一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法技术

一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法，其步骤是秋后立冬前深耕25厘米；春3月中下旬用划行器划沟；沟内的两边洒草木灰或硫酸钾，沟内的中间洒硝酸磷肥；按80厘米宽为一种植带，每种植带挖20厘米宽沟，将土起垄60厘米的两边成“M”型，沟底至垄高30厘米；用宽度是90-100厘米、厚度是0.007毫米的外面银灰色里面黑色的微膜覆盖；于4月15日前后，按60厘米株距覆膜上“M”型中间低点处种一行西瓜，亩种1200株；于4月下旬至5月上旬，在“M”型两边的高垄上按18-20厘米株距扎孔粗1.5厘米，深20厘米插甘薯苗，茶壶浇水盖土、亩栽5500株。本发明专利技术可节省三分之二的管理用工，且产量效益各增加80-120%。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于农作物种植方法，具体涉及。
技术介绍
北方的种植西瓜方法是施肥、盖膜、单种作物。出苗后打叉、压蔓、选留2-3个花蕾，误工多，效益一般。种植甘薯的方法是平地、打穴、点水、打叉、中耕2-3遍，翻秧2-3次，亩产 1000-1500公斤，效益较低。
技术实现思路
为了节省用工，提高产量，本专利技术提出。本专利技术的技术方案本专利技术选择旱地红壤土或纯砂土质地块，肥力中等以上。秋后立冬前，日均气温在；TC以上的时间，深耕25厘米。春3月中下旬，在10-13毫米较大降水后地皮干后，用划行器划沟。沟内两边洒草木灰或有效钾肥含量50%以上的硫酸钾，沟内中间洒含氮沈％、含磷1 的硝酸磷肥，每亩每种化肥均按20公斤。也可以用5公斤的草木灰替代20公斤的有效钾肥含量50%以上的硫酸钾。划沟后起垄按80厘米宽为一种植带，每种植带挖20厘米宽沟，将土起垄60厘米的两边成“M”型，沟底至垄高30厘米。然后用宽度是90-100厘米、厚度是0. 007微膜覆盖。 微膜选用外面银灰色里面黑色的效果更佳。4月15日前后，按60厘米株距膜上“M”型中间低处种一行西瓜，亩种1200株左右。甘薯于4月下旬至5月上旬在“M”型两边的高垄上按18-20厘米株距扎孔粗1. 5厘米， 深20厘米插甘薯苗，茶壶浇水盖土、亩栽5500株左右。由于地膜覆盖具有增温保湿的作用，因此有利于土壤微生物的增殖，使养分源源不断地供作物生长发育吸收利用。据测定，覆盖地膜后可有利于增加温度和土壤含水量，促进土壤微生物繁殖，从中加速提高土壤养分。据测定速效氮可增30%—50%，钾增10%—20%， 磷增20%—30%。同时地膜覆盖还可减少养分的淋溶、流失、挥发，提高养分的利用率。下种后的西瓜仅间苗，防病虫和选留2、3胎瓜蕾各50%外、采用“懒汉”管理(即不压蔓、不打叉、不中耕、仅需选留2-3个花蕾)的方法，不压秧、不打叉、充分利用甘薯幼苗盘棵期让瓜秧须缠甘薯秧，从中彻底防治瓜秧翻滚而出现的化瓜和空秧减产。人为的科学利用甘薯苗打“桩”使西瓜巧妙的实现了 “懒汉”管理，从中既省去了反复几遍的西瓜压蔓，打叉等人工辛苦劳动，又巧妙的利用共生原理，控制了甘薯秧前期营养生长加快狂长的发生，同时与同样人为形成“懒汉”管理法(即不压蔓、不打叉、不中耕、仅需选留2-3个花蕾)，使甘薯省去中耕，翻秧的辛苦劳动。生长期仅把垄沟内杂草随时拔掉，必须注意防止垄上膜破埙，严格做到随时用沟内土盖堵。上述栽培方法，比不盖膜单种甘薯或西瓜的亩增产3—5倍，比覆盖的单种其一作物增产50%—100%还多。科学实现靠技术增加土地利用率100%，全面实现生产者低投入高产出的效益最大化，还有利用甘薯西瓜栽种中比单种不盖膜用工节省50%。本技术是在旱地内把两种不同的作物，科学的利用地下和地面收获物不同生长的差别规律，巧妙的巧妙的挖潜作物生长所需光、热、风、水、肥等要素的最大化。本专利技术可节省三分之二的管理用工，且产量效益各增加80-120%，同时实现甘薯西瓜均不中耕、压蔓、打叉，此技术优势明显。附图说明图1是本专利技术的实施例的起垄的垄形图。具体实施例方式实施例1、深耕秋后立冬前日均气温在3°c以上的时间，深耕25厘米。2、划行春3月中下旬，在10-13毫米较大降水后地皮干用划行器划沟。3、施肥沟内的两边洒草木灰或硫酸钾(有效钾肥含量50%以上)，沟内的中间洒硝酸磷肥(含氮26%，磷1洲左右)，每亩每种化肥均按20公斤量(若使用草木灰仅需5公斤)。4、起垄按80厘米宽为一种植带，每带挖20厘米宽沟，将土起垄60厘米的两边成 “M”型，沟底至垄高30厘米。5、微膜覆盖用90-100厘米宽，0. 007毫米微膜覆盖。微膜选用外面银灰色里面黑色的效果更佳。6、种植西瓜于4月15日前后，按60厘米株距膜上“M”型中间低点处种一行西瓜，亩种1200株左右。7、种植甘薯于4月下旬至5月上旬，在“M”型两边的高垄上按18-20厘米株距扎孔粗1. 5厘米，深20厘米插甘薯苗，茶壶浇水盖土、亩栽5500株左右。8、劳作作物生长期内清除垄沟内杂草。9、收获8月初收获西瓜，10月中旬收获甘薯。10、休整收获完毕，除秧平地。权利要求1. ，其具体步骤是(1)、深耕秋后立冬前日均气温在3°C以上的时间，深耕25厘米；(2)、划行春3月中下旬，在10-13毫米较大降水后地皮干用划行器划沟；(3)、施肥沟内的两边洒草木灰或有效钾肥含量50%以上的硫酸钾，沟内的中间洒含氮沈％、含磷12%的硝酸磷肥，硫酸钾按每亩20公斤量，硝酸磷肥按每亩20公斤量，草木灰按每亩5公斤量；(4)、起垄按80厘米宽为一种植带，每种植带挖20厘米宽沟，将土起垄60厘米的两边成“M”型，沟底至垄高30厘米；(5)、微膜覆盖用宽度是90-100厘米、厚度是0.007毫米的外面银灰色里面黑色的微膜覆盖；(6)、种植西瓜于4月15日前后，按60厘米株距覆膜上“M”型中间低点处种一行西瓜，亩种1200株；(7)、种植甘薯于4月下旬至5月上旬，在“M”型两边的高垄上按18-20厘米株距扎孔粗1. 5厘米，深20厘米插甘薯苗，茶壶浇水盖土、亩栽5500株；(8)、劳作作物生长期内清除垄沟内杂草；(9)、收获8月初收获西瓜，10月中旬收获甘薯。全文摘要，其步骤是秋后立冬前深耕25厘米；春3月中下旬用划行器划沟；沟内的两边洒草木灰或硫酸钾，沟内的中间洒硝酸磷肥；按80厘米宽为一种植带，每种植带挖20厘米宽沟，将土起垄60厘米的两边成“M”型，沟底至垄高30厘米；用宽度是90-100厘米、厚度是0.007毫米的外面银灰色里面黑色的微膜覆盖；于4月15日前后，按60厘米株距覆膜上“M”型中间低点处种一行西瓜，亩种1200株；于4月下旬至5月上旬，在“M”型两边的高垄上按18-20厘米株距扎孔粗1.5厘米，深20厘米插甘薯苗，茶壶浇水盖土、亩栽5500株。本专利技术可节省三分之二的管理用工，且产量效益各增加80-120%。文档编号A01G1/00GK102487713SQ20111042670公开日2012年6月13日 申请日期2011年12月19日 优先权日2011年12月19日专利技术者吴太平 申请人:吴太平本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴太平，
申请(专利权)人：吴太平，
类型：发明
国别省市：