半导体材料内不连续性的探测制造技术

本发明专利技术所公开的方法和系统，其中，在半导体样品内部横向散射的光被成像，从而对一些如裂纹的不连续性进行探测。所述光可以通过采用外部光源被引入样品中，或者可以作为长波长的光致发光在原位产生。本发明专利技术所被描述的方法为关于晶片和光伏电池内部裂纹的探测，且所述方法原则上可被应用于任意的半导体晶片或薄膜材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种探测不连续性的方法，特别是半导体材料内的裂纹。本专利技术主要改进了在制造中或制造后对半导体晶片或光伏电池或组件内的裂纹的探测，然而本专利技术并不局限于该特殊领域的应用。
技术介绍
本说明书中所提到的现在技术不应该被认为是已经被广泛地知晓，或不应该被认为构成本领域的公知常识的一部分。微裂纹，或常规裂纹，是导致半导体设备产量降低的来源。特别是在基于硅的光伏电池和组件的制造中，由于硅晶片的脆性结合高产量(约为每秒一片晶片)和在诸多阶段要求的机械操作，如电触头的丝网印刷和组件制造中的单个电池的跳格和穿线，裂纹是一个很大风险隐患。严重的裂纹可导致电池的破损，在光伏电池生产中破损率占整个产量的约几个百分点。不太严重裂纹也会降低光伏电池的性能，例如，通过干扰电池材料中的电子和空穴流，或者破坏电伴热，以及在制造或使用(如从热循环)中对于两者中的任意一种情况都有可能产生。在硅中，能在多晶硅晶片中由于在晶片铸造，将晶片的过快装载致光伏电池生产线的扩散炉中，或晶片从光伏电池生产线的扩散炉被中卸载时由热导致的问题，从而导致产生的“天然”裂纹可与在单晶或多晶硅晶片内由于机械应力导致的“机械本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：托斯顿·特鲁普克，约尔根·韦伯，伊恩·安德鲁·麦克斯威尔，罗伯特·安德鲁·巴多斯，格拉汉姆·罗伊·阿特金斯，
申请(专利权)人：BT成像股份有限公司，
类型：发明
国别省市：