【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及滤波器电路，尤其涉及由场效应晶体管构成的电流模式滤波器电路与将该电流模式滤波器电路设置在信号处理路径中的光盘装置。
技术介绍
滤波器电路是构成各种信号处理系统的必需功能模块，特别是，模拟滤波器电路在模拟/数字混装的LSI中，承担着模拟-数字变换前的信号波形整形和用于防止假频 (alias)的高频噪声去除等重要作用。特别是，在从数十MHz到数百MHz的信号频带中，一般采用由跨导(transconductance)电路(以下称为Gm电路)与电容元件构成的Gm-C滤波器。但是，Gm-C滤波器如非专利文献1和非专利文献2所述的那样，1、构成滤波器的Gm电路所具有的寄生极与滤波器的电极接近，因此尤其难以实现高频域中的正确的频率特性。2、在近年来的细微化的低电压动作的数字CMOS工艺中，存在着在以电压模式动作的Gm-C滤波器中难以确保较宽的动态范围和线形性的问题。为了解决这些问题，在非专利文献1和非专利文献2中，提出了以电流模式动作的滤波器电路。在非专利文献1中，如该文献中的图2(a)所示那样，用反馈输出电流的方法实现，而在非专利文献2中，如该文献中的图8所示...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.07.08 JP 2009-162007;2010.02.09 JP PCT/JP20101.一种滤波器电路，其特征在于该滤波器电路是由场效应晶体管构成的电流镜电路， 构成为包括沟道极性全部相同的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管(M1、M2、M3)， 所述第一晶体管的漏极连接到作为栅极接地电路起作用的第二晶体管的源极， 所述第二晶体管的漏极连接到所述第一晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极， 第一电容元件(Cl)与第二电容元件(C2)分别连接到所述第一晶体管的栅极以及漏极，所述滤波器电路包括分别对所述第一晶体管及第二晶体管供应偏置电流的偏置电流供应单元(7)，将所述第一晶体管的漏极或栅极中的任一者或两者作为输入端子，由所述第三晶体管的漏极电流取出输出信号。2.一种滤波器电路，其特征在于该滤波器电路是由场效应晶体管构成的电流镜电路， 构成为包括沟道极性全部相同的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管(Ml、M2、 M3、M52)，所述第四晶体管作为将输入电流信号变换为电压信号的ΙΛ变换器动作， 所述第一晶体管的漏极连接到作为以所述ΙΛ变换器输出为输入的源极跟随器起作用的第二晶体管的源极，所述第二晶体管的漏极连接到所述第一晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极， 第一电容元件(Cl)与第二电容元件(C2)分别连接到所述第一晶体管的栅极以及漏极，所述滤波器电路包括分别对所述第一晶体管及第二晶体管供应偏置电流的偏置电流供应单元(7)，以及对所述第四晶体管供应偏置电流的偏置电流供应单元(53)，将所述第一晶体管的漏极以及所述第四晶体管的漏极中的任一者或两者作为输入端子，由所述第三晶体管的漏极电流取出输出信号。3.一种滤波器电路，其特征在于该滤波器电路是由场效应晶体管构成的电流镜电路， 构成为包括沟道极性全部相同的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管(M1、M2、M3)， 所述第一晶体管的漏极连接到作为源极跟随器起作用的第二晶体管的栅极， 所述第二晶体管的源极连接到所述第一晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极， 第一电容元件(Cl)与第二电容元件(C2)分别连接到所述第一晶体管的漏极以及栅极，所述滤波器电路包括分别对所述第一晶体管及第二晶体管供应偏置电流的偏置电流供应单元(7)，将所述第一晶体管的漏极或栅极中的任一者或两者作为输入端子，由所述第三晶体管的漏极电流取出输出信号。4.根据权利要求3所述的滤波器电路，其特征在于还包括 具有从漏极到栅极的反馈环路的第四晶体管(M13)，以及对所述第四晶体管供应偏置电流的偏置电流供应单元(14)，所述第一电容元件连接在所述第四晶体管的栅极与所述第一晶体管的漏极之间，将所述第四晶体管的栅极作为输入端子，由所述第三晶体管的漏极电...
【专利技术属性】
技术研发人员：森川浩安，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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