借助于气敏场效应晶体管测量气体参数的方法和控制设备技术

本发明专利技术涉及一种借助于气敏场效应晶体管测量气体参数的方法。该方法具有如下步骤：在准备时间段期间给场效应晶体管的栅极施加准备电压。该方法还具有如下步骤：在紧接在准备时间段之后的检测时间段期间检测场效应晶体管的源极接线端子与漏极接线端子之间的测量参数，其中在检测测量参数的期间将检测电压施加在栅极上，所述检测电压具有一电平值，该电平值的数值尤其是小于准备电压的绝对值。最后，该方法具有如下步骤：在使用所检测的测量参数的情况下确定气体参数。

【技术实现步骤摘要】
借助于气敏场效应晶体管测量气体参数的方法和控制设备
本专利技术涉及一种借助于气敏场效应晶体管来测量气体参数的方法、一种对应的设备以及一种对应的计算机程序产品。
技术介绍
当前，基于半导体的化学气体传感器已经处于发展中。在此情况下，大多给场效应晶体管(FET)配备气敏电极，所述气敏电极的沟道电流在接通晶体管以后不是恒定的，而是尽管气氛为恒定的但仍然显著变化(下面亦称漂移)。例如在DE 10 2007 039 567 Al中示出了气敏场效应晶体管的这样的漂移行为。在恒定的气氛中，沟道电流表示基本信号(下面亦称基线)，每个改变都作为气体传感器信号被分析。对于气体传感器的应用尤其重要的是持续长于IOOms的漂移。该漂移的原因基本上是电荷在器件中的重新分配和没有退化，也就是逆效应。通过恒定偏压应力，器件的开始点改变。通过关断器件，该改变也可以重新弛豫回去。
技术实现思路
在该背景下，利用本专利技术提出根据独立权利要求的借助于气敏场效应晶体管来测量气体参数的方法，还提出根据并列独立权利要求的使用该方法的控制设备，以及最后提出根据并列独立权利要求的对应计算机程序产品。从相应的从属权利要求和本文档来自技高网...

【技术保护点】
借助于气敏场效应晶体管（100）测量气体参数（175）的方法（500），其中该方法（500）具有如下步骤：－在准备时间段（t23）期间给场效应晶体管（100）的栅极（115）施加（520，545）准备电压（UVS）；－在紧接在准备时间段（t23）之后的检测时间段（t34）期间检测（530）场效应晶体管（100）的源极接线端子（140）与漏极接线端子（145）之间的测量参数（165），其中在检测（520）测量参数（165）的期间将检测电压（UES）施加在栅极（115）上，所述检测电压具有一电平值；以及－在使用所检测的测量参数（165）的情况下确定（535）气体参数（175）。

【技术特征摘要】
2012.07.31 DE 102012213429.81.借助于气敏场效应晶体管(100)测量气体参数(175)的方法(500)，其中该方法(500)具有如下步骤: 一在准备时间段(t23)期间给场效应晶体管(100)的栅极(115)施加(520，545)准备电压(Uvs)； 一在紧接在准备时间段(t23)之后的检测时间段(t34)期间检测(530)场效应晶体管(100)的源极接线端子(140)与漏极接线端子(145)之间的测量参数(165)，其中在检测(520)测量参数(165)的期间将检测电压(Ues)施加在栅极(115)上，所述检测电压具有一电平值；以及 一在使用所检测的测量参数(165)的情况下确定(535)气体参数(175)。2.根据权利要求1所述的方法(500)，其特征在于，在确定(535)的步骤中在使用测量参数(165)的情况下确定仅仅在检测(530)的步骤中检测到的气体参数(175)。3.根据前述权利要求之一所述的方法(500)，其特征在于，在施加(520，545)的步骤中给栅极(115)施加与检测电压(Ues)具有不同符号的准备电压(Uvs)，或者其中在施加(520，545)的步骤中给栅极(115)施加与检测电压(Ues)具有相同符号的准备电压(Uvs)。4.根据前述权利要求之一所述的方法(500)，其特征在于，该方法(500)的步骤重复执行至少一次。5.根据权利要求4所述的方法(500)，其特征在于，彼此相继执行的施加(520，545)的步骤被执行为使得施加(520，545)的步骤中的准备电压(UVS)彼此不同，和/或彼此相继执行的施加(530)的步骤被执行为使得检测(530)的步骤中的检...

【专利技术属性】
技术研发人员：R菲克斯，D昆滋，J格拉夫，FH纪廉，S诺尔，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：