一种以水滑石为前体的气敏元件及其制备方法技术

技术编号:7662171 阅读:180 留言:0更新日期:2012-08-09 06:27
本发明专利技术公开了属于气敏传感器技术领域的一种以水滑石为前体制备气敏元件的方法。首先采用共沉淀法制备水滑石,然后将水滑石在不同温度下焙烧,形成复合半导体金属氧化物材料,将其制备成气敏元件,此种气敏元件通过测量元件在不同气体中的电阻值,可用于各种气体的检测。本发明专利技术的主要优点是材料制备步骤简单、成本低廉,元素组成多样化,焙烧后形成的复合氧化物的元素分布均匀。由此材料制备成的气敏元件灵敏度高,响应恢复快,稳定性好,发展潜力大,有利于推广。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于气敏传感
,特别涉及一类含Zn水滑石的制备,将其焙烧获得含ZnO的复合金属氧化物材料,将其制作成气敏元件,探究其气敏性质。
技术介绍
ZnO是最早被发现的半导体气敏材料,特点是具有宽带隙(禁带宽度为3. 2eV)和优良的光电、压电等性能,物理化学性质稳定。它在1800°C才有升华现象,可在较高的温度下工作,并且价格便宜、易于制备,因而受到人们越来越多的重视。纯的ZnO气敏元件性能不够稳定、灵敏度较低、工作温度较高、选择性比较差,而且在空气中的电阻过高。为了改善其气敏性能,研究人员纷纷采用在ZnO中掺杂的方法,试图借此改善它的气敏性能。在这些方法中,包括贵金属敏化方法,稀土氧化物掺杂方法,过渡元素氧化物掺杂方法,碱土金属元素掺杂方法等。掺杂La2O3和Pd可明显改善气敏元件的敏感性能,并在工作温度为175°C时对乙醇蒸气有很高的灵敏度和选择性。Tb2O3掺杂的ZnO气敏元件比纯ZnO气敏元件有更好的选择性,更低的工作温度。ZnO-SnO2复合气敏元件对1_ 丁醇蒸气和二甲基二硫醚蒸气的气敏特性,表现出更高的灵敏度。掺杂Al2O3等对ZnO气敏元件的气敏性能也有影响本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郭影关美玉徐冬梅宋宇飞徐庆红
申请(专利权)人:北京化工大学
类型:发明
国别省市:

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