快速鉴别太阳能级UMG硅片的方法技术

技术编号:7600877 阅读:200 留言:0更新日期:2012-07-22 02:58
本发明专利技术涉及一种快速鉴别太阳能级UMG硅片的方法,包括下列步骤:第一步、选取硅片;第二步、检测:利用具有光致荧光或光致发光测试功能的设备进行测试,要求:曝光时间:1~30s,光注入浓度:5.41E16个/cm2~3.06E17个/cm2;第三步、数据分析;第四步、判定:所测试硅片图样的平均亮度值大于180时为太阳能级UMG硅片,小于180时为普通多晶硅硅片。本发明专利技术的有益效果是:通过本发明专利技术可快速鉴别太阳能级UMG硅片,从源头上杜绝太阳能级UMG硅片流入普通多晶硅太阳能电池制造工序,防止因电池制造工艺的不匹配而导致的大量低效片的产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种快速鉴别太阳能级UMG硅片的方法
技术介绍
70年代以来,鉴于常规能源供给的有限性和环保压力的增加,世界上许多国家掀起了开发利用太阳能的热潮。晶硅太阳电池因为可靠性高、寿命长、能承受各种环境变化等优点,成为太阳电池的主要品种在光伏市场居统治地位。就其晶体形态而言,主要有单晶硅、多晶硅及非晶硅三大类。单晶硅的电池转换效率高、稳定性好,但拉制工艺相对复杂,且对原料要求较严,导致成品电池成本偏高;非晶硅电池成本低、生产效率高但转换效率也较低且由于非晶硅的S-W效应,致使其性能稳定性较差;与上述两者相比,多晶硅电池转换效率接近单晶硅,且制造工艺简单、成本低廉、生产效率高,因而得到迅速发展。近年来,太阳能行业飞速发展市场竞争激烈,成本控制已成为一个不容忽视的问题。UMG硅是一种选择性纯化硅原料,由于高纯度冶金硅工序减少,成本大幅度降低,得到人们的广泛关注。相对普通铸锭多晶硅硅片,UMG硅片含有较高浓度的硼、磷、过渡金属等杂质,导致普通的电池制造工艺无法与其匹配,从而产生大量的低效片。企业外购硅片的质量检测标准通常是检测裸硅片的少数载流子寿命,这种检测标准无法严格区分UMG本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张驰熊震付少永
申请(专利权)人:常州天合光能有限公司
类型:发明
国别省市:

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