铁电单晶铌铟酸铅-钛酸铅的制备方法技术

本发明专利技术设计一种铁电单晶铌铟酸铅-钛酸铅的制备方法，属于晶体生长领域。本发明专利技术提供的制备方法，包括原料混合、化料、生长过程等，即采用顶部籽晶法成功生长了PIN-PT晶体。通过X-射线粉末衍射、铁电、介电和压电测量，分析了其结构、铁电、介电和压电性。优选组分0.655PIN-0.345PT晶体具有高的居里温度和三方-四方相变温度，并且具有优异的压电性能和机电耦合性能，具有广泛的应用前景。本方法设备简单，操作方便，能稳定提供高质量大尺寸的PIN-PT晶体，适合于批量生长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。具体而言，本专利技术涉及到具有准同型相界(MPB)结构的铁电单晶材料(I-X)Pb an1/2Nb1/2)03-rfbTi03(简记为 PIN-PT或PINT)的顶部籽晶法生长，属于晶体技术和功能材料学领域。
技术介绍
铁电/压电材料由于具备优良的机电转换性能、响应速度快等优点，广泛应用于各种功能器件，如传感器、换能器、声纳、驱动器、滤波器、微扬声器等，在国民经济与国防安全中发挥着不可替代的重要作用。上世纪40年代发现钛酸钡(BaTiO3)压电材料，50 年代发现了锆钛酸铅(PbaivxTix)O3)，简称PZT。PZT陶瓷材料是一种广泛用于换能器 (transducer)和执行器(actuator)的传统压电材料，一直在压电应用领域中占据主导地位。该材料存在准同型相界(morphotropic phase boundary)，简记为MPB。PZT在MPB处表现优异的压电性能，PZT压电陶瓷的压电系数d33 700pC/N，机电耦合系数k33 70%。随着对MPB的研究，弛豫铁电体(relaxor ferroelectric)被发现。近年来，具有钙钛矿结构在MP本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何超，龙西法，李修芝，王祖建，刘颖，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：