【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于气敏传感
,特别涉及一类含Zn水滑石的制备,将其焙烧获得含ZnO的复合金属氧化物材料,将其制作成气敏元件,探究其气敏性质。
技术介绍
ZnO是最早被发现的半导体气敏材料,特点是具有宽带隙(禁带宽度为3. 2eV)和优良的光电、压电等性能,物理化学性质稳定。它在1800°C才有升华现象,可在较高的温度下工作,并且价格便宜、易于制备,因而受到人们越来越多的重视。纯的ZnO气敏元件性能不够稳定、灵敏度较低、工作温度较高、选择性比较差,而且在空气中的电阻过高。为了改善其气敏性能,研究人员纷纷采用在ZnO中掺杂的方法,试图借此改善它的气敏性能。在这些方法中,包括贵金属敏化方法,稀土氧化物掺杂方法,过渡元素氧化物掺杂方法,碱土金属元素掺杂方法等。掺杂La2O3和Pd可明显改善气敏元件的敏感性能,并在工作温度为175°C时对乙醇蒸气有很高的灵敏度和选择性。Tb2O3掺杂的ZnO气敏元件比纯ZnO气敏元件有更好的选择性,更低的工作温度。ZnO-SnO2复合气敏元件对1_ 丁醇蒸气和二甲基二硫醚蒸气的气敏特性,表现出更高的灵敏度。掺杂Al2O3等对ZnO气敏元 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:郭影,关美玉,徐冬梅,宋宇飞,徐庆红,
申请(专利权)人:北京化工大学,
类型:发明
国别省市:
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