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氮气注入设备制造技术

技术编号:7599666 阅读:217 留言:0更新日期:2012-07-22 01:34
本发明专利技术涉及用于LCD制造设备的半导体装置的氮气注入装置,其可以轻易制造,因此可降低生产成本,并且使一氮气注入方向对应反应副产品的流向,因此可有效地注入氮气而不会干扰反应副产品的流动。该氮气注入装置包含一对具有凸缘的凸缘管,一沿着耦接在一起的凸缘管的其中之一的内壁耦接的环形注入喷嘴,以供应氮气至这些凸缘管内;以及一连接至该注入喷嘴以供应氮气的氮气供应线。该注入喷嘴的内部具有一孔,用以使一圆周方向供应的氮气流动,以及多个与该孔连通的注入孔,用以将氮气供应至这些凸缘管内。这些注入孔形成于自这些凸缘管的内表面突出的位置,以将氮气注入反应副产品的流动方向。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置与IXD制造设备,更特别地,涉及一种氮气注入装置, 可以轻易地用低生产成本制造,并控制一氮气注入方向以与一副产品流向吻合,因此可有效地注入氮气而不会干扰副产品气体的流动。
技术介绍
一般来说,半导体生产流程包括一制造流程与一组装和测试流程。制造流程是通过在各种处理腔室内沉积薄膜于一晶圆上,并选择性地重复蚀刻沉积的薄膜以形成一预先决定的样式,从而制造半导体的流程。组装和测试流程是将制造流程中所生产的芯片个别地分开,然后把个别的芯片耦接至一导线架,以便组装成一最终产品的流程。此时,在晶圆上沉积薄膜或蚀刻在晶圆上的沉积薄膜的流程于高温下使用有害气体诸如硅烷(silane)、砷、以及氯化硼,以及制程气体,诸如在制程腔室(process chamber) 的氢气等来执行。在执行此种流程时,制程腔室内会产生大量的易燃气体与包含有害物质与腐蚀性杂质的副产品气体。因此,半导体制造设备配有洗涤器(scrubber),用以净化从制程腔室排放的副产品气体,并且将净化后的副产品气体排放至大气中,该洗涤器设置在使制程腔室呈现真空状态的真空泵的下游端。然而,制程腔室产生的副产品气体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:李承龙
申请(专利权)人:李承龙
类型:发明
国别省市:

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