一种传感器密封结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种传感器密封结构，包括传感器金属支架形成的密封空腔，在所述密封空腔的内表面金属上涂刷的底涂液层，以及硅橡胶层，所述硅橡胶层与所述传感器密封空腔内表面的金属通过底涂液层粘合为一体，且硅橡胶层是将液化硅橡胶，采用浇注的方式注入所述密封空腔内固化形成的，这种结构可不受传感器结构的限制，能适用于密封各种复杂结构的传感器，而利用硅橡胶高弹性、低压缩变形的特点，可防范传感器支架金属形变对传感器密封性产生影响，同时，由于硅橡胶的高弹性对力传递衰减小，在微量形变的结构中可忽略不计，使得利用本实用新型专利技术实施例的结构进行密封的传感器在反复冲击的情况下，仍可保持传感器弹性支架的弹性支撑和弹力传导。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及传感器领域，尤其涉及一种传感器密封结构。
技术介绍
通常传感器灵敏度会受绝缘电阻的影响，特别是压电传感器产生电荷量会随绝缘值的变化而变化，传感器的绝缘值对传感器输出信号是否正常有直接关 系，而绝缘与密封又是直接相关的，密封条件不好，绝缘值就会越小，当密封条件受各种原因影响下降导致石英压电传感器的绝缘值小于4X 1010 Q，就会导致石英压电传感器信号变差，而当绝缘值小于4 X 109 Q，传感器则无信号输出。可见要保证传感器信号的正常输出，必须保证传感器的良好密封性。目前为了使传感器密封性能达到IP67的要求，一般采用真空密封或充氮密封的方式，然而真空密封和充氮密封均需要专用设备才能实现，均存在实施难度较高的缺点。
技术实现思路
本技术的目的是提供一传感器密封结构，解决传统传感器密封实施难度高的且密封效果不佳的问题，能不受传感器结构的限制，简单实现传感器关键元器件的密封与绝缘。为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供一种传感器密封结构，包括传感器金属支架形成的密封空腔，在所述密封空腔的内表面金属上涂刷的底涂液层，以及硅橡胶层，所述硅橡胶层与所述传感器密封空腔内表面的金属通过底涂液层粘合为一体。优选的，所述硅橡胶层是由液态硅橡胶浇注到所述密封空腔内固化形成的硅橡胶层。优选的，所述底涂液层为硅烷偶连剂钛络合物层。优选的，所述硅橡胶层为GMX-893双组份液体硅橡胶层。优选的，所述底涂液层的厚度为0. 1mm。本技术实施例中，通过底涂液层硅橡胶层与传感器密封空腔内表面的金属粘合为一体，且硅橡胶层是将硅橡胶液化后，采用浇注的方式注入所述密封空腔内固化形成的，这种结构可不受传感器结构的限制，能适用于密封各种复杂结构的传感器，而利用硅橡胶高弹性、低压缩变形的特点，可防范传感器支架金属形变对传感器密封性产生影响，同时，由于硅橡胶的高弹性对力传递衰减小，在微量形变的结构中可忽略不计，使得利用本技术实施例的结构进行密封的传感器在反复冲击的情况下，仍可保持传感器弹性支架的弹性支撑和弹力传导。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图图I为本技术实施例中带密封空腔的传感器的结构示意图；图2为本技术实施例中传感器密封结构的结构示意图；图中标注1_传感器金属支架形成的密封空腔，2-传感器敏感元器件，3-传感器密封空腔的金属内表面，5-底涂液层，6-硅橡胶层。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。参见图1，为本技术实施例中带密封空腔的传感器的结构示意图，本图用于说明本技术密封结构，不作为限定本密封结构使用环境，本技术可用于各种复杂结构的传感器密封。本技术结构中的硅橡胶层位于图I中传感器金属支架形成的密封空腔I内，其通过底涂液层与传感器密封空腔内表面的金属粘合为一体，对传感器敏感元器件2进行密封。参见图2为本技术实施例中传感器密封结构的结构示意图，图2中仅截取的为密封结构中的部分结构作为说明，仅为示意，所述传感器密封结构包括传感器金属支架形成的密封空腔(此处可参见图I的附图标记I所指示空腔)，在所述密封空腔的金属内表面3上涂刷的底涂液层5，以及硅橡胶层6，所述硅橡胶层6与所述传感器密封空腔金属内表面3的金属通过底涂液层5粘合为一体。所述硅橡胶层6是由液态硅橡胶浇注到所述密封空腔内固化形成的硅橡胶层。固化硅橡胶是将已注入液态硅橡胶的传感器放置在40 V -80 °C的环境中固化，直至硅橡胶从液态变为固态形成密封层。优选将已注入液态硅橡胶的传感器放置在800C的环境中固化，在80°C的环境中固化时间大概为30分钟，而在60°C时固化时间大概为4小时，而40°C时的固化时间大概为8小时。在本实施例中，底涂液层为硅烷偶连剂钛络合物层，所述底涂液主要成分为正硅酸四乙酯和钛酸四丁酯等，其成分中的70%是挥发成分，30%为不挥发成分，涂刷的底涂液层的厚度为0. Imm左右，所述底涂液层可将硅橡胶层与需要密封空腔的金属支架粘合为一体，所述硅橡胶层为GMX-893双组份液体硅橡胶，其具体参数见下表，表一表一权利要求1.一种传感器密封结构，其特征在于，包括传感器金属支架形成的密封空腔，在所述密封空腔的内表面金属上涂刷的底涂液层，以及硅橡胶层，所述硅橡胶层与所述传感器密封空腔内表面的金属通过底涂液层粘合为一体。2.如权利要求I所述的传感器密封结构，其特征在于，所述硅橡胶层是由液态硅橡胶浇注到所述密封空腔内固化形成的硅橡胶层。3.如权利要求2所述的传感器密封结构，其特征在于，所述底涂液层为硅烷偶连剂钛络合物层。4.如权利要求3所述的传感器密封结构，其特征在于，所述硅橡胶层为GMX-893双组份液体娃橡胶层。5.如权利要求I至4中任一项所述的传感器密封结构，其特征在于，所述底涂液层的厚度为O. 1mm。专利摘要本技术公开了一种传感器密封结构，包括传感器金属支架形成的密封空腔，在所述密封空腔的内表面金属上涂刷的底涂液层，以及硅橡胶层，所述硅橡胶层与所述传感器密封空腔内表面的金属通过底涂液层粘合为一体，且硅橡胶层是将液化硅橡胶，采用浇注的方式注入所述密封空腔内固化形成的，这种结构可不受传感器结构的限制，能适用于密封各种复杂结构的传感器，而利用硅橡胶高弹性、低压缩变形的特点，可防范传感器支架金属形变对传感器密封性产生影响，同时，由于硅橡胶的高弹性对力传递衰减小，在微量形变的结构中可忽略不计，使得利用本技术实施例的结构进行密封的传感器在反复冲击的情况下，仍可保持传感器弹性支架的弹性支撑和弹力传导。文档编号G01D11/26GK202372194SQ201120536688公开日2012年8月8日 申请日期2011年12月20日 优先权日2011年12月20日专利技术者吕建春, 胡平, 黄晓 申请人:四川兴达明科机电工程有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晓，吕建春，胡平，
申请(专利权)人：四川兴达明科机电工程有限公司，
类型：实用新型
国别省市：