喷淋头清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供一种喷淋头清洗装置，用于对喷淋头的表面进行清洗，包括：清洗刷，具有刷毛；清洗刷机械手，用于夹持和移动清洗刷，使得所述清洗刷和/或刷毛能够与喷淋头的表面进行相对运动，利用该相对运动清洗喷淋头的表面；吸附装置，用于吸附清洗过程中的污染物。本实用新型专利技术实施例解决了喷淋头的表面无法清洗的问题，避免喷淋头表面的污染物对下一次沉积工艺的影响。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及化学气相沉积(CVD)
，特别涉及喷淋头的清洗装置。
技术介绍
MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor D印osition)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延沉积工艺。它以III族、II族元素的有机化合物和V、 VI族元素的氢化物等作为晶体生长的源材料，以热分解反应方式在基座上进行沉积工艺， 生长各种III-V族、II-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。下面对现有的沉积工艺的原理进行说明。具体地，以MOCVD为例，请参考图1所示的现有的沉积装置的结构示意图。手套箱10内形成有相对设置的喷淋头11和基座12。所述喷淋头11内可以设置多个小孔，所述喷淋头11用于提供源气体。所述基座12上通常放置多片基片121，所述基片121的材质通常为价格昂贵的蓝宝石。所述基座12的下方还形成有加热单元13，所述加热单元13对所述基片121进行加热，使得所述基片121表面的温度达到外延工艺需要的温度。在进行MOCVD工艺时，源气体自喷淋头11的小孔进入基座12上方的反应区域(靠近基片121的表面的位置)，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶芷飞，梁秉文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：实用新型
国别省市：