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本发明所公开的方法和系统，其中，在半导体样品内部横向散射的光被成像，从而对一些如裂纹的不连续性进行探测。所述光可以通过采用外部光源被引入样品中，或者可以作为长波长的光致发光在原位产生。本发明所被描述的方法为关于晶片和光伏电池内部裂纹的探测，...
该专利属于BT成像股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过BT成像股份有限公司授权不得商用。

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