在RF驱动器放大器发射器中的增益控制线性制造技术

技术编号:7353180 阅读:375 留言:0更新日期:2012-05-19 01:54
本发明专利技术揭示一种示范性设备,其包含用以将输入信号电压转换成多个输入信号电流的多个电压-电流变换器和一共源共栅级。所述共源共栅级耦合到所述电压-电流变换器以提供放大器增益控制。所述共源共栅级包含薄栅极氧化物晶体管和厚栅极氧化物晶体管。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】依据35U.S.C.§119优先权本专利申请案主张2009年6月30日申请的题为“TC DA线性改进(TC DA LINEARITY IMPROVEMENT)”的第61/222,061号临时申请案的优先权,且所述申请案转让给本案受让人,且在此以引用的方式明确地并入本文中。

技术介绍
放大器通常用于各种电子装置中以提供信号放大。不同类型的放大器可用于不同用途。举例来说,例如蜂窝式电话的无线通信装置可包括用于双向通信的发射器和接收器。发射器可利用驱动器放大器(DA)和功率放大器(PA),接收器可利用低噪声放大器(LNA),且发射器和接收器可利用可变增益放大器(VGA)。为了减少成本且改进集成度,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)常常用于无线装置中的射频(RF)电路和其它应用中。具体来说,MOSFET常常用在用于无线装置的驱动器放大器中。现今的用于无线装置的驱动器放大器需要高质量线性性能,同时需要非常强的可靠性。遗憾的是,在目前用于无线装置的驱动器放大器中使用的例如MOSFET的晶体管常常提供非线性性能和不充分的可靠性。因此,在此项技术中存在对具有高质量线性与可靠性两者的放大器的需求。
技术实现思路
附图说明图1展示无线通信装置的示范性设计的框图。图2展示用以提供用于发射高功率的放大器增益控制线性的驱动器放大器发射器的示意图。图3展示用以提供用于发射低功率的放大器增益控制线性的驱动器放大器发射器的另一示意图。图4A为说明用于高功率模式的增益控制表的图,所述增益控制表可与驱动器放大器发射器一起利用。图4B为说明用于低功率模式的增益控制表的图,所述增益控制表可与驱动器放大器发射器一起利用。具体实施方式词“示范性”在本文中用以指“充当实例、例子或说明”。不必将本文中描述为“示范性”的任何实施例解释为比其它实施例优选或有利。下文中结合附图所阐述的实施方式意欲作为本专利技术的示范性实施例的描述,且无意表示可实践本专利技术的仅有实施例。整个本描述中所使用的术语“示范性”是指“充当实例、例子或说明”,且未必应被解释为比其它示范性实施例优选或有利。所述实施方式包括用于提供对本专利技术的示范性实施例的透彻理解的目的的特定细节。所属领域的技术人员将明白,可在无这些特定细节的情况下实践本专利技术的示范性实施例。在一些例子中,以框图形式展示众所周知的结构和装置以便避免使本文中所呈现的示范性实施例的新颖性模糊不清。本文中所描述的示范性驱动器放大器可用于各种电子装置,例如蜂窝式电话、个人数字助理(PDA)、手持式装置、无线调制解调器、膝上型计算机、无绳电话、蓝牙装置、消费型电子装置等。为了清晰起见,下文描述示范性驱动器放大器在无线装置中的使用,所述无线装置可为蜂窝式电话或某一其它装置。图1展示无线通信装置100的示范性设计的框图。在此示范性设计中,无线装置100包括数据处理器110和收发器120。收发器120包括支持双向无线通信的发射器130和接收器150。一般来说,无线装置100可包括用于任何数目个通信系统和任何数目个频带的任何数目个发射器和任何数目个接收器。在发射路径中,数据处理器110处理待发射的数据,且将模拟输出信号提供到发射器130。在发射器130内,模拟输出信号由放大器(Amp)132放大,由低通滤波器134滤波以移除由数字/模拟转换引起的图像,由VGA 136放大且由混频器138从基带上变频到RF。经上变频的信号由滤波器140滤波以移除由上变频引起的图像,进一步由驱动器放大器(DA)142和功率放大器(PA)144放大,经由双工器/开关146路由且经由天线148进行发射。将如图2中的驱动器放大器200来更详细地描述驱动器放大器142。在接收路径中,天线148接收来自基站的信号,且提供所接收的信号,所接收的信号经由双工器/开关146而路由且被提供到接收器150。在接收器150内,所接收的信号由LNA 152放大,由带通滤波器154滤波且由混频器156从RF下变频到基带。经下变频的信号由VGA 158放大,由低通滤波器160滤波且由放大器162放大以获得模拟输入信号,所述模拟输入信号被提供到数据处理器110。图1展示实施直接转换架构的发射器130和接收器150,所述直接转换架构在一个级中将信号在RF与基带之间进行频率转换。发射器130和/或接收器150还可实施超外差式架构,所述超外差式架构在多个级中将信号在RF与基带之间进行频率转换。本机振荡器(LO)产生器170产生发射和接收LO信号且分别将其提供到混频器138和156。锁相环路(PLL)172接收来自数据处理器110的控制信息,且将控制信号提供到LO产生器170以在适当频率下产生发射和接收LO信号。图1展示示范性收发器设计。一般来说,发射器130和接收器150中的信号的调节可由放大器、滤波器、混频器等中的一个或一个以上级执行。这些电路块可以与图1中所展示的配置不同的配置来布置。此外,图1中未展示的其它电路块还可用以调节发射器和接收器中的信号。还可省略图1中的一些电路块。收发器120的全部或一部分可实施于模拟集成电路(IC)、RF IC(RFIC)、混频信号IC等上。举例来说,发射器130中的放大器132到驱动器放大器142可实施于RFIC上,而功率放大器144可实施于RFIC外部。数据处理器110可执行用于无线装置100的各种功能,例如,用于所发射和所接收的数据的处理。存储器112可存储用于数据处理器110的程序代码和数据。数据处理器110可实施于一个或一个以上专用集成电路(ASIC)和/或其它IC上。如图1中所展示,发射器和接收器可包括各种放大器。每一放大器可用各种设计来实施。每一放大器可具有与线性和/或其它参数有关的特定要求。图2展示用以提供放大器增益控制线性的驱动器放大器发射器200的示意图。放大器200可用于如先前参看图1所描述的驱动器放大器142。放大器200供应改进的驱动器放大器线性,同时维持装置可靠性。放大器200包括多个电压-电流变换器202以将输入信号电压205转换成多个输入信号电流210。共源共栅级220耦合到电压-电流变换器202以提供放大器增益控制。共源共栅级220包括薄栅极氧化物晶体管222以及第一厚氧化物栅极晶体管226和第二厚氧化物栅极晶体管228。应了解,可在共源共栅级中利用任何数目个厚栅极氧化物晶体管,且此仅为一个实例。在一示范性实施例中,多个电压-电流变换器202为晶体管。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.06.30 US 61/222,061;2009.12.11 US 12/636,6371.一种设备,其包含:
多个电压-电流变换器,其将输入信号电压转换成多个输入信号电流;以及
共源共栅级,其耦合到所述电压-电流变换器以提供放大器增益控制,所述共源
共栅级包含薄栅极氧化物晶体管和厚栅极氧化物晶体管。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个电压-电流变换器包含多个晶体管。
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述多个晶体管包含MOSFET。
4.根据权利要求1所述的设备,其中所述共源共栅级的所述薄氧化物栅极晶体管包含
MOSFET。
5.根据权利要求1所述的设备,其中所述共源共栅级的所述厚栅极氧化物晶体管包含
MOSFET。
6.根据权利要求1所述的设备,其中所述薄栅极氧化物晶体管包含所述共源共栅级的
最有效MS晶体管。
7.根据权利要求6所述的设备,其进一步包含多个开关,所述多个开关控制所述共源
共栅级的所述薄栅极氧化物晶体管和厚栅极氧化物晶体管的断开或接通。
8.根据权利要求7所述的设备,其进一步包含数字增益控制表,所述数字增益控制表
用以控制所述多个开关。
9.一种方法,其包含:
将输入信号电压转换成多个输入信号电流;以及
通过将所述多个输入信号电流耦合到共源共栅级来提供放大器增益控制,所述共
源共栅级包含薄栅极氧化物晶体管和厚栅极氧化物晶体管。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述共源共栅级的所述薄氧化物栅极晶体管包含
MOSF...

【专利技术属性】
技术研发人员:德沃拉塔·V·戈德博尔
申请(专利权)人:高通股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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