一种炭/炭加热器抗冲刷C/SiC涂层的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种炭/炭加热器抗冲刷C/SiC涂层的制备方法，该方法为：一、将炭/炭加热器置于CVD炉内，通入碳源气体，在炭/炭加热器表面生成一层热解炭涂层；二、将装有固体硅料的石墨坩埚置于反应炉内，将表面生成热解炭涂层的炭/炭加热器置于石墨坩埚内的多孔石墨支架上，在温度为1500℃～1800℃，真空度为100Pa～3000Pa的条件下保温1h～4h，利用硅蒸气和热解炭反应生成一层SiC涂层。本发明专利技术的方法首先在炭/炭加热器表面沉积一层热解炭涂层，然后原位生成SiC涂层，保证加热器具有满足使用要求的电阻性能，同时防止SiCl4、HCl等气体对加热器的腐蚀，提高抗冲刷能力，延长使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于加热器涂层
，具体涉及。
技术介绍
随着太阳能光伏产业的发展，单晶硅拉制炉、多晶硅冶炼炉等设备向大型化发展， 其中设备的发热部件越来越多采用炭/炭加热器。目前炭/炭加热器普遍存在抗冲刷能力不强，使用寿命低的问题。授权公告号为CN 100366581C的中国专利“单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/ 炭加热器的制备方法”和授权公告号为CN 101637975B的中国专利“一种化学气相渗透与树脂浸渍炭化致密制备发热体的方法”中，采用单一的热解炭涂层，虽然一定程度上提高了炭/炭加热器的使用寿命，但是由于炭本身与工况中的气氛存在反应，尤其是在多晶硅氢化炉中容易产生掉渣等，影响了产品的可靠度和使用寿命。授权公告号为CN 101541111B的中国专利“四氯化硅氢化炉U形发热体及其制造工艺”中，采用涂覆含硅料浆结合化学气相沉积的方法制备了 SiC涂层，由于热解炭与含硅料浆的完全反应难以控制，并且炭/炭加热器表面仍存在炭涂层，产品的可靠度和使用寿命也不尽人意。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供。该方法在热解炭涂层上原位生成SiC涂层，结合强度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张永辉，肖志超，苏君明，彭志刚，侯卫权，马昆松，曹厚华，赵俊，
申请(专利权)人：西安超码科技有限公司，
类型：发明
国别省市：