一种温度传感器，包括：基准产生电路，用于产生感测温度的BE结温度感测电压和参考电压；信号放大电路，包括第一放大器，、第二放大器、第三放大器和第一加法器，用于对BE结温度感测电压和参考电压进行放大及相加的处理并输出包含BE结温度感测电压与参考电压的和信号以及参考电压的放大信号的两路信号；模数转换电路，用于进行模数转换产生代表两路信号比值的数字信号。相较于现有技术，本发明专利技术通过共用基准产生电路生成的参考电压和双极晶体管BE结电压来检测温度，从而消除了多余的电流镜失配对BE结电压的影响，提高了温度传感器的精度并节省了功耗和面积，减小了双极晶体管的工艺容差对传感器精度的影响。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及传感器领域，特别地，更涉及一种基于CMOS的温度传感器。
技术介绍
在工农业生产监控、环境控制和科学研究等很多领域，温度是需要测量和控制的一个重要参数。因此，在各种传感器中，温度传感器是应用最广泛的一种，而其中的集成温度传感器主要由温度传感、基准电路、AD转换器、控制电路等构成，与传统温度传感器相比， 具有灵敏度高、体积小、功耗低、输出特性好、可直接与数字系统连接等优点。目前主要有两种方式实现集成温度传感器的温度检测。图I显示了目前常用的一种温度传感器，该温度传感器具有如图I所示连接的双极晶体管，两个双极晶体管的基极(B极)和发射极(E极)之间分别产生与温度有关的BE 结电压，Vbei和Vbe2，两个BE结电压VBE1、VBE2经过增益系数为a的运算放大器得到一个与温度成线性关系的电压VPTAT，Vptat电压与BE结电压Vbei经过加法器相加后，得到一个不随温度变化的基准电压VKEF，将这与温度成线性关系的电压Vptat和不随温度变化的基准电压Vkef 两个电压信号输入到模数转换器(ADC)中，实现温度的数字读取。在如I所示的温度传感器中，ADC的输入分别是Vptat和VKEF。其中Vptat — VBE2_VBE1 ；Veef — Vbe!+Vptat ；图I所示的温度传感器结构简单、易于实现，但其检测精度不高，且需加载复杂电路。图2显示了另一种温度传感器，该温度传感器的参考电压生成原理与图I所示的温度传感器相同，如图2所示的温度传感器通过第三个三极晶体管生成第三个与温度有关的BE结电压Vbe3，模数转换器(ADC)的输入分别是Vbe3和Vkef，实现温度的数字读取。Vbe3引起的曲率非线性的温度变化导致比较大的温度偏差，图4(a)为测试的传感器的温度输出误差曲线，图4(b)为校正曲线，图4(c)为校正补偿后的温度输出误差曲线。上述补偿算法可以通过软件或者数字逻辑实现。优点在于结构简单，对偏置电流的误差、运放的输入失调电压较不敏感，通过补偿算法消除了 Vbe(包括基准电压Vkef中的BE结和感测温度部分的 BE结)二阶项所引起的温度非线性，提高了传感器的精度。但其缺点在于需要测试出温度的误差曲线，需要使用单片机或者额外的数字电路才能实现补偿算法，无法消除或者减小双极晶体管工艺容差对温度精度的影响。图5显示的是一种基于图I的改进的温度传感器，如图5所示，所述温度传感器包括一个带隙基准电压源BandGap电路102，检测温度电路104产生一个与温度成线性关系的电压Vptat，第二个检测温度电路106产生一个与温度成线性关系的校正电压Vam,与102经过相加电路108产生一个双曲线形状的参考电压Vhk，通过放大电路110将Vhk缩小C倍为 Vo，Vo与Vptat经过模数转换电路112产生了代表它们比值关系VPTAT/Vo的数字信号，再经过相加电路114和116产生最终输出的温度值Tout(C)，图6中V.、C和K的取值是根据对Vtemp/Vhk 二阶求导为0推导出来的。所述温度传感器的优点在于采用了第二种温度检测方式，通过两个不同Vbe电压之差的变化检测温度，消除了双极晶体管工艺容差对温度精度的影响，是高精度温度传感器所采用的主流架构。将传统的抛物线形状的一阶带隙基准电压源通过计算推导改为随温度略向上升的双曲形状的参考电压源，在不使用复杂的带二阶补偿电路的带隙基准电压源的条件下消除了一阶带隙基准电压源中Vbe的曲率对温度传感器精度造成的影响。其缺点在于所述专利只适用于第二种温度检测方式，该方式所产生的与温度成线性关系的检测温度电压，需采用动态匹配，斩波归零等技术消除或减弱双极晶体管对的失配，电流镜的失配和运放的输入失调电压这些非理想因素的影响，电路结构复杂。
技术实现思路
为了克服上述现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种高精度温度传感器，以消除多余的电流镜失配对BE结电压的影响、提高温度传感器的精度并节省功耗和面积。本专利技术提供一种温度传感器，包括基准产生电路，用于产生感测温度的BE结温度感测电压和参考电压；信号放大电路，包括与所述基准产生电路连接的第一放大器，用于对所述BE结温度感测电压进行放大处理并输出第一放大信号；与所述基准产生电路连接的第二放大器，用于对所述参考电压进行放大处理并输出第二放大信号；与所述第二放大器连接的第三放大器，用于对所述第二放大器输出的第二放大信号进行放大处理并输出第三放大信号；第一加法器，与所述第一放大器和所述第三放大器连接，用于将接收到的所述第一放大器输出的第一放大信号和所述第三放大器输出的第三放大信号相加并予以输出；模数转换电路，与所述第一加法器以及所述第二放大器连接，用于接入所述第一加法器输出的和信号以及所述第二放大器输出的第二放大信号，转换后产生代表它们比值的数字信号。可选地，所述基准产生电路为带隙基准电压源。可选地，所述基准产生电路包括第一电流源、第二电流源、第一双极晶体管、第二双极晶体管、运算放大器、以及第二加法器；所述第一电流源和所述第二电流源的输入端与外部电源连接，所述第一电流源的输出端与所述第一双极晶体管的发射极连接以输出所述BE结温度感测电压，所述第二电流源的输出端与所述第二双极晶体管的发射极连接，所述第一双极晶体管的基极、集电极以及所述第二双极晶体管的基极、集电极同时接地；所述运算放大器的反相输入端与所述第一电流源的输出端和所述第一双极晶体管的发射极连接以接收所述第一双极晶体管的BE结电压，所述运算放大器的同相输入端与所述第二电流源的输出端和所述第二双极晶体管的发射极连接以接收所述第二双极晶体管的BE结电压；所述第二加法器的输入端与所述运算放大器的输出端和所述第一双极晶体管的发射极连接，用于将所述运算放大器输出的与绝对温度成比例PTAT电压和所述第二双极晶体管的发射极的所述BE结温度感测电压相加并输出所述参考电压。可选地，所述参考电压与温度呈双曲线关系。可选地，所述模数转换电路转换后的所述数字信号与温度呈线性关系。如上所述，本专利技术提供的温度传感器，没有使用独立的双极晶体管BE结电压来检测温度，而是通过共用基准产生电路生成参考电压的双极晶体管BE结电压来检测温度，消除了多余的电流镜失配对BE结电压的影响，提高了温度传感器的精度并节省了功耗和面积，减小了双极晶体管的工艺容差对传感器精度的影响。另外，提供的信号放大电路包含有放大倍数各不相同的多个放大器，各个放大器的放大倍数可以根据模数转换电路的满量程范围、传感器灵敏度等实际应用条件对由温度决定的感测电压范围和灵敏度进行灵活调整，从而不再受到ADC的满量程范围、传感部分灵敏度的限制影响最终模数转换电路输出的数字信号的抖动。附图说明图I为现有技术中第一种温度感测方式的电路示意图。图2为现有技术中第二种温度感测方式的电路示意图。图3为图I和图2中两种温度感测方式中各信号参数的数学关系图。图4(a)为测试的传感器的温度输出误差曲线，图4(b)为校正曲线，图4(c)为校正补偿后的温度输出误差曲线。图5为美国专利US pat No. 6183131公开的线性温度传感器的电路示意图。图6为本专利技术温度传感器的在一个实施方式中的示意图。图7为图6在一个具体实施例中的电路示意图。图8为双极晶体管BE本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何琦，郎君，
申请(专利权)人：钜泉光电科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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