【技术实现步骤摘要】
本技术涉及驱动电路，尤其是用于MOS管或IGBT的驱动。
技术介绍
近年来，新型功率开关器件IGBT已经逐渐被人们所认识，与以前的各种电カ电子器件相比，IGBT目前在综合性能方面占有明显的优势，并正越来越来多的应用到工作频率为几十千赫、输出功率为几千瓦到几十千瓦的各类电カ变化装置中。动态驱动能力強，能为IGBT栅极提供具有陡峭前后的驱动脉沖。当IGBT在硬开关方式下工作时，会在开通及关断过程中产生较大的损耗，这个过程越长，开关损耗越大。器件工作频率较高吋，开关损耗甚至会大大超过IGBT通态损耗，造成管芯温升较高。这种情况会大大限制IGBT的开关频率和输出能力，同时对IGBT的安全工作构成很大的威胁。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种驱动电路，驱动速度高，省电，成本低廉。为解决上述技术问题，本技术的技术方案是一种驱动电路，由驱动部分、电平转换部分以及输出开关部分构成，所述输出开关部分主要包括三极管Q2和三极管Q4，所述三极管Q2的发射极依次与电阻R5、R6串联后与输出开关部分的输出端连接,所述三极管Q4的发射极依次与电阻R7、R6串联后与输出开关部分的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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