存储介质，再现方法和记录方法技术

公开了存储介质，再现方法和记录方法。BCA包括两个BCA前导部分，两个BCA后同步指令部分，和两个BCA数据区。BCA检错码和BCA纠错码添加到每个BCA数据区。相同的信息项多次记录在两个BCA数据区。即使由于存储介质表面上形成的划痕或灰尘而导致一项数据不能再现，也可以从其它BCA数据区再现数据，提高的数据的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如光盘这样的存储介质，再现方法和存储介质的记录方法。
技术介绍
在例如多媒体数码光盘中，烧录区，系统导入区，连接区，数据导入区和数据区是从其内部的外围侧分配的。标准DVD上的识别信息记录在烧录区中。日本专利No. 330895(图2)中描述了数据结构。这里，只存在一个BCA数据区，被一个BCA前导部分和一个BCA后同步指令部分包围。在传统光盘中，由于只存在一个BCA数据区，因此有可能出现BCA数据由于光盘表面上的灰尘或划痕的影响而不能再现的情况。如上所述，传统光盘中存在BCA数据可靠性低的问题。
技术实现思路
本专利技术的目标是提供BCA数据的可靠性有所提高的。依照本专利技术的一个实施例，存储介质在其内边缘区域包含烧录区，其中烧录区包含多个烧录区数据区。依照本专利技术的另一个实施例，用于从包含烧录区的存储介质再现烧录区数据的方法包括用激光束照射存储介质和基于激光束的反射光束再现烧录区数据的步骤，其中所述烧录区包括多个烧录区数据区。依照本专利技术的另一个实施例，用于记录包含烧录区的存储介质中的烧录区数据的方法包括用激光束照射存储介质的烧录区并基于照射的激光束记录烧录区数据，其中所述烧录区包括多个烧录区数据区。下面将在说明中阐述本专利技术的其它目标和优点，其中一部分可以从说明了解，或者可以通过本专利技术的实践了解。可以通过下面指出的方法和组合了解并掌握本专利技术的目标和优点。附图说明 并入并构成部分说明的附解了本专利技术当前的优选实施例，并与上面给出的优选实施例和下面给出的优选实施例的详细说明一起，用来解释本专利技术的原理，其中图I是本实施例中的信息存储介质和组合方法的构成元素的内容的例图；图2A和2B示出相变型记录膜与基于有机染料的记录膜之间获得再现信号原理的差异的例图，其中图2A示出相变型记录膜，图2B示出基于有机染料的记录膜；图3是示出图I所示信息存储介质组元的特殊内容“ (A3)偶氮+Cu”的特殊结构式；图4是示出用于目前使用的DVD-R光盘的有机染料记录材料的吸收光谱特性的例图；图5A和5B示出相变型记录膜与基于有机染料的记录膜之间预刻凹坑/预刻沟槽区域中光反射层形状的差异的例图，其中图5A示出相变记录膜，图5B示出有机染料记录膜；图6A和6B是示出使用传统有机染料材料的一次性写入型信息存储介质中记录刻记9位置处的特殊透明衬底2-2的塑性变形情况的例图；图7A,7B和7C是关于容易促成记录原通的记录I旲形状和尺寸的例图；图8A，8B和8C是示出记录膜的形状和尺寸的特性的例图；图9是“H-L”记录膜中未记录条件下吸收光谱特性的例图；图10是“H-L”记录膜中记录刻记中吸收光谱特性的例图；图11是依照本专利技术的信息记录/再现设备的实施例中的结构的例图；图12是示出包含图11所示的同步代码位取样单元145的外围部分的详细结构的例图；图13是示出使用限幅电平检测系统的信号处理电路的例图；图14是示出图13的限制器310中的详细结构的例图；图15是示出使用PRML检测技术的信号处理电路的例图；图16是示出图11或图15所示的维特比解码器156中的结构的例图；图17是示出PR(1，2，2，2，1)类中状态转移的例图；图18是示出对驱动器检验区执行检验性写操作的记录脉冲的波长(写策略)的例图；图19是示出记录脉冲形状的精确度的例图；图20A，20B和20C是记录脉冲时序參数设置表的例图； 图21A, 21B和20C是关于检测最佳记录功率时使用的甸个參数的值的例图；图22是示出“H-L”记录膜和“L_H”记录膜中非记录单元的光反射因数范围的例图；图23是从“H-L”记录膜和“L-H”记录膜检测到的检测信号的极性的例图；图24是示出“H-L”记录膜和“L_H”记录膜之间的光反射因数的比较的例图；图25是“L-H”记录膜中未记录条件下的吸收光谱特性的例图；图26是示出“L-H”记录膜中记录和未记录条件下的吸收光谱特性变化的例图；图27是用于“L-H”记录膜的阳离子部分的花青染料的示范性通用分子式；图28是用于“L-H”记录膜的阳离子部分的苯こ烯基染料的示范性通用分子式；图29是用于“L-H”记录膜的阳离子部分的一こ炔花青染料的示范性通用分子式；图30是用于“L-H”记录膜的阴离子部分的甲金属络合物的示范性通用分子式；图31是示出信息存储介质中结构和尺寸的示例的例图；图32是示出只读型信息存储介质中总体参数值的例图；图33是示出一次性写入型信息存储介质中总体参数值的例图；图34是示出可重写型信息存储介质中总体参数值的例图；图35A，35B和35C是比较多种信息存储介质中系统导入区SYLDI和数据导入区DTLDI中的详细数据结构的例图；图36是示出一次性写入型信息存储介质中的RMD不赞成使用区(RMZ deprecation)RDZ和记录位管理区RMZ中的数据结构的例图；图37A，37B, 37C，37D，37E和37F是示出多种信息存储介质中数据区DTA和数据导出区DTLDO中的数据结构的比较的例图；图38是示出记录位置管理数据RMD中的数据结构的例图；图39是示出于图38所示不同的一次性写入型信息存储介质中边界区域的结构的例图；图40是示出一次性写入型信息存储介质中的边界区域的结构的例图；图41是示出控制数据区⑶Z于R物理信息区RIZ中的数据结构的例图；图42是示出物理格式信息PRI和R物理信息格式信息R-PRI中的特殊信息内容的例图；图43是示出记录在数据区DTA上的分配位置信息中的详细信息的内容的比较的例图；图44是示出记录位置管理数据RMD中的详细数据结构的例图；图45是示出记录位置管理数据RMD中的详细数据结构的例图；图46是示出记录位置管理数据RMD中的详细数据结构的例图；图47是示出记录位置管理数据RMD中的详细数据结构的例图；图48是示出记录位置管理数据RMD中的详细数据结构的例图；图49是示出记录位置管理数据RMD中的详细数据结构的例图；图50是示出数据ID中的数据结构的例图；图51是用来结构关于记录位置管理数据RMD中的数据结构的另一个实施例的例图；图52是用来结构关于记录位置管理数据RMD中的数据结构的另一个实施例的例图；图53是示出RMD字段I中的另一个数据结构的例图；图54是与物理格式信息和R物理格式信息相关的另一个实施例的例图；图55是示出与控制数据区中的数据结构相关的另一个实施例的例图；图56是示意地示出用于配置物理扇区结构的转换步骤的例图；图57是示出数据帧中的结构的例图；图58A和58B是示出创建扰乱的帧和反馈电阻器的电路结构时分配给移位寄存器的初始值的例图；图59是ECC区块结构的例图；图60是扰乱的帧结构的例图61是PO交错方法的例图；图62A和62B是示出物理扇区中的结构的例图63是同步码型的内容的例图；图64是示出图61所示的PO交错后的ECC区块的详细结构的例图；图65是基准码型的例图；图66是示出多种信息存储介质中的每ー种的数据记录格式的比较的例图；图67A和67B是比较多种信息存储介质中的数据结构的传统示例相的例图；图68是比较多种信息存储介质中的数据结构的传统示例的例图；图69是摆动调制中180度相位调制和NRZ技术的例图；图70是地址位区域中摆动形状与地址位之间关系的例图；图71本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：安东秀夫，柏原裕，小川昭人，丸山纯孝，长井裕士，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：