一种声表面波滤波器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种声表面波滤波器，包括基片，所述基片采用42度切型的钽酸锂晶片，所述基片采用mle和ladder级联结构设置。本实用新型专利技术所述的声表面波滤波器，采用42度切型的钽酸锂晶片，在芯片的结构设计上，采用采用mle和ladder级联结构的芯片设计方案，从而保证了产品的窄带滤波，并且实现了产品的低插入损耗值和对带外信号的高抑制度。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种中频、大带宽、高矩形度和高带外抑制度的移动通讯用的声表面波滤波器，属于声表面波滤波

技术介绍
在移动通讯越来越普及的今天，人们对通讯设备的要求也越来越高。通讯设备不仅要对通带内的有用信号进行滤波，还要保证对带外信号进行有效抑制，达到通带内信号不受邻道信号和其它杂波信号干扰的目的，同时还要尽可能小的减少对通带内信号的能量损耗。而现有的滤波设备无法实现在移动通讯领域的中频、大带宽、高矩形度和高抑制度的声表面波滤波。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种应用于移动通讯的中频、大带宽、高矩形度和高抑制度的声表面波滤波器。本技术的目的是通过以下技术方案实现的一种声表面波滤波器，包括基片，所述基片采用42度切型的钽酸锂晶片，所述基片采用mle和ladder级联结构设置。由上述本技术提供的技术方案可以看出，本技术所述的声表面波滤波器，采用42度切型的钽酸锂晶片，在芯片的结构设计上，采用采用mle和ladder级联结构的芯片设计方案，从而保证了产品的窄带滤波，并且实现了产品的低插入损耗值和对带外信号的高抑制度。附图说明图1是本技术具体实施方式提供的声表面波滤波器的结构示意图；图2是本技术具体实施方式提供的封装结构示意图。具体实施方式本技术具体实施方式提供了一种声表面波滤波器，如图1和图2所示，包括基片，所述基片采用42度切型的钽酸锂晶片，所述基片采用mle和ladder级联结构设置。具体的，芯片的结构设计上，采用mle和ladder级联结构的芯片设计方案；在材料的选取上，采用42度切型的钽酸锂晶片。通过芯片结构上的设计和材料上的选取，实现了产品的窄带滤波、低插入损耗值和对带外信号的高抑制度。42度切型钽酸锂的机电耦合系数为0.7，这样在材料上就保证了产品在实现窄带滤波的同时，插入损耗值不会很大，插入损耗典型值为4. 05dB,最大值不超过4. 5dB。芯片的结构设计上，采用mle和ladder级联结构的芯片设计方案。Mle结构使得产品的插入损耗值只有4. 05左右。Ladder结构设计，在实现产品的窄带滤波的同时，保证了产品的带外抑制度能够达到65dB，相对带宽< 2. 8%0该产品的电性能指标如下权利要求1.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括基片，所述基片采用42度切型的钽酸锂晶片，所述基片采用mle和ladder级联结构设置。2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述基片的特征频率为 199.8 220. 65MHz。3.根据权利要求1或2所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器的相对带宽彡2.8%。4.根据权利要求3所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器的抑制为 65dB。5.根据权利要求1或2所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器的插入损耗典型值为4. 05dB,最大值不超过4. 5dB。专利摘要本技术提供了一种声表面波滤波器，包括基片，所述基片采用42度切型的钽酸锂晶片，所述基片采用mle和ladder级联结构设置。本技术所述的声表面波滤波器，采用42度切型的钽酸锂晶片，在芯片的结构设计上，采用采用mle和ladder级联结构的芯片设计方案，从而保证了产品的窄带滤波，并且实现了产品的低插入损耗值和对带外信号的高抑制度。文档编号H03H9/64GK202334460SQ201120482690公开日2012年7月11日 申请日期2011年11月28日 优先权日2011年11月28日专利技术者张敬钧, 董启明 申请人:北京中讯四方科技股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张敬钧，董启明，
申请(专利权)人：北京中讯四方科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：