本发明专利技术提供一种晶体硅电池酸制绒蜂窝结构的方法，包括如下步骤：a.将太阳能电池硅片进行腐蚀图形设计打印；b.利用酸性刻蚀液HNO3+HF进行腐蚀刻蚀；c.利用蜡清洗液对保护蜡进行溶解，去除；并通过稀释的碱液进行初步清洗，后进行纯水清洗；d.采用稀释的酸性刻蚀液HNO3+HF进行对硅表面的损伤层去除，形成酸式制绒蜂窝结构。通过该方法，可以有效避免化学制绒，尤其是酸制绒的低陷光效果，及干法制绒如等离子制绒的高表面损伤等缺点，有效应用与现有的晶体硅电池工艺，并形成对应电池性能的有效提升，同时对于其陷光结构构造具备很大的选择性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
太阳能电池是利用光伏效应原理把太阳辐射能转换成电能，其中功能主要包括光吸收、光生电子空穴对产生、电子空穴各自分离并聚集、电流的引出等主要四部分。其中电池的光吸收部分就包括降低反射、降低透射、增加内部漫反射等部分，统称陷光技术。在目前的晶硅电池技术中降低其光的正面反射率作为工艺及技术控制的重要内容。目前的晶硅电池的正面采用制绒方法，主要有碱化学液制绒，酸化学液制绒，物理方法绒面制绒如光刻，离子刻蚀等技术。太阳能晶硅电池化学液制绒采用化学液体的腐蚀异向性，在表面形成异漫反射表面以加强入射光的吸收。太阳能晶硅电池干法制绒采用 CF4等等离子源，通过F-离子与Si表面的腐蚀，在表面形成低反射率的绒面。而目前各种技术都存在一定不足，化学液体制绒的可控性差与制绒效果不理想，酸制绒低陷光，传统的半导体物理方法则代价高如新增机台等，工厂生产成本太高。
技术实现思路
本专利技术目的是提供，克服现有技术存在的酸制绒的低陷光问题。本专利技术采用的技术方案是提供，包括如下步骤a将太阳能电池硅片进行腐蚀图形设计打印；b利用酸性刻蚀液HN03+HF进行腐蚀刻蚀；c利用蜡清洗液对保护蜡进行溶解，去除；并通过稀释的碱液进行初步清洗，后进行纯水清洗；d采用稀释的酸性刻蚀液HN03+HF进行对硅表面的损伤层去除，形成酸式制绒蜂窝结构。本专利技术与现有技术相比具有下列优点通过该方法，可以有效避免化学制绒，尤其是酸制绒的低陷光效果，及干法制绒如等离子制绒的高表面损伤等缺点，有效应用与现有的晶体硅电池工艺，并形成对应电池性能的有效提升，同时对于其陷光结构构造具备很大的选择性。附图说明图1为本专利技术的工艺流程图；图2为本专利技术方法步骤腐蚀图形设计打印效果示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术技术方案进行详细说明。如图1所示，本专利技术提供，包括如下步骤a将太阳能电池硅片进行腐蚀图形设计打印，打印效果如图2所示，形成打印蜡部分和非打印部分；b利用酸性刻蚀液HN03+HF进行腐蚀刻蚀；酸性刻蚀液HNO3与HF按体积比1 3 的比例混合。c利用蜡清洗液对保护蜡进行溶解，去除；并通过稀释的碱液进行初步清洗，后进行纯水清洗；其中稀释的碱液为浓度2%的KOH溶液。d采用稀释的酸性刻蚀液HN03+HF进行对硅表面的损伤层去除，形成酸式制绒蜂窝结构；其中稀释的酸性刻蚀液HN03+HF是指将步骤b中酸性刻蚀液HNO3与HF稀释20倍。通过该方法，可以有效避免化学制绒，尤其是酸制绒的低陷光效果，及干法制绒如等离子制绒的高表面损伤等缺点，有效应用与现有的晶体硅电池工艺，并形成对应电池性能的有效提升，同时对于其陷光结构构造具备很大的选择性。最后所应说明的是，以上实施例仅用于说明本专利技术的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本专利技术进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本专利技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本专利技术技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本专利技术的权利要求范围中。权利要求1.，其特征在于，包括如下步骤 a将太阳能电池硅片进行腐蚀图形设计打印；b利用酸性刻蚀液HN03+HF进行腐蚀刻蚀；c利用蜡清洗液对保护蜡进行溶解，去除；并通过稀释的碱液进行初步清洗，后进行纯水清洗；d采用稀释的酸性刻蚀液HN03+HF进行对硅表面的损伤层去除，形成酸式制绒蜂窝结构。2.根据权利要求1所述的，其特征在于步骤b 中酸性刻蚀液HNO3与HF按体积比1 3的比例混合。3.根据权利要求1所述的，其特征在于步骤c 中稀释的碱液为浓度2%的KOH溶液。4.根据权利要求1所述的，其特征在于步骤d 中稀释的酸性刻蚀液HN03+HF是指将步骤b中酸性刻蚀液HNO3与HF稀释20倍。全文摘要本专利技术提供，包括如下步骤a.将太阳能电池硅片进行腐蚀图形设计打印；b.利用酸性刻蚀液HNO3+HF进行腐蚀刻蚀；c.利用蜡清洗液对保护蜡进行溶解，去除；并通过稀释的碱液进行初步清洗，后进行纯水清洗；d.采用稀释的酸性刻蚀液HNO3+HF进行对硅表面的损伤层去除，形成酸式制绒蜂窝结构。通过该方法，可以有效避免化学制绒，尤其是酸制绒的低陷光效果，及干法制绒如等离子制绒的高表面损伤等缺点，有效应用与现有的晶体硅电池工艺，并形成对应电池性能的有效提升，同时对于其陷光结构构造具备很大的选择性。文档编号C30B33/10GK102544199SQ201110419479公开日2012年7月4日 申请日期2011年12月15日 优先权日2011年12月15日专利技术者吴国强, 徐华浦, 王庆钱 申请人:浙江鸿禧光伏科技股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴国强，徐华浦，王庆钱，
申请(专利权)人：浙江鸿禧光伏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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