液晶显示装置制造方法及图纸

技术编号:7366426 阅读:166 留言:0更新日期:2012-05-27 02:33
在本发明专利技术的MVA型的液晶显示装置中,当从垂直于基板的方向观看时,各像素的至少1个第1电极(21)的由第1部分和第2部分夹着的部分具有向行方向突出的延设部(21aE1、21bE1、21aE2、21bE2),第1部分是第1电极的边缘和狭缝(22a、22b)交叉的部分或者是第1电极的边缘和与该边缘最靠近的狭缝(22a、22b)的延长线交叉的部分,第2部分与第1电极的第1部分相邻,是第1电极的边缘和第2畴限制结构(44a、44b)交叉的部分或者是第1电极和与其边缘最靠近的第2畴限制结构(44a、44b)的延长线交叉的部分。根据本发明专利技术,可提供如下MVA型液晶显示装置:其能抑制由第1电极的边缘附近的液晶分子的取向紊乱引起的显示质量的降低。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及液晶显示装置,特别是涉及MVA型液晶显示装置。
技术介绍
MVA(Multidomain Vertical Alignment 多畴垂直取向)型液晶显示装置因为具有比TN型液晶显示装置广的视野角特性,所以被广泛利用于TV用途等的液晶显示装置 (例如,参照专利文献1和2)。在本说明书中引用专利文献1和2的所有公开内容用于参考。在MVA型液晶显示装置中,通过在隔着垂直取向型液晶层相对的一对基板的液晶层侧设置畴限制结构(也称为取向限制结构。),形成指向矢的取向方向(倾斜方向)不同的多个液晶畴。作为畴限制结构,使用设于电极上的狭缝(开口部)或者形成于电极的液晶层侧的电介质突起(肋)。典型地,在一对基板上分别配置有在相互正交的2个方向延伸的直线状的畴限制结构,当从垂直于基板的方向观看时,形成于一方基板上的畴限制结构和配置于另一方基板上的畴限制结构平行且交替地配置。其结果是,当对任意像素的液晶层施加电压时,在直线状的畴限制结构之间,形成液晶分子倾倒的方位(也称为液晶畴的指向矢的方位。)相互相差约90°的4种畴。典型地,相对于配置成正交尼科尔的一对偏振板的偏振轴(透射轴),形成液晶畴的指向矢的方位角呈45°的4个液晶畴。当将方位角的0°设为一方偏振板的偏振轴的方向(例如显示面的水平方向(钟表的表盘的3点方向))、将逆时针旋转设为正的方位时,4个液晶畴的指向矢的方位角为45°、135°、225°、315°。下面,方位角的定义只要没有特别指明就基于该定义。此外,本说明书中的“像素”指液晶显示装置进行显示的最小单位,在彩色显示装置的情况下,指显示各个原色(典型地为R、G或者B)的最小单位,有时称为“点”。一般,像素排列成具有行和列的矩阵状。在此,行方向指显示面的水平方向(方位角为0°或者180° ),列方向指显示面的垂直方向(方位角为90°或者270° )。像素具有像素电极、液晶层以及隔着液晶层与像素电极相对的相对电极(共用电极)。像素电极具有在行方向延伸的边缘(边)和在列方向延伸的边缘。MVA型液晶显示装置具有的在相互正交的2个方向延伸的直线状的畴限制结构为了形成上述4个液晶畴,例如以在方位角 45° (225° )和135° (315° )上延伸的方式设置。即,设于相对电极侧的在相互正交的 2个方向延伸的直线状的畴限制结构(或者其延长线)与像素电极的在行方向延伸的边缘或者在列方向延伸的边缘交叉。当在像素电极与相对电极之间形成电位差时,在像素电极的边缘附近形成有倾斜电场(边缘场)。沿着像素电极的边缘形成的倾斜电场以使液晶分子在与像素电极的边缘正交的方向倾倒的方式起作用。因此,在设于相对电极侧的畴限制结构(或者其延长线) 和像素电极的在行方向或者列方向延伸的边缘交叉的附近,形成于像素电极的边缘附近的倾斜电场以使被畴限制结构限制的液晶分子的取向紊乱的方式起作用。液晶分子的取向紊乱时,显示质量当然降低。因此,在专利文献1中公开了如下构成为了抑制设于相对电极侧的畴限制结构 (或者其延长线)和像素电极的在行方向或者列方向延伸的边缘交叉的附近的液晶分子的取向紊乱,在发生上述取向紊乱的与像素电极的边缘部分相对的位置,设置平行于该边缘部分而延伸的直线状的辅助结构。辅助结构有时设于像素内,也有时设于像素外。辅助结构例如是形成于相对电极上的狭缝或者形成于相对电极的液晶层侧的电介质突起,使用与设于相对电极侧的畴限制结构相同的结构。即,在畴限制结构为形成于相对电极上的狭缝的情况下,作为辅助结构也采用狭缝,在畴限制结构为形成于相对电极的液晶层侧的电介质突起的情况下,作为辅助结构也采用电介质突起。但是,因为形成有辅助结构(狭缝或者电介质突起)的部分无助于显示,所以当辅助结构的至少一部分存在于像素内时,具有透射率降低的问题。另外,利用辅助结构抑制像素电极的边缘附近的液晶分子的取向紊乱,边缘附近的液晶分子的取向方向与利用畴限制结构规定的畴的指向矢的方向不同,所以透射率的损失不可避免。而且,当作为辅助结构使用电介质突起时,也具有如下问题规定液晶层的厚度(单元空隙)的柱状间隔物(也称为感光间隔物。)的配置被限制,设计的自由度降低。最近,为了改善MVA型液晶显示装置的γ特性的视角依存性,本申请人在专利文献3中公开了如下液晶显示装置和驱动方法通过将1个像素分割为明亮度不同的多个副像素,能改善Y特性的视角依存性。特别是能改善低灰度级的显示亮度比规定的亮度更高 (发白)的Y特性的视角依存性。在本说明书中,有时将这样的显示或者驱动称为面积灰度级显示、面积灰度级驱动、多像素显示或者多像素驱动等。在本说明书中引用专利文献3 的全部公开内容用于参考。在专利文献3中公开了如下液晶显示装置按1个像素内的多个副像素分别设置辅助电容,将构成辅助电容的辅助电容相对电极(连接到CS总线)按副像素设为电独立, 使对辅助电容相对电极提供的电压(称为辅助电容相对电压。)变化,由此利用电容分割使对多个副像素的液晶层施加的有效电压不同。此外,当前,在以TV用为首的要求宽视野角特性的用途中,MVA型液晶显示装置以各种方式进行多像素显示。在具有多像素结构的液晶显示装置中,像素电极与多个副像素对应地分割为多个副像素电极。即,利用多个副像素电极构成1个像素电极。另外,有时与多像素结构不同地对各像素设置多个副像素电极。例如,为了使像素电极和相对电极的短路不良容易修复、或者使短路不良难以显著,有时由多个副像素电极构成像素电极。在该情况下,对各像素所包含的多个副像素电极提供相同电压。现有技术文献专利文献专利文献1 特开平11-M2225号公报(美国专利第67M452号说明书)专利文献2 特开2000-155317号公报(美国专利第6879364号说明书)专利文献3 特开2004-62146号公报(美国专利第6958791号说明书)
技术实现思路
专利技术要解决的问题如上所述,在MVA型液晶显示装置中,当为了抑制像素电极(或者副像素电极)的边缘附近的液晶分子的取向紊乱而形成上述的辅助结构时,具有例如损失透射率的问题。本专利技术是为了解决上述问题而完成的,其目的在于提供如下MVA型液晶显示装置即使不设置上述的辅助结构,也能抑制由像素电极的边缘附近的液晶分子的取向紊乱引起的显示质量的降低。用于解决问题的方案第1专利技术的液晶显示装置是MVA型的液晶显示装置,具有排列成具有行和列的矩阵状的多个像素,上述多个像素分别具有第1基板;第2基板;垂直取向型的液晶层,其设于上述第1基板与上述第2基板之间;至少1个第1电极,其形成于上述第1基板;第2电极,其隔着上述液晶层与上述至少1个第1电极相对;第1畴限制结构,其形成于上述第1 基板;以及第2畴限制结构,其形成于上述第2基板,上述第1畴限制结构包含形成于上述至少1个第1电极的狭缝,上述第2畴限制结构是形成于上述第2电极的狭缝或者形成于上述第2电极的上述液晶层侧的电介质突起,当从垂直于上述第1基板的方向观看时,上述第1畴限制结构具有第1直线成分,其在第1方向延伸;以及第2直线成分,其在与上述第 1方向相差大致90°的第2方向延伸,上述第2畴限制结构具有第3直线成分,其在上述第1方向延伸;以及第4直线成分,其在上述第2方向延伸,上述第1直线成分及第2直线成分、和上本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:伊藤了基吉田昌弘山田崇晴久田祐子堀内智
申请(专利权)人:夏普株式会社
类型:发明
国别省市:

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