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一种低应力中子转换薄膜元件及其制备方法技术

技术编号:7633000 阅读:287 留言:0更新日期:2012-08-03 21:01
本发明专利技术属于精密光学元件制作技术领域,公开了一种低应力中子转换薄膜元件及其制备方法。该元件包括基底(1)和碳化硼/铬周期多层膜(2),铬薄膜层(3)和碳化硼薄膜层(4)交替沉积于基底(1)表面上,铬薄膜层(3)和碳化硼薄膜层(4)的数目相同。制备方法如下:首先对基底(1)进行清洗,然后在基底(1)上镀制碳化硼/铬周期多层膜(2)。本发明专利技术的基于碳化硼/铬周期多层膜的低应力中子转换薄膜元件具有低应力、高制作效率、价格便宜、中子转换性能满足需求等优势,更适于实现此类产品的产业化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于精密光学元件制作
,涉及。
技术介绍
中子探测器是构成中子谱仪、便携式探雷器等中子检测装置的核心部件,其基本原理是将中子转换为带电粒子,通过测量带电粒子的空间和时间分布来实现中子探测。由于常用中子转换物质(3He)的产量严重不足,导致探测器价格日益增高,极大的限制了中子探测器的应用范围。为了解决巴尔干战争中地雷清除问题,欧盟制定了 DIAMINE工程(2001 年 2004年),利用中子背散射技术实现地雷的探测和成像。为了研制这种新型的、便携式中子探雷装置,必须降低所用探测器的尺寸和造价,而原有的3He探测器无法满足这种需求;“9 · 11”事件以后,美国制定了在全面港口和机场增设爆炸物检测装置,其中中子探测器是必须的仪器设备;近年来,随着先进中子源的不断新建,众多中子束线正在或计划建设,每个中子束线都需要精密的中子探测器。一方面,国家安全、军事及科学应用对中子探测的需求不断增长,另一方面,由于生产常用中子转换物质(3He)的主要材料为核武器制作的主要材料之一,而被限制生产,因此导致了基于3He的中子探测器造价不断攀升,近10年来,中子探测器的价格增加了一个数量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张众梁玉王占山
申请(专利权)人:同济大学
类型:发明
国别省市:

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