硅外延片背面硅渣的处理方法技术

本发明专利技术公开了一种硅外延片背面的硅渣处理方法，其按照下述步骤进行：①准备干净的片盒、宽倒角边的的硅片和净化间专用的吸尘器；②将硅外延片放在上述片盒内，在强光灯下观察所述硅外延片背面的硅渣的状态，确定硅渣的区域；③打开净化间专用吸尘器对准待处理的硅外延片的背面，然后手持步骤①所述的硅片刮步骤②中所述的硅渣；④刮完一个区域后，刮其他有硅渣的区域，直至完全刮完后，清洗硅外延片。本发明专利技术的方法简单易行、所需的设备是常规的实验室设备；处理后的硅外延片背面的硅渣大部分被刮掉吸走，解决了光刻机吸不住硅外延片的问题，且所制备的光刻条宽均匀，提高了硅外延片光刻的成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料清洁处理
，特别涉及。
技术介绍
硅是一种非常重要的半导体材料，可用于制作二极管、三极管、发光器件、压敏元件、太阳能电池等元器件。一件含硅的半导体元器件的制成，往往需要复杂工艺程序才能完成，其中包括在硅片上生长外延层，形成硅外延片。大直径硅片上生长外延层后，在硅片的背面的边缘生长了面积不等的硅渣，导致外延后的硅片放置在光刻机上后，无法形成有效的真空，吸不住硅外延片；或者硅外延片背面的硅渣处平整度较差，导致光刻条宽不均勻而使硅外延片失效；且现有的平整度测试仪在测试硅外延片平整度时，采用等间距的三个支柱配置在比硅外延片标称直径小6. 35mm 的同一圆周上，而一般硅外延片背面边缘的硅渣或粗糙大多出现在距边缘3 5mm的范围内，因此用上述仪器无法探测到平整度的差异。目前，还没有有效办法去除已经产生的硅外延片背面的硅渣，使其可以满足其后续的工艺要求；对于影响后续工艺的硅外延片通常是白白报废了，不仅增加环境负担，而且造成物质资源和人力资源的极大浪费。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种简单、有效去除。为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是按照下述步骤进行①准备干净的片盒、宽倒角边的的硅片和净化间专用的吸尘器；②将硅外延片放在上述片盒内，在灯照度不小于200klx的强光灯下观察所述硅外延片背面的硅渣的状态，确定硅渣的区域；③打开净化间专用的吸尘器对准待处理的硅外延片的背面，然后手持步骤①所述的硅片刮步骤②中所述的硅渣；④刮完一个区域后，刮其他有硅渣的区域，直至完全刮完后，清洗硅外延片。本专利技术采用宽倒角边的的硅片来刮硅渣，一方面不会带来其它沾污；另一方面宽倒角边的硅片边缘锋利，很容易刮下硅外延片背面的硅渣。采用上述技术方案所产生的有益效果在于本专利技术的方法简单易行、所需的设备是常规的实验室设备；处理后的硅外延片背面的硅渣大部分被硅片刮掉并被吸尘器吸走， 解决了光刻机吸不住硅外延片的问题，且所制备的光刻条宽度均勻，提高了硅外延片的光刻成品率，且节约了大量的资源。具体实施方式①准备一个干净的片盒、一个宽倒角边的的硅片和一个净化间专用的吸尘器。②将硅外延片放在上述片盒内，在灯照度不小于200klx的强光灯下观察所述硅外延片背面的硅渣的状态，确定硅渣的区域。首先，先在强光灯下粗略的观察硅外延片背面的硅渣状态；然后，用真空吸笔吸住上述硅外延片的背面，在强光灯下仔细观察硅外延片的背面，确定哪个位置硅渣最重；再将上述硅外延片放置在片盒中，硅渣最重的区域朝上。③打开净化间专用吸尘器对准待处理的硅外延片的背面，然后手持步骤①所述的硅片刮步骤②中所述的硅渣；为了方便手持，所述硅片取完整硅片的1/4 1/8大小，并以宽倒角边作为刮硅渣的面；刮硅渣时，所述硅片与硅外延片之间呈50 70°的倾斜角度。本步骤中，如果首先刮硅渣，然后再打开吸尘器，被刮下来的小颗粒会被吸附在硅外延片正面的边缘，在后续的清洗中无法清除。其中所述吸尘器出口距硅外延片背面10 50mm，在整个过程中保持吸尘器距硅外延片的间距不能太大，否则被刮下来的硅渣小颗粒会吸到硅外延片的正面边缘，清洗无法去除；上述间距也不宜太小，否则易碰到硅外延片而造成沾污。④刮完一个区域后，刮其他有硅渣的区域，直至完全刮完后，清洗硅外延片。采用本专利技术，有效去除了硅外延片背面的硅渣，使得即使硅渣很严重的硅外延片仍能满足后续工序的加工工艺；本专利技术通过采用简单的方法，解决了一直都无法彻底解决的硅渣问题，使以前本应报废的硅外延片得以应用，节约了大量资源。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅外延片背面的硅渣处理方法，其特征在于按照下述步骤进行①准备干净的片盒、宽倒角边的的硅片和净化间专用的吸尘器；②将硅外延片放在上述片盒内，在灯照度不小于200klx的强光灯下观察所述硅外延片背面的硅渣的状态，确定硅渣的区域；③打开净化间专用的吸...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵丽霞，段姝凤，侯志义，
申请(专利权)人：河北普兴电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：