本文公开了一种反应处理装置与反应处理方法，该反应处理装置包括温度控制部，该温度控制部包括：第一温度控制部，布置在反应区域组的外周边缘部位处；以及平面型第二温度控制部。其中，该第一温度控制部和该第二温度控制部彼此相对地布置，反应区域组位于其间。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种反应处理装置和反应处理方法。更具体地，本专利技术涉及一种能够进行高精度温度控制的反应处理装置和反应处理方法。
技术介绍
在反应必须基于温度条件进行控制的情况下，期望以更高精度的方式控制温度条件，而无论反应物是液体、固体或是气体。例如，这种期望也存在于诸如基因分析的
作为一个例子，在各种生物科技领域，应用了诸如用于进行基因扩增的聚合酶链反应(PCR)方法的扩增特定核酸的技术，从而将其利用为核酸检测方法。作为核酸检测方法，已知使用了标有荧光物质的杂交探针的方法。作为核酸检测方法的变形，例如已知核酸测定方法(实时PCR方法)和用于诸如单核苷酸多态性(SNP : Single Nucleotide Polymorphism)的变异的检测方法(熔解曲线分析)。如果SNP分析能够快速且容易地进行，那么将可以执行例如定制的医疗护理，在这种护理中，最佳的疗法、 药物治疗等等在病人的床边诊断，这成为有前景的定点照护(POC :Point Of Care)。鉴于这种情况，存在以更快速且容易的方式在核酸扩增反应之后检查核酸扩增的方法的需要。此外，作为检测方法，还已知通过测量已被用于核酸扩增反应的反应混合物的混浊度来检查扩增的方法以及基于使用具有特定地与扩增的目标核酸相结合的探针的微阵列的方法。同时，反应检测的主流通常是通过具有大型热块同时使用例如带有预备试剂的96 井多重分析(multiassay)板的系统来进行的反应检测(参见日本专利特开第2006-162625 号)。然而，这个系统的缺点在于，热容量很大，因为采用了均勻加热，因此在热产生部消耗了大量的电力，并且相应地花费了很长的冷却时间。出于这些原因，该系统在实践中远远达不到便携式系统的要求。此外，存在许多通过使用微芯片进行的热反应的先例，这些先例的例子包括加热线被缠绕在毛细管周围的系统以及四根加热棒被放置为与微芯片的四个角相接触的系统。例如，已知芯片简单地夹在上下两块平板之间的系统，例如日本专利特开第 2009-300299号中所述的装置。此外，还已知容易获得对加热器结构的想法的系统，在该系统中，使加热器沿着对应于通道或反应位点的形状来接触，例如日本专利特开第 2008-253227号中所述的反应装置。
技术实现思路
然而，上述反应处理装置在过去是不能令人满意的，因为温度分布差别很大，这取决于反应位点周围的结构的设计。此外，每当反应位点的形状改变时，需要制造并设置与如此改变的形状相匹配的一个或多个加热器。这使得必须每次为这种变化进行与电力和控制相关的协调。这是非常令人烦恼的。换言之，从形成均勻的温度分布角度来讲，上述的过去的所有构造都是不能令人满意的，使得这些构造很难保证反应位点的稳定性。此外，在反应位点井的数量增加的情况下，必须基于每种芯片设计来加工一个或多个加热器并且必须为每次芯片变化设计温度分布。这意味着差的通用性。因此，存在对能够容易地且以高精度的方式进行温度控制的反应处理装置和反应处理方法的需要。根据本专利技术的实施方式，提供了包括温度控制部的反应处理装置，该温度控制部控制反应区域组的外周边缘部位的温度。优选地，该温度控制部是布置在反应区域组的外周边缘部位处的第一温度控制部。反应处理装置包括反应温度控制部，该反应温度控制部包括该第一温度控制部和平面型第二温度控制部，并且第一温度控制部和第二温度控制部彼此相对地布置，反应区域组位于其间。优选地，第一温度控制部的形状为矩形框状。优选地，反应区域组布置在基片中，并且第一温度控制部和第二温度控制部与基片接触。优选地，第一温度控制部的框体部分的外周部位和/或内周部位的各边设置有一个或多个切口。优选地，一个或多个切口设置在外周部位的角落中和/或内周部位的边的中心部位中。此外，优选地，温度控制部的形状是平板状，且在对应于反应区域组中的每个反应区域的部位处具有透光开口部(在下文中，该温度控制部也将称为“具有开口部的温度控制部”)。 优选地，反应区域组布置在基片中，并且具有开口部的温度控制部与基片接触。优选地，具有开口部的温度控制部设置在基片和热隔离部之间，该热隔离部阻止热量从温度控制部释放。优选地，具有开口部的温度控制部具有形成在遮光体中的开口部，并且反应处理装置进一步包括照射部，该照射部被构造为用光照射反应区域；以及检测部，该检测部被构造为检测来自反应区域的光。优选地，反应处理装置包括两个上述具有开口部的温度控制部，并且这两个温度控制部彼此相对地布置，反应区域组位于其间。根据本专利技术另一实施方式，提供了一种反应处理方法，其中，通过温度控制部控制反应区域组的外周边缘部位的温度，从而反应区域组的温度受到控制，该温度控制部至少布置在外周边缘部位处。优选地，温度控制部是布置在反应区域组的外周边缘部位处的第一温度控制部。第一温度控制部和平面型第二温度控制部彼此相对地布置，反应区域组位于其间，并且第一温度控制部和平面型第二温度控制部彼此配合从而控制反应区域组的温度。优选地，一个或多个切口设置在第一温度控制部的框体部分的外周部位和/或内周部位中，以抑制局部加热。此外，同样优选地，利用在对应于反应区域组中的每个反应区域的部位处具有透光开口部的平板状温度控制部，通过在控制外周边缘部位的温度的同时抑制反应区域组中的局部加热来控制反应区域组的温度。根据本专利技术的实施方式，提供了能够容易地且高度精确地进行温度控制的反应处理装置和反应处理方法。附图说明图1是根据本专利技术的实施方式的反应处理装置的概念图；图2是示出反应处理装置的主要部位的分解透视图；图3A至图3D是根据本专利技术的实施方式的第一温度控制部的框体部分和该框体部分的变形例的顶视图；图4示出了(分别设置成只带有下表面加热器、下表面加热器和上部加热器A、下表面加热器和上部加热器B、下表面加热器和上部加热器C、以及下表面加热器和上部加热器D的)反应处理装置和在反应处理装置的操作期间的温度分布的示意图；图5示出了根据本专利技术的实施方式的(设置有上部加热器B的)反应处理装置、 它的(分别设置有上部加热器C和D的)变形例、以及根据现有技术(设置有上部加热器 A的)反应处理装置；图6是根据本专利技术的实施方式的反应处理装置的工作示例的示意图；图7是根据本专利技术的实施方式的反应处理装置的概念图；图8A是根据本专利技术的实施方式的温度控制部的顶视图，图8B是截面图；图9是示出了在使用了根据本专利技术的实施方式的温度控制部的情况下来自光源的光线的传播的概念图；以及图10示出了(分别设置成只带有上加热器B、只带有上加热器E、以及只带有上加热器F的)反应处理装置和在反应处理装置操作期间的温度分布的概念图。具体实施例方式下面将结合附图对本专利技术的优选实施方式进行详细地描述。顺便提及，下述实施方式仅仅是本专利技术的实施方式的代表性示例，并且本专利技术不应仅根据实施方式理解。1.第一实施方式的反应处理装置反应位点组(1. Ia)基片(2)反应温度控制部(1. 2a)第一温度控制部(1. 2b)第二温度控制部(3)照射部(4)检测部2.核酸扩增反应装置(1)核酸扩增反应(2)核酸扩增检测方法(产物)3.第一实施方式的反应处理装置的操作4.利用第一实施方式的反应处理装置的核酸扩增反应装置的操作(1)变形例(4. la) RT-LA本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2010.11.12 JP 2010-254157;2011.10.07 JP 2011-223311.一种反应处理装置，包括温度控制部，所述温度控制部控制反应区域组的外周边缘部位的温度。2.根据权利要求1所述的反应处理装置，其中，所述温度控制部是布置在所述反应区域组的所述外周边缘部位处的第一温度控制部，所述反应处理装置包括 反应温度控制部，所述反应温度控制部包括 所述第一温度控制部；以及平面型第二温度控制部，并且，所述第一温度控制部和所述第二温度控制部彼此相对地布置，所述反应区域组位于其间。3.根据权利要求2所述的反应处理装置，其中，所述第一温度控制部的形状为矩形框状。4.根据权利要求2所述的反应处理装置，其中，所述反应区域组布置在基片中，并且所述第一温度控制部和所述第二温度控制部与所述基片接触。5.根据权利要求4所述的反应处理装置，其中，所述第一温度控制部的框体部分的外周部位和/或内周部位的各边设置有一个或多个切口。6.根据权利要求5所述的反应处理装置，其中，所述一个或多个切口设置在所述外周部位的角落中和/或所述内周部位的边的中心部位中。7.根据权利要求2所述的反应处理装置，其中，反应区域用作核酸扩增反应的反应位点，并且所述反应处理装置进一步包括照射部，被构造为用光照射所述反应区域；以及检测部，被构造为检测来自所述反应区域的光。8.根据权利要求1所述的反应处理装置，其中，所述温度控制部的形状为平板状，并且在对应于所述反应区域组中的每个反应区域的部位处具有透光开口部。9.根据权利要求8所述的反应...
【专利技术属性】
技术研发人员：小岛健介，潟山浩，篠崎明，户田显，加藤义明，渡边英俊，世取山翼，梶原淳志，渡边俊夫，宫地政浩，穴口嵩记，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：
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