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基于转印技术的微纳薄膜压力传感器及其制备方法技术

技术编号:7442001 阅读:225 留言:0更新日期:2012-06-16 19:06
本发明专利技术公开了一种基于转印技术制作的微纳薄膜压力传感器及其制备方法。该传感器包括传感组件、转接环、管座、管帽、内引线、紧固件、密封圈、输出电缆以及引压口;其中传感组件包括器件衬底、金属电极、压敏电阻和转印介质。本发明专利技术的传感器由于在器件衬底上增加了转印介质,从而减少了蠕变并增强了隔离特性,该发明专利技术中所使用的转印介质的性能及形状保证能良好地传递应力而不引起规定误差外的损耗,更由于该种转印技术与常规微电子技术相容,因而仍能像硅基压力传感器一样大批量生产并保持廉价及高可靠性能,同时也具有薄膜材料可以制作于不同衬底上达到小型化、抗恶劣环境的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于传感器领域,具体涉及一种基于转印技术制作的微纳薄膜压力传感器及其制备方法。
技术介绍
目前,以各种硅基材料为敏感材料的压力传感器成为主流,数量占据了各种压力传感器的大部分。由于材料的相容性等原因,该种传感器多以单晶硅为衬底,其优点是廉价、工艺成熟、特别适于大批量生产,并且具有常温下性能良好、和后续电路兼容极易制作集成化传感器或传感系统等优势。但这类压力传感器的单晶硅衬底因抗冲击性、元件间的隔离性等原因在高温、辐射、高振动、冲击等恶劣环境的应用受到限制。因此薄膜压力传感器也得到了发展,成为压力传感器的一个重要分支,比如溅射薄膜压力传感器现已得到广泛应用。但由于其工艺复杂、对工艺环境要求高、与后续电路的相容性差,而且无论如何也不能突破金属材料灵敏度低的缺点,也使薄膜压力传感器的应用受到限制。
技术实现思路
针对以上提出的现有技术的不足,提出本专利技术。本专利技术的一个目的在于提供一种基于转印技术的微电子机械系统(MEMS)微纳薄膜压力传感器。本专利技术的一种基于转印技术制作的MEMS微纳薄膜压力传感器包括传感组件、转接环、管座、管帽、内引线、紧固件、密封圈、输出电缆以及引压口本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李策杨邦朝陈信琦
申请(专利权)人:李策杨邦朝陈信琦
类型:发明
国别省市:

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