氧化物超导体用基材及其制造方法和氧化物超导体及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种氧化物超导体用基材，其具备：金属基板，在该金属基板上采用离子束辅助沉积法(IBAD法)而形成的MgO中间层，和在该中间层上直接形成的结晶取向性比上述中间层高的覆盖层；其中，所述MgO中间层是在所述覆盖层形成前实施加湿处理而形成的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及能够简便地提供如下的取向性良好的覆盖层(cap layer)的技术 即，在金属基板上具备中间层和覆盖层且在该覆盖层上层叠氧化物超导层而成为氧化物超导体的基材的结构中，所述取向性良好的覆盖层将成为用于获得超导特性优异的氧化物超导层的衬底。本申请基于2009年10月30日在日本申请的特愿2009-250488号而主张优先权， 并将其内容援引于此。
技术介绍
RE-123系氧化物超导体(REB Cu307_n:RE是包含Y的稀土类元素中的任一种)等氧化物超导体，由于在液态氮温度以上时呈优异的超导特性，因此被认为是在实用上极其有前景的材料。尤其是期待将该氧化物超导体加工成线材从而用作供电用的超导体。制作RE-123系氧化物超导体时，需要在结晶取向性高的基材上形成结晶取向性良好的氧化物超导层。这种氧化物超导体的晶体由于其结晶轴的方向具有电各向异性。因此，采用该晶体形成氧化物超导层时，需要将其结晶取向性变良好，即使对于成膜氧化物超导层时的衬底基材，也需要将其结晶取向性变良好。作为像这样用于RE-123系氧化物超导体的结构，已知如图7所示的在带状金属基板101上层叠采用IBAD(离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉积正晃，福岛弘之，畠山英之，山田穰，飞田浩史，和泉辉郎，
申请(专利权)人：公益财团法人国际超电导产业技术研究中心，株式会社藤仓，古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：