器安装法兰。
技术介绍
GIS绝缘设备中早期故障的主要形式是局部放电，局部放电主要由载流导体表面缺陷、绝缘子表面缺陷、GIS设备筒内在制造和安装过程中存留的自由导电微粒、导电部分接触不良等缺陷所引致。局部放电发生时，激发出频率为300MHZ 3000MHZ的超高频信号(UHF),并在GIS绝缘设备内部以横向电磁波方式传播(即电场方向与传播方向垂直)，在GIS绝缘设备内部没有任何阻隔时，信号衰减极小，而在经过不连续部分或受阻时，如盆式绝缘子、转角、T型连接等信号则产生衰减。UHF信号每经过一个绝缘子，信号强度衰减3 6dB，UHF信号经过断路器、接地开关、互感器等部件都有不同强度的信号衰减，通过对这些部件衰减值的标定，根据各部位UHF传感器检测信号的强弱和时间，可以判断放电发生的位置和发生放电的强度。目前国内多采用外置式超高频传感器，将其安装在绝缘设备的盆式绝缘子屏蔽环的浇注口处，但由于UHF信号经过盆式绝缘子、转角和T型连接后会发生不同程度的衰减，且在经过盆式绝缘子外部屏蔽环时仍然会产生衰减，由于以上因素致使超高频传感器所接收到的信号与原信号相比有较大程度的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈冉，薛江伟，
申请(专利权)人：北京北开电气股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：