阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板20瓦负载片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板20瓦负载片，其包括一5*2.5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。该结构的阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板20瓦负载片具有良好的VSWR性能，在5*2.5*1mm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到20W，其特性达到了3G，使该尺寸的氮化铝陶瓷基板使用范围更广，也更加能够与设备进行良好的匹配。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉一种氮化铝陶瓷基板负载片，特别涉及一种阻抗为50 Ω氮化铝陶瓷基板20瓦负载片。
技术介绍
氮化铝陶瓷基板负载片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向输入的功率， 如果不能承受要求的功率，负载就会烧坏，可能导致整个设备烧坏。目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率，要求基本的尺寸越来越小，而需要吸收的功率越来越大，产品的特性也就是VSWR(驻波比)要越小越好，市场基础需要满足1.25 1以内.随着频段的增高，产品的VSWR也就会越高.目前国内的负载片VSWR — 般都是在3G以内达到要求，有少数能达到3G，但是随着通信网络的不断的发展，对频段的要求越来越高，所以尺寸越小，能达到的频段越高，是发展的方向.
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本技术要解决的技术问题是提供一种能够承受 20W的功率，驻波需要能满足目前3G需求的小尺寸氮化铝陶瓷基板负载片。为解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案一种阻抗为50 Ω氮化铝陶瓷基板20瓦负载片，其包括一 5*2. 5*lmm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板20瓦负载片，其特征在于其包括一 5*2. 5*lmm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接， 所述电阻上印刷有玻璃...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝敏，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：