提供一种将存储器恢复为出厂状态的电子装置，该电子装置连接一存储器，该存储器被划分为多个块，并存储一坏块表，该坏块表记录了存储器每个块对应的坏块标示符，该坏快标识符用于标识每个块是否为坏块。该电子装置包括：一坏块表读取模块，从存储器中获取该坏块表；一块擦除模块，对存储器进行擦除操作；一坏块标识符写入模块，在存储器擦除完毕后，从坏块表中逐一获取每个块的坏块表识符，并将所获得的坏块标识符写入每个块的预定位置。同时还提供一种将存储器恢复为出厂状态的方法。使用本发明专利技术，通过将存储器恢复为出厂状态，使该电子装置可被其他操作系统再次使用。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
一些存储器，如Nand flash,以块为单位进行擦除操作。一般Nandflash都会有坏块存在，在出厂时，会为Nand flash的每个块设置一个坏块标识符，来表示该块为好块还是坏块。该坏块标识符被写在该Nandflash的特定位置，该特定的位置记录在该型号的Nand flash对应的规格书中。在操作系统第一次访问该Nand flash时，会根据规格书规定的位置，逐个读出每块的坏块标志，建立一个自已的坏块表，即将所有块的坏块标识符全部记录在该坏块表中，然后擦除每个块的坏块标识符，并将该坏块表存储在Nand flash中该操作系统所指定的位置。当该Nandflash再次被其他的操作系统使用时，由于坏块标识符已经被擦除或者占用，该系统又不知道坏块表所存储的位置，故无法使用该Nand flash。故只有将该Nand flash恢复为出厂时的设置，该操作系统才可使用该Nandflash。
技术实现思路
有鉴于此，故需要提供一种，方便其他系统使用该存储器。该电子装置连接一存储器，该存储器被划分为多个块，并存储一坏块表，该坏块表记录了存储器每个块对应的坏块标示符，该坏快标识符用于标识每个块是否为坏块，该电子装置中所安装的操作系统中记录有坏块表在存储器中的地址；该电子装置包括一坏块表读取模块，根据操作系统中记录的坏块表在存储器中的地址从存储器中获取该坏块表； 一块擦除模块，对存储器进行擦除操作；一坏块标识符写入模块，在存储器擦除完毕后，从坏块表中逐一获取每个块的坏块表识符，并将所获得的坏块标识符写入每个块的预定位置。在将存储器恢复为出厂状态的方法中，该存储器被划分为多个块，并存储一坏块表，该坏块表记录了存储器每个块对应的坏块标示符，该坏快标识符用于标识每个块是否为坏块，执行该方法的电子装置所安装的操作系统中记录有坏块表在存储器中的地址，该方法包括根据操作系统中记录的坏块表在存储器中的地址从存储器中获取该坏块表；对存储器进行擦除操作；在存储器擦除完毕后，从坏块表中逐一获取每个块的坏块表识符，并将所获得的坏块标识符写入每个块的预定位置。相较于现有技术，本专利技术通过将使用过的具有块状存储结构的存储器的坏块标识符写入每个块的特定区域，从而使该存储器恢复为出厂时的状态，使该存储器可被不同的操作系统使用。附图说明图1为本专利技术一实施方式中电子装置对存储器恢复出厂状态时的示意图。图2为存储在图1所示存储器中的坏块表的示意图。图3为将图1所示存储器恢复为出厂状态时的方法的流程图。主要元件符号说明权利要求1.一种将存储器恢复为出厂状态的电子装置，该电子装置连接一存储器，该存储器被划分为多个块，并存储一坏块表，该坏块表记录了存储器每个块对应的坏块标示符，该坏快标识符用于标识每个块是否为坏块，该电子装置中所安装的操作系统中记录有坏块表在存储器中的地址；其特征在于，该电子装置包括一坏块表读取模块，根据操作系统中记录的坏块表在存储器中的地址从存储器中获取该坏块表；一块擦除模块，对存储器进行擦除操作；一坏块标识符写入模块，在存储器擦除完毕后，从坏块表中逐一获取每个块的坏块表识符，并将所获得的坏块标识符写入每个块的预定位置。2.如权利要求1所述的将存储器恢复为出厂状态的电子装置，其特征在于，该存储器为Nand flash存储器。3.如权利要求1所述的将存储器恢复为出厂状态的电子装置，其特征在于，该坏块标识符为“ 0 ”及“ 1”，其中“ 1”表示好块，“ 0 ”表示坏块。4.如权利要求1所述的将存储器恢复为出厂状态的电子装置，其特征在于，该存储器作为电子装置的元件安装在该电子装置的内部，或通过一数据接口连接至电子装置。5.如权利要求1所述的将存储器恢复为出厂状态的电子装置，其特征在于，该存储器的每个块包括一坏块标识区，每个块的坏块标识符被该坏块标识符写入模块写入该坏块标识区中。6.一种将存储器恢复为出厂状态的方法，该存储器被划分为多个块，并存储一坏块表， 该坏块表记录了存储器每个块对应的坏块标示符，该坏快标识符用于标识每个块是否为坏块，执行该方法的电子装置所安装的操作系统中记录有坏块表在存储器中的地址其特征在于，该方法包括根据操作系统中记录的坏块表在存储器中的地址从存储器中获取该坏块表；对存储器进行擦除操作；在存储器擦除完毕后，从坏块表中逐一获取每个块的坏块表识符，并将所获得的坏块标识符写入每个块的预定位置。7.如权利要求6所述的将存储器恢复为出厂状态的方法，其特征在于，该存储器为 Nand flash 存储器。8.如权利要求6所述的将存储器恢复为出厂状态的方法，其特征在于，该坏块标识符为“ 0 ”及“ 1 ”，其中“ 1 ”表示好块，“ 0 ”表示坏块。9.如权利要求6所述的将存储器恢复为出厂状态的方法，其特征在于，该存储器的每个块包括一坏块标识区，每个块的坏块标识符被写入该坏块标识区中。全文摘要提供一种将存储器恢复为出厂状态的电子装置，该电子装置连接一存储器，该存储器被划分为多个块，并存储一坏块表，该坏块表记录了存储器每个块对应的坏块标示符，该坏快标识符用于标识每个块是否为坏块。该电子装置包括一坏块表读取模块，从存储器中获取该坏块表；一块擦除模块，对存储器进行擦除操作；一坏块标识符写入模块，在存储器擦除完毕后，从坏块表中逐一获取每个块的坏块表识符，并将所获得的坏块标识符写入每个块的预定位置。同时还提供一种将存储器恢复为出厂状态的方法。使用本专利技术，通过将存储器恢复为出厂状态，使该电子装置可被其他操作系统再次使用。文档编号G06F12/02GK102436418SQ20101029658公开日2012年5月2日 申请日期2010年9月29日 优先权日2010年9月29日专利技术者罗碧青, 翁世芳, 郑章永, 陆欣 申请人:富泰华工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑章永，罗碧青，陆欣，翁世芳，
申请(专利权)人：富泰华工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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