【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置与IXD制造设备,更特别地,涉及一种氮气注入装置, 可以轻易地用低生产成本制造,并控制一氮气注入方向以与一副产品流向吻合,因此可有效地注入氮气而不会干扰副产品气体的流动。
技术介绍
一般来说,半导体生产流程包括一制造流程与一组装和测试流程。制造流程是通过在各种处理腔室内沉积薄膜于一晶圆上,并选择性地重复蚀刻沉积的薄膜以形成一预先决定的样式,从而制造半导体的流程。组装和测试流程是将制造流程中所生产的芯片个别地分开,然后把个别的芯片耦接至一导线架,以便组装成一最终产品的流程。此时,在晶圆上沉积薄膜或蚀刻在晶圆上的沉积薄膜的流程于高温下使用有害气体诸如硅烷(silane)、砷、以及氯化硼,以及制程气体,诸如在制程腔室(process chamber) 的氢气等来执行。在执行此种流程时,制程腔室内会产生大量的易燃气体与包含有害物质与腐蚀性杂质的副产品气体。因此,半导体制造设备配有洗涤器(scrubber),用以净化从制程腔室排放的副产品气体,并且将净化后的副产品气体排放至大气中,该洗涤器设置在使制程腔室呈现真空状态的真空泵的下游端。然而,制程 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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