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太阳能电池制造装置及其系统及太阳能电池制造方法及图纸

技术编号:7418976 阅读:188 留言:0更新日期:2012-06-09 01:20
本发明专利技术涉及一种太阳能电池制造装置,包括:真空腔室,形成有腔门;载体支撑部,设置于所述真空腔室,搭载有载体,该载体装载多个结晶系硅基板;气体喷射部,设置于所述载体支撑部上侧,用于喷射气体;电源施加部,施加电源使真空腔室内产生等离子,其特征在于,所述太阳能电池制造装置在以形成多个通孔的覆盖板覆盖所述基板地设置于所述载体上的状态下进行实施干蚀刻,从而在基板表面形成多个微突起。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池,尤其涉及用于制造太阳能电池的太阳能电池制造装置及其系统以及太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池是将太阳光转化为电能的装置,使用称为P型半导体和N型半导体的 2个种类的半导体发电。光照射到太阳能电池内部产生电子和空穴,产生的电荷移动至P型半导体、N型半导体,根据此现象P型半导体、N型半导体之间产生电位差(光电动势),此时太阳能电池上连接负荷就会有电流流动。太阳能电池根据使用的材质大体上分为使用硅材质和化合物材质的两种,硅材质的太阳能电池分为单晶、多晶系硅和非结晶系硅。目前,太阳能发电系统通常使用的是硅材质的太阳能电池。尤其结晶系硅质的单晶及多晶太阳能电池,因其变换效率佳、可靠性高而被广泛使用。这种单晶硅质的太阳能电池虽具有效率高等优点,但是还具有制造费用高的缺点ο与此相比,多晶硅质的太阳能电池相比单晶硅基板效率低,但是具有制造费用低廉、可大量生产等优点如上所述,结晶系材质的太阳能电池,尤其是多晶材质的太阳能电池,因制造低廉、制造简单等优点,其需求正日益提高,而且为完善其效率低的缺点,需要多种解决方案。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供太阳能电池制造装置,及其系统以及太阳能电池,在结晶系材质的基板表面形成多个微突起,以显著降低反射率来提高太阳能电池效率。为实现所述的本专利技术的目的,本专利技术的太阳能电池制造装置,包括真空腔室,形成有腔门;载体支撑部,设置于所述真空腔室,搭载有载体,其中所述载体装载有多个结晶系硅基板;气体喷射部,设置于所述载体支撑部上侧,用于喷射气体;以及电源施加部,施加电源使真空腔室内产生等离子,在将形成有多个通孔的覆盖板设置于所述载体以覆盖所述基板的状态下,所述太阳能电池制造装置实施干蚀刻以在基板表面形成多个微突起。其中,在所述真空腔室的外部或者内部以覆盖板覆盖所述基板。其中,形成于所述覆盖板的通孔为狭缝。其中,优选地,形成所述通孔的狭缝的宽度W小于或等于自所述覆盖板的底面至所述基板的距离H的二分之一。其中,所述通孔具有上下贯通所述覆盖板的柱状形状;在其上端及下端中的至少之一形成有被切开而成向外扩张的切开部。其中,在所述通孔的上端及下端均形成有所述切开部,形成于下端的切开部更大。其中,所述覆盖板包括板状部件,形成多个所述通孔;以及保持间隔部件,设置于所述板状部件边缘,用于保持所述板状部件与所述基板的距离。其中,所述保持间隔部件为绝缘材质,其中,所述保持间隔部件为透明的石英材质。其中,优选地,所述板状部件的底面至所述基板的表面的距离为5. Omm 30. 0mm。其中,优选地,所述多个通孔的开口总和为所述板状部件表面积的5% 40%。其中,在所述板状部件的底面至基板的距离中,优选围绕中央部分的周边部分的距离比中央部分的距离更小。其中,所述板状部件被构成为上面形成平面,底面向上面方向凹陷。其中,所述板状部件被构成为具有一定厚度,且自所述周边部分至所述中央部分逐渐凸起。其中,在所述板状部件的底面形成有曲面或段差。其中,结合所述板状部件和所述保持间隔部件,优选地,以在所述板状部件的底面和所述保持间隔部件的内面相交的部分形成大于90°的角度。其中,结合所述板状部件和所述保持间隔部件,以使所述板状部件的底面和所述保持间隔部件的内面形成平缓的曲面。其中,所述保持间隔部件的内面俯视观察呈矩形,在所述保持间隔部件的各边的内面与其相邻的边的内面相交的部分,优选地,所述保持间隔部件的各边的内面与其相邻的边的内面形成大于90°的角度。其中,所述保持间隔部件的各边与其相邻的边的内面相互形成平缓的曲面。其中,所述干蚀刻是反应离子蚀刻。本专利技术提供太阳能电池制造系统包括一个以上工序模组;以及基板交换模组, 相互交换通过所述工序模组完成工序的基板和将要进行工序的基板。其中太阳能制造系统包括移送装置,将装载有将要实施工序的多个基板的载体从所述基板交换模组传送至任意一个所述的工序模组,将装载有已经完成工序的多个基板的载体从任意一个所述的工序模组传送至所述基板交换模组, 其中,所述基板交换模组及所述移送装置在大气压下运行。还包括缓冲模组,临时装载从所述工序模组导出的载体和/或由所述基板交换模组传送的载体。其中,在所述基板交换模组或所述缓冲模组,以所述覆盖板覆盖所述基板。本专利技术还提供根据权利要求20所述的太阳能电池制造装置制造的太阳能电池。根据本专利技术的太阳能电池制造装置及其系统及太阳能电池,在以形成有多个通孔的覆盖板覆盖基板的状态下,进行干蚀刻,从而可以在基板表面形成均勻的微突起。尤其,在根据本专利技术的太阳能电池的基板表面即受光面均勻地形成微突起,由此可显著地降低基板的反射率,使太阳能电池的效率极大化。而且,根据本专利技术的太阳能电池制造装置,提供了关于形成有多个通孔的覆盖板的最佳结构,从而具有在基板的受光面可以形成更为均勻的微突起的优点。而且,根据本专利技术的太阳能电池制造装置,处理大型基板或一次性地处理多个基板时,由于随着大面积化而导致中央部分和周边部分的工序条件有所区别,从而导致了在现有技术中存在对基板的处理不均勻的问题,然而根据本专利技术的太阳能电池制造装置,改善了中央部分及周边部分的覆盖板的结构,从而在处理多个基板时,根据其位置而导致的基板处理不均勻性的问题可以得到改善。附图说明图1是太阳能电池的一实施例概念示意图;图2是根据本专利技术的太阳能电池制造装置的截面示意图;图3是图2的太阳能电池制造装置所使用的覆盖板立体示意图;图4是图3的IV-IV方向的截面示意图;图fe及图恥是图2太阳能电池制造装置所使用的变形的覆盖板截面图;图6是图2的太阳能电池制造装置使用的变形的另一覆盖板的部分截面示意图;图7是部分显示图2的太阳能电池制造装置所使用的变形的另一覆盖板的平面示意图。具体实施例方式以下,结合附图对本专利技术的太阳能电池制造装置及其系统以及太阳能电池进行详细说明。首先,简要说明适用本专利技术的太阳能电池。具体如下适用本专利技术的太阳能电池100的一实施例,如图1所示,其包括硅基板110 ;半导体层120,形成于硅基板110的受光面;防反射膜130,形成于半导体层120 ;第一电极140, 形成于防反射膜130 ;以及第二电极150,形成于硅基板110的底面。硅基板110为单晶或多晶硅,具有P型或者N型半导体特性。此时,半导体层120 具有的半导体特性与硅基板110的半导体特性相反。硅基板110为单晶时,由引上法等形成;多晶时,切割由铸造法形成的硅锭而制造。另外,作为降低受光面的反射率来提高硅基板110效率的方法,优选地,对其受光面进行粗糙化,即在受光面形成多个微突起220。作为在硅基板110表面形成微突起220的方法有使用碱性水溶液或者酸性水溶液的湿蚀刻方法,以及使用如反应离子蚀刻(Reactive IonEtching)那样的干蚀刻等方法。在此,湿蚀刻方法依赖于硅的结晶结构,在具有不规则结晶结构的多晶硅基板上形成均勻的微突起220有一定难度。与此相比,干蚀刻方法不受硅基板的结晶结构的影响,都可适用,并且具有可均勻地形成微突起220的优点。优选地,通过干蚀刻在基板100的受光面形成微突起220。以下,对根据本专利技术的太阳能电池制造装置进行详细说明。如图2所示,根据本专利技术的太阳能电池制造装置300被设置为通过干蚀刻在基板 1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池制造装置,包括真空腔室,形成有腔门;载体支撑部,设置于所述真空腔室,搭载有载体,其中所述载体装载有多个结晶系硅基板;气体喷射部,设置于所述载体支撑部上侧,用于喷射气体;以及电源施加部,施加电源使真空腔室内产生等离子,其特征在于,在将形成有多个通孔的覆盖板设置于所述载体以覆盖所述基板的状态下,所述太阳能电池制造装置实施干蚀刻以在基板表面形成多个微突起。2.根据权利要求1所述的太阳能电池制造装置,其特征在于, 在所述真空腔室的外部或者内部以覆盖板覆盖所述基板。3.根据权利要求1所述的太阳能电池制造装置,其特征在于, 形成于所述覆盖板的通孔为狭缝。4.根据权利要求3所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,形成所述通孔的狭缝的宽度W小于或等于自所述覆盖板的底面至所述基板的距离H的二分之一。5.根据权利要求3所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,所述通孔具有上下贯通所述覆盖板的柱状形状;在其上端及下端中的至少之一形成有被切开而成向外扩张的切开部。6.根据权利要求5所述的太阳能电池制造装置,其特征在于, 在所述通孔的上端及下端均形成有所述切开部,形成于下端的切开部更大。7.根据权利要求1所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,所述覆盖板包括 板状部件,形成有多个所述通孔;以及保持间隔部件,设置于所述板状部件边缘,用于保持所述板状部件与所述基板的距离。8.根据权利要求7所述的太阳能电池制造装置,其特征在于, 所述保持间隔部件为绝缘材质。9.根据权利要求7所述的太阳能电池制造装置,其特征在于, 所述保持间隔部件为透明的石英材质。10.根据权利要求7所述的太阳能电池制造装置,其特征在于, 所述板状部件的底面至所述基板的表面的距离为5. Omm 30. 0mm。11.根据权利要求7所述的太阳能电池制造装置,其特征在于, 所述多个通孔的开口总和为所述板状部件表面积的5% 40%。12.根据权利要求7所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,在所述板状部件的底面至基板的距离中,围绕中央部分的周边部分的距离比中央部分的距离更小。13.根据权利要求12所述的太阳能电池制造装置,其特征在于, 所述板状部件被构成为上面...

【专利技术属性】
技术研发人员:金元求
申请(专利权)人:金元求
类型:发明
国别省市:

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