一种太阳能电池，其包括半导体基材、掺杂材料层、第一接触电极、电极层、散热材料层以及第二接触电极。半导体基材具有第一表面以及第二表面。掺杂材料层位于靠近第一表面的半导体基材之上或内。第一接触电极位于掺杂材料层上。电极层位于半导体基材的第二表面上。散热材料层覆盖电极层。第二接触电极位于散热材料层上，且第二接触电极与电极层电性连接。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种。
技术介绍
硅基太阳能电池为业界常见的一种太阳能电池。硅基太阳能电池的原理是将高纯度的半导体材料(硅)加入掺质物使其呈现不同的性质，以形成P型半导体及η型半导体， 并将ρ-η两型半导体相接合，如此即可形成ρ-η接面。当太阳光照射到一个ρ-η结构的半导体时，光子所提供的能量可能会把半导体中的电子激发出来产生电子-电洞对。通过电极的设置，使电洞往电场的方向移动并使电子往相反的方向移动，如此即可构成太阳能电池。一般来说，当太阳能电池在运作一段时间之后会产生热。倘若上述所产生的热能没有散出或是导出太阳能电池外，就容易使得太阳能电池的输出效能变差。特别是，当太阳能电池温度越高时，太阳能电池的输出效能就会越低。
技术实现思路
本专利技术提供一种，其可以解决传统太阳能电池因热能无法散出而导致输出功率降低的问题。本专利技术提出一种太阳能电池，其包括半导体基材、掺杂材料层、第一接触电极、电极层、散热材料层以及第二接触电极。半导体基材具有第一表面以及第二表面。掺杂材料层位于靠近第一表面的半导体基材之上或内。第一接触电极位于掺杂材料层上。电极层位于半导体基材的第二表面上。散热材料层覆盖电极层。第二接触电极位于散热材料层上， 且第二接触电极与电极层电性连接。本专利技术提出一种太阳能电池的制造方法，包括提供半导体基材，其具有第一表面以及第二表面。于靠近第一表面的半导体基材之上或内形成掺杂材料层。于掺杂材料层上形成第一接触电极。于半导体基材的第二表面上形成电极层。于电极层上形成散热材料层。 于散热材料层上形成第二接触电极，其中第二接触电极与电极层电性连接。基于上述，本专利技术在于半导体基材的第二表面的电极层上形成散热材料层，其可以有效地将太阳能电池内所产生的热能导出，以使得太阳能电池的温度不会明显升高。如此一来，便可使得太阳能电池为持较佳的输出功率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图IA至图IB是根据本专利技术一实施例的太阳能电池的制造流程视意图。图2Α至图2Β是根据本专利技术另一实施例的太阳能电池的制造流程视意图。主要组件符号说明102:半导体基材102a:第一表面102b 第二表面104:掺杂材料层104a 高掺杂浓度的接触区106:第一接触电极108:电极层110:散热材料层112:第二接触电极C:接触窗开口具体实施方式图IA至图IB是根据本专利技术一实施例的太阳能电池的制造流程视意图。请参照图 1A，本实施例的太阳能电池的制造方法首先提供半导体基材102，半导体基材102具有第一表面10 以及第二表面102b。半导体基材102例如是掺杂η型掺质的半导体材料或是掺杂P型掺质的半导体材料。半导体基材102的半导体材料可为硅、硫化镉(CdS)、铜铟镓二硒(Cuhfe^e2，CIGS)、铜铟二硒(CiJr^e2, CIS)、碲化镉(CdTe)、半导体有机材料(organic material)或上述材料堆栈的多层结构。上述的硅包括单晶硅(single crystalsilicon)、 多晶娃(polycrystal silicon)、非晶娃(amorphous silicon)或是微晶娃(microcrystal silicon)。掺杂于半导体材料中的η型掺质可以是选自元素周期表中的第五族元素，例如磷(P)、砷(As)或是锑(Sb)等等。掺杂于半导体材料中的ρ型掺质可以是选自元素周期表中三族元素的群组，例如是硼(B)、铝(Al)、镓(Ga) JB (In)等等。接着，于半导体基材102的第一表面10 内形成掺杂材料层104。所述掺杂材料层104可为掺杂η型掺质的材料层或是掺杂ρ型掺质的材料层。根据本实施例，若半导体基材102为掺杂ρ型掺质的半导体材料，那么掺杂材料层104为掺杂η型掺质的材料层，以使得半导体基材102掺杂材料层104之间形成ρ-η接面。若半导体基材102为掺杂η型掺质的半导体材料，那么掺杂材料层104为掺杂ρ型掺质的材料层，以使得半导体基材102掺杂材料层104之间形成ρ-η接面。根据本实施例，掺杂材料层104可采用扩散法或是离子植入法以将η型掺质或ρ型掺质掺入半导体基材102的第一表面10 内来形成。在此，η 型掺质可以是选自元素周期表中的第五族元素，例如磷(P)、砷(As)或是锑(Sb)等等。ρ 型掺质可以是选自元素周期表中三族元素的群组，例如是硼(B)、铝(Al)、镓(( )、铟(In)寸寸。在本实施例中，掺杂材料层104更包括高掺杂浓度的接触区104a，以后续是用来与接触电极相接触。一般来说，高掺杂浓度的接触区10 的掺杂浓度高于掺杂材料层104 的其它区域的浓度，且高掺杂浓度的接触区10 的掺杂深度也可比掺杂材料层104的其它区域的深度来得深。在另一实施例中，掺杂材料层104也可不包括高掺杂浓度的接触区 104a，端看设计者需求而定。之后，于掺杂材料层104(高掺杂浓度的接触区104a)上形成第一接触电极106。 第一接触电极106可为导电性佳的金属材料或其它的导电材料。形成第一接触电极106的方法例如是先在掺杂材料层104沉积一层电极材料层，之后通过微影以及蚀刻程序以图案化电极材料层即可形成，亦可利用印刷方式形成，本专利技术并不加以限制。另外，于半导体基材102的第二表面102b上形成电极层108。上述的电极层108 例如是金属材料或是合金材料。形成电极层108的方法例如是采用沉积程序、涂布程序、印刷程序或是其它的合适的方法。接着，请参照图1B，于电极层108上形成散热材料层110，散热材料110可为氮化硼、氮化铝、铝、铜、银或是金。在此，形成散热材料层110的方法可包括进行涂布程序、印刷程序、物理气相沉积程序或是化学气相沉积程序。上述的物理气相沉积程序可包括离子束沉积、脉冲激光沉积或反应性溅镀。上述的化学气相沉积程序例如是使用三氟化硼来选择性蚀刻沉积六方氮化硼或电浆改善化学气相沉积。此外，上述涂布程序可包括下列步骤。首先将散热材料与溶剂混合。根据一实施例，上述的散热材料可为奈米等级的陶瓷粉粒(例如是氮化硼或氮化铝)或是金属粉粒 (例如是铝、铜、银或是金)，且散热材料与溶剂的混合物可进一步添加黏结剂。接着将上述混合物于电极层108上进行喷涂步骤。所述喷涂步骤例如是采用喷枪工具或是旋转涂布的方式以使得混合物涂覆于电极层108上。之后，进行烘干步骤，以使得混合物中的溶剂挥发，而固化成散热材料层110。值得一提的是，硅基板于室温下的热传导系数为145W/m.，因此上述的散热材料层 110的热传导系数须高于145W/m. k。在此，散热材料层110可包括陶瓷材料或金属材料。上述的陶瓷材料包括氮化硼(于室温下热传导系数为1500W/m.k)或氮化铝(于室温下热传导系数为220W/m. k)。上述的金属材料包括铝(于室温下热传导系数为237W/m. k)、铜(于室温下热传导系数为407W/m. k)、银(于室温下热传导系数为429W/m. k)或是金(于室温下热传导系数为317W/m. k)。之后，于散热材料层110上形成第二接触电极112，其中第二接触电极112与电极层108电性连接。根据本实施例，第二接触电极112与电极层108电性连接的方法例如是本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕智成，胡雁程，陈人杰，吴振诚，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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